Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Температурное гашение терагерцовой фотолюминесценции мелких акцепторов в твердом растворе HgCdTe
Российский научный фонд, 22-72-10111
Российский научный фонд, 22-12-00298
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: more@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 24 августа 2023 г.
В окончательной редакции: 1 сентября 2023 г.
Принята к печати: 1 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 22 октября 2023 г.
Рассчитаны времена захвата дырок на мелкие возбужденные уровни нейтральной вакансии ртути в твердом растворе Hg1-xСdxTe при испускании акустического фонона, а также времена переходов дырок с мелких локализованных уровней в континуум валентной зоны при различных значениях температуры. Вследствие перераспределения носителей по валентной зоне с температурой время захвата носителей на локализованные уровни нейтральной вакансии растет, а время ухода в континуум убывает. На основе результатов расчета предложена модель для описания температурного гашения фотолюминесценции, обусловленной излучательными переходами между локализованными состояниями дырок на нейтральной вакансии ртути. Ключевые слова: HgCdTe, фотолюминесценция, вакансия ртути.
- W. Lei, J. Antoszewski, L. Faraone. Appl. Phys. Rev., 2, 041303 (2015)
- M. Kopytko, A. Rogalski. Sensors Actuators A: Physical, 339, 113511 (2022)
- S. Ruffenach, A. Kadykov, V.V. Rumyantsev, J. Torres, D. Coquillat, D. But, S.S. Krishtopenko, C. Consejo, W. Knap, S. Winnerl, M. Helm, M.A. Fadeev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov, F. Teppe. APL Materials, 5, 035503-1 (2017)
- B. Delacourt, P. Ballet, F. Boulard, A. Ferron, L. Bonnefond, T. Pellerin, A. Kerlain, V. Destefanis, J. Rothman. J. Electron. Mater., 46, 6817 (2017)
- M. Kopytko. Opto-Electron. Rev., 31, 144548 (2023)
- Q. Li, R. Xie, F. Wang, S. Liu, K. Zhang, T. Zhang, Y. Gu, J. Guo, T. He, Y. Wang, P. Wang, Y. Wei, W. Hu. Opt. Express,. 30, 16509 (2022)
- F. Gemain, I.C. Robin, M. De Vita, S. Brochen, A. Lusson. Appl. Phys. Lett., 98, 131901 (2011)
- B. Li, Y. Gui, Z. Chen, H. Ye, J. Chu, S. Wang, R. Ji, L. He. Appl. Phys. Lett., 73, 1538 (1998)
- T. Sasaki, N. Oda, M. Kawano, S. Sone, T. Kanno, M. Saga. J. Cryst. Growth, 117, 222 (1992)
- K.D. Mynbaev, S.V. Zablotsky, A.V. Shilyaev, N.L. Bazhenov, M.V. Yakushev, D.V. Marin, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky. Semiconductors, 50, 208 (2016)
- J. Shao, X. LU, S. Guo, W. Lu, L. Chen, Y. Wei, J. Yang, L. He, J. Chu. Phys. Rev. B, 80, 155125 (2009)
- X. Zhang, J. Shao, L. Chen, X. Lu, S. Guo, L. He, J. Chu. J. Appl. Phys., 110, 043503 (2011)
- A.V. Andrianov, A.O. Zakhar'in, Y.L. Ivanov, M.S. Kipa. JETP Letters, 91, 96 (2010)
- Д.А. Фирсов,Л.Е. Воробьев, В.Ю. Паневин, А.Н. Софронов, Р.М. Балагула, И.С. Махов, Д.В. Козлов, А.П. Васильев. ФТП, 49, 30 (2015)
- I.S. Makhov, V.Y. Panevin, D.A. Firsov, L.E. Vorobjev, A.P. Vasil'ev, N.A. Maleev. J. Luminesc., 210, 352 (2019)
- Д.В. Козлов, В.В. Румянцев, С.В. Морозов, А.М. Кадыков, М.А. Фадеев, М.С. Жолудев, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.И. Гавриленко, Ф. Теппе. Журн. эксперимен. и теорет. физики, 154, 1226 (2018)
- Д.В. Козлов, В.В. Румянцев, А.М. Кадыков, М.А. Фадеев, Н.С. Куликов, В.В. Уточкин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.И. Гавриленко, Х.-В. Хюберс, Ф. Теппе, С.В. Морозов. Письма ЖЭТФ, 109, 679 (2019)
- D.V. Kozlov, V.V. Rumyantsev, A.V. Ikonnikov, V.V. Utochkin, A.A. Razova, K.A. Mazhukina, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, S.V. Morozov, V.I. Gavrilenko. Photonics, 9, 887 (2022)
- Д.В. Козлов, В.В. Румянцев, В.Я. Алешкин, С.В. Морозов, В.И. Гавриленко. ФТП, 56, 1060 (2022)
- В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука. 1984)
- M.S. Kushwaha, S.S. Kushwaha. Canad. J. Phys., 58, 351 (1980)
- H. Kepa, T. Giebultowicz, B. Buras, B. Lebech, K. Clausen. Physica Scripta, 25, 807 (1982)
- E.G. Novik, A. Pfeuffer-Jeschke, T. Jungwirth, V. Latussek, C.R. Becker, G. Landwehr, H. Buhmann, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 72, 035321 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
