Вышедшие номера
Особенности структуры поверхности и поверхностного электронного транспорта в коррелированном топологическом изоляторе SmB6
Переводная версия: 10.61011/SC.2023.04.56418.02k
Russian Science Foundation , https://rscf.ru/project/22-22-00990, 22-22-00990
Артёмов Е.А.1,2, Мантузов А.В. 1,2, Журкин В.С.1, Божко А.Д. 1, Кудрявцев О.С. 1, Андрюшечкин Б.В. 1, Шевлюга В.М. 1, Шицевалова Н.Ю.3, Филипов В.Б.3, Глушков В.В. 1
1Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
2ООО АЕМ Технолоджис", Москва, Россия
3Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: artpoliofan@mail.ru, antoniovm@mail.ru, dok5555@mail.ru, bozhko@lt.gpi.ru, leolegk@gmail.com, andrush@kapella.gpi.ru, shevlyg@kapella.gpi.ru, nshitsevalova@gmail.com, glushkov@lt.gpi.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 29 июня 2023 г.
Принята к печати: 6 июля 2023 г.
Выставление онлайн: 14 июля 2023 г.

Разработан метод химико-механического полирования поверхности монокристаллов гексаборида самария SmB6 композициями на базе аморфных частиц кремнезема нанометрового размера. Показано, что метод химико-механического полирования позволяет достичь шероховатости поверхности монокристаллов SmB6 для бездефектного участка со среднеквадратичным отклонением профиля, не превышающим 0.8 нм. Обсуждается влияние метода химико-механического полирования на структурные и электронные свойства поверхностей (100) и (110) монокристаллических образцов SmB6. Ключевые слова: гексаборид самария, химико-механическое полирование, поверхностная проводимость, топологический изолятор. DOI: 10.21883/FTP.2023.04.55891.02k
  1. M.V.A. Crivillero, M. Konig, J.C. Souza, P.G. Pagliuso, J. Sichelschmidt, P.F.S. Rosa, Z. Fisk, S. Wirth. Phys. Rev. Res., 3, 023162 (2021)
  2. S.V. Demishev, M.I. Gilmanov, A.N. Samarin, A.V. Semeno, N.E. Sluchanko, N.A. Samarin, A.V. Bogach, N.Yu. Shitsevalova, V.B. Filipov, M.S. Karasev, V.V. Glushkov. Sci. Rep., 8, 7125 (2018)
  3. В.В. Глушков, В.С. Журкин, А.Д. Божко, О.С. Кудрявцев, Б.В. Андрюшечкин, Н.С. Комаров, В.В. Воронов, Н.Ю. Шицевалова, В.Б. Филипов. Письма в ЖЭТФ, 116, 770 (2022)
  4. M. Ellguth, C. Tusche, F. Iga, S. Suga. Phil.Mag., 96, 3284 (2016)
  5. L. Feng, W.G. Fahrenholtz, G.E. Hilmas, Y.S. Hor. J. Am. Ceram. Soc., 102, 1379 (2019)
  6. S. Wolgast, Y.S. Eo, T. Ozturk, G. Li, Z. Xiang, C. Tinsman, T. Asaba, B. Lawson, F. Yu, J.W. Allen, K. Sun, L. Li, C. Kurdak, D.-J. Kim, Z. Fisk. Phys. Rev. B, 92, 115110 (2015)
  7. А.В. Ковалев, В.Ф. Ткаченко, А.А. Таран, Ю.Б. Падерно, В.Н. Падерно. Неорг. матер., 25, 968 (1989)
  8. А.С. Артёмов. Росс. нанотехнологии, 6 (7-8), 54 (2011)
  9. В.Ф. Гантмахер. Электроны в неупорядоченных средах (М., Физматлит, 2013) гл.6, с.133
  10. M.M. Parish, P.B. Littlewood. Nature, 426, 162 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.