Вышедшие номера
XXVII Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 13-16 марта 2023 г. Формирование заряженных вакансий в анионной подрешетке AlAs
Переводная версия: 10.61011/SC.2023.04.56417.01k
Шамирзаев Т.С.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: sha_tim@mail.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 18 мая 2023 г.
Принята к печати: 18 мая 2023 г.
Выставление онлайн: 14 июля 2023 г.

Исследована динамика образования вакансий в легированных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми точками, сформированными в анионной подрешетке AlAs. Построена теоретическая модель, описывающая влияние легирования на динамику генерации вакансий. Показано, что при высоких концентрациях дырок генерация положительно заряженных вакансий мышьяка более вероятна, чем генерация нейтральных. При высоких концентрациях электронов формирование нейтральных вакансий мышьяка идет эффективнее, чем положительно заряженных. Экспериментально установлено, что вакансионно-стимулированная высокотемпературная диффузия сурьмы усиливается (подавляется) в p-(n-)-легированных гетероструктурах с квантовыми точками Al(Sb,As)/AlAs. Ключевые слова: заряженные вакансии, квантовые точки, атомная диффузия. DOI: 10.21883/FTP.2023.04.55890.01k