Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
XXVII Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 13-16 марта 2023 г. Формирование заряженных вакансий в анионной подрешетке AlAs
Переводная версия: 10.61011/SC.2023.04.56417.01k 
Шамирзаев Т.С.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: sha_tim@mail.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 18 мая 2023 г.
Принята к печати: 18 мая 2023 г.
Выставление онлайн: 14 июля 2023 г.
Исследована динамика образования вакансий в легированных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми точками, сформированными в анионной подрешетке AlAs. Построена теоретическая модель, описывающая влияние легирования на динамику генерации вакансий. Показано, что при высоких концентрациях дырок генерация положительно заряженных вакансий мышьяка более вероятна, чем генерация нейтральных. При высоких концентрациях электронов формирование нейтральных вакансий мышьяка идет эффективнее, чем положительно заряженных. Экспериментально установлено, что вакансионно-стимулированная высокотемпературная диффузия сурьмы усиливается (подавляется) в p-(n-)-легированных гетероструктурах с квантовыми точками Al(Sb,As)/AlAs. Ключевые слова: заряженные вакансии, квантовые точки, атомная диффузия. DOI: 10.21883/FTP.2023.04.55890.01k
- Richard J.D. Tilley. Defects in solids (John Wiley \& Sons, Ltd, 2008)
- Diffusion Processes in Advanced Technological Materials edited by Devendra Gupta (Springer Verlag, N. Y., 2005)
- B. Tuck. J. Phys. D: Appl. Phys., 18, 557 (1985)
- Shambhu Sharan Kumar Sinha, Subindu Kumar, Mukul Kumar Das. Appl. Phys. A, 125, 774 (2019)
- T.S. Shamirzaev, A.K. Kalagin, A.I. Toropov, A.K. Gutakovskii, K.S. Zhuravlev, Phys. Status Solidi C, 3 (11), 3932 (2006)
- M.Yu. Petrov, I.V. Ignatiev, S.V. Poltavtsev, A. Greilich, A. Bauschulte, D.R. Yakovlev, M. Bayer. Phys. Rev. B, 78, 045315 (2008)
- S.O. Hruszkewycz, S. Maddali, C.P. Anderson, W. Cha, K.C. Miao, M.J. Highland, A. Ulvestad, D.D. Awschalom, F.J. Heremans. Phys. Rev. Mater., 2, 086001 (2018)
- Т.С. Шамирзаев. ФТП, 45, 97 (2011)
- Д.С. Абрамкин, Т.С. Шамирзаев. ФТП, 53, 710 (2019)
- T.S. Shamirzaev, J. Debus, D.S. Abramkin, D. Dunker, D.R. Yakovlev, D.V. Dmitriev, A.K. Gutakovskii, L.S. Braginsky, K.S. Zhuravlev, M. Bayer. Phys. Rev. B, 84, 155318 (2011)
- E.G. Seebauer, M.C. Kratzer. Mater. Sci. Eng. R, 55, 57 (2006)
- В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1969)
- T.S. Shamirzaev, V.V. Atuchin, V.E. Zhilitskiy, A.Y. Gornov. Nanomaterials, 13, 308 (2023)
- C. Freysoldt, B. Grabowski, T. Hickel, J. Neugebauer. Rev. Mod. Phys., 86, 253 (2014)
- J. Gebauer, M. Lausmann, F. Redmann, R. Krause-Rehberg, H.S. Leipner, E.R. Weber, P. Ebert. Phys. Rev. B, 67, 235207 (2003)
- H.S. Djie, O. Gunawan, D.-N. Wang, B.S. Ooi, J.C.M. Hwang. Phys. Rev. B, 73, 155324 (2006)
- J-L. Rouviere, Y. Kim, J. Cunningham, J.A. Rentschler, A. Bourret, A. Ourmazd. Phys. Rev. Lett., 68, 2798 (1992)
- M. Feiginov J. Infrared Millim. Terahertz Waves, 40, 365 (2019)
- Saad Muttlak, Omar Abdulwahid, James Sexton, Michael J. Kelly, M. Missous. IEEE J. Electron Dev. Soc., 6, 254 (2018)
- Y. Alahmadi, W.P. LiKam. Semicond. Sci. Technol., 34, 025010 (2019)
- P. Lever, H.H. Tan, C. Jagadish. J. Appl. Phys., 96, 7544 (2004)
- I. McKerracher, L. Fu, H.H. Tan, C. Jagadish. J. Appl. Phys., 112, 113511 (2012)
- D.T.J. Hurle. J. Appl. Phys., 85, 6957 (1999)
- Т.С. Шамирзаев, А.Л. Соколов, К.С. Журавлев, A.Yu. Kobitski, H.P. Wagner, D.R.T. Zahn. ФТП, 36, 87 (2002)
- J.H. Crawford, jr., L.M. Slifkin (eds). Point defects in solids. In Semiconductors and Molecular Crystals (Plenum Press, N. Y., USA, 1975) v. 2
- A.F. Wright, N.A. Modine. J. Appl. Phys., 120, 215705 (2016)
- G.A. Baraff, M. Schliiter. Phys. Rev. Lett., 55, 1327 (1985)
- W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 54, 2094 (1989)
- M.J. Puska. J. Phys.: Condens. Matter., 1, 7347 (1989)
- M. Grundmann. The Physics of Semiconductors (Springer Verlag, Berlin-Heidelberg, Germany, 2006)
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
- H.A. Tahini, A. Chroneos, S. Murphy, U. Schwingenschlogl, R.W. Grimes. J. Appl. Phys., 114, 063517 (2013)
- B. Ullrich, M. Bhowmick, H. Xi. AIP Advances, 7, 045109 (2017)
- P. Mitev, S. Seshadri, L.J. Guido, D.T. Schaafsma, D.H. Christensen. Appl. Phys. Lett., 73, 3718 (1998)
- M. Bockstedte, M. Schefer. Z. Phys. Chem., 200, 195, (1997)
- O.M. Khreis, W.P. Gillin, K.P. Homewood. Phys. Rev. B, 55, 15813 (1997)
- Д.С. Абрамкин, К.М. Румынин, А.К. Бакаров, Д.А. Колотовкина, А.К. Гутаковский, Т.С. Шамирзаев. Письма ЖЭТФ, 103 (11), 785 (2016)
- T.S. Shamirzaev, D.S. Abramkin, D.V. Dmitriev, A.K. Gutakovskii. Appl. Phys. Lett., 97, 263102 (2010)
- T.S. Shamirzaev, A.M. Gilinsky, A.K. Kalagin, A.I. Toropov, A.K. Gutakovskii, K.S. Zhuravlev. Semicond. Sci. Technol., 21, 527 (2006)
- T.S. Shamirzaev, D.R. Yakovlev, N.E. Kopteva, D. Kudlacik, M.M. Glazov, A.G. Krechetov, A.K. Gutakovskii, M. Bayer. Phys. Rev. B, 106, 075407 (2022)
- T.S. Shamirzaev, D.R. Yakovlev, A.K. Bakarov, N.E. Kopteva, D. Kudlacik, A.K. Gutakovskii, M. Bayer. Phys. Rev. B, 102, 165423 (2020)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
