Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Состояния кремниевых нано-кластеров, содержащих примеси углерода

DOI: 10.21883/FTP.2023.02.55330.3335

Переводная версия: 10.21883/SC.2023.02.55953.3335

Ташметов М.Ю.¹, Махкамов Ш.М.¹, Умарова Ф.Т.¹, Нормуродов А.Б.¹, Сулайманов Н.Т.¹, Хугаев А.В.¹, Холмедов Х.М.²

¹Институт ядерной физики АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан Institute of Nuclear Physics, Uzbek Academy of Sciences, Tashkent, Uzbekistan

²Ташкентский университет информационных технологий им. Мухаммада аль-Хорезмий, Ташкент, Узбекистан Tashkent University of Information Technologies, Tashkent, Uzbekistan

Tashkent University of Information Technologies, Tashkent, Uzbekistan

Email: sulaymon@inp.uz

Поступила в редакцию: 1 марта 2022 г.

В окончательной редакции: 1 июня 2022 г.

Принята к печати: 6 марта 2023 г.

Выставление онлайн: 31 марта 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом нетрадиционной сильной связи в комбинации с методом молекулярной динамики определены структурные и электронные состояния дефектных комплексов в кластере Si₂₉ с участием атомов углерода и водорода. Показано, что в кремниевых кластерах атомы углерода образуют мостиковую связь с двумя атомами кремния и находятся в гексагональном положении в центре ячейки, формируя дефект типа Si₂₉ : C_i. Введение водорода в кремниевый кластер приводит к образованию дефектного комплекса C_i-H-Si и понижению энергии связи дефекта Si₂₉ : C_i. На основе проведенных расчетов выявлено, что углерод дает мелкие уровни в запрещенной зоне нанокремния, а дефектный комплекс углерод-водород в гидрогенизированном кластере, в зависимости от зарядового состояния дефектного комплекса, проявляет как глубокие, так и мелкие уровни. Ключевые слова: МД и НМСС методы, кремниевые нанокластеры, гидрогенизированный кластер, структурные дефекты, ab initio методы, атомы углерода и водорода, пространственная структура, мелкий и глубокий уровни.

М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев. ФТП, 32, 513 (1998)
K.L. Brower. Phys. Rev. B, 9, 2607 (1974)
G.D. Wotkins, K.L. Brower. Phys. Rev. Lett., 36, 1329 (1976)
A. Mattoni, F. Bernardini, L. Colombo. Phys. Rev. B, 66, 195214 (1-6) (2002)
D. Tsuchiya, K. Sueoka, H. Yamamoto. Phys. Status Solidi A, 216, 1 (2019)
А.Я. Нашельский. Производство полупроводниковых материалов (М., Металлургия, 1989) с. 272
В.И. Фистуль. Атомы легирующих примесей в полупроводниках (М., Физматлит, 2004) с. 431
Z.M. Khakimov, P.L. Tereshchuk, N.T. Sulaymonov, F.T. Umarova, M.T. Swihart. Phys. Rev. B, 72, 115335 (2005); M.Yu. Tashmetov, A.B. Normurodov, N.T. Sulaymanov, Sh. Makhkamov, F.T. Umarova, A.V. Khugaev, Kh.M. Kholmedov. J. Nano-Electron. Phys., 10, 0301 (1-6) (2018)
Z.M. Khakimov. Comput. Phys. Commun., 147, 733 (2002)
K. Raghavachari, C.M. Rohlfing. Chem. Phys. Lett., 167, 559 (1990); Run-Ning Zhao, Zi-Chen Lu, Rui Chenaand Ju-Guang Han. Phys. Chem. Chem. Phys., 21, 25302 (2019)
P. Deak, T. Frauenheim, M.R. Pederson (eds). Computer Simulation of Materials at Atomic Level (Berlin, 2000) Chap. 3; T. Frauenheim, G. Seifert, M. Elstner, Z. Hajnal, G. Jungnickel, D. Porezag, S. Suhai, R. Scholz. A Self-Consistent Charge Density-Functional Based Tight-Binding Method for Predictive Materials Simulations in Physics, Chemistry and Biology
Z.M. Khakimov. J. Phys.: Conf. Ser., 29, 177 (2006)
V.P. Markevich, B. Hourahine, R.C. Newman, R. Jones, Mats Kleverman, Lennart Lindstrom, L.I. Murin, M. Suezawa, S. Oberg, P.R. Briddon. // Publication in Lund University research portal /http://www.scientific.net/3-908450-83-7/. 221 (2), 1 (2003)
M.V. Kovalenko, L. Manna, A. Cabot, Z. Hens, D.V. Talapin, C.R. Kagan, V.I. Klimov, A.L. Rogach, P. Reiss, D.J. Milliron, Ph. Guyot-Sionnest, G. Konstantatos, W.J. Parak, T. Hyeon, B.A. Korgel, Ch.B. Murray, W. Heiss. ACS Nano 9, 1012 (2015)
E. Van Lenthe, E.J. Baerends. J. Comp. Chem., 24, 1142 (2003)
А.К. Ширяев. Квантовая механика и квантовая химия (Самара, Самарский ГТУ, 2014)
Л.В. Спивак, Н.Е. Щепина. Физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологии (Пермь, Перм. гос. нац. исслед. ун-т, Электрон. дан. --- 2018) ч. 1, 34,5 Мб; с. 202
D.M. Fleetwood, S.T. Pantelides, R.D. Schrimpf. Defects in Microelectronic Materials and Devices (N.Y., Taylor \& Francis Group, 2009) р. 737
Vl. Kolkovskya, R. Stubnerb, K. Gwozdzc, J. Weber. Physica B, 535, 128 (2018)
Z. Zhou, R.A. Friesner, L. Brus. J. Am. Chem. Soc., 125, 15599 (2003)
Sh. Makhamov, F.T. Umarova, A.B. Normurodov, N.T. Sulaymanov, O.B. Ismailova. Uzbek. Phys. J., 18, 82 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель