Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние давления мышьяка при заращивании квантовых точек InAs тонким низкотемпературным слоем GaAs на их оптические свойства

DOI: 10.21883/FTP.2023.04.55898.13k

Переводная версия: 10.61011/SC.2023.04.56425.13k

Российский научный фонд, Президентская программа исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, 22−79-10251

Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики, Зеркальные лаборатории

Балакирев С.В.

¹, Кириченко Д.В.¹, Комаров С.Д.², Драгунова А.С.², Черненко Н.Е.¹, Шандыба Н.А.¹, Крыжановская Н.В.², Жуков А.Е.², Солодовник М.С.

¹Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Таганрог, Россия Institute of Nanotechnologies, Electronics and Equipment Engineering, Southern Federal University, Taganrog, Russia

Institute of Nanotechnologies, Electronics and Equipment Engineering, Southern Federal University, Taganrog, Russia

²Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники, Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия International Laboratory of Quantum Optoelectronics, National Research University Higher School of Economics, St. Petersburg, Russia

International Laboratory of Quantum Optoelectronics, National Research University Higher School of Economics, St. Petersburg, Russia

Email: sbalakirev@sfedu.ru, solodovnikms@sfedu.ru

Поступила в редакцию: 5 мая 2023 г.

В окончательной редакции: 18 мая 2023 г.

Принята к печати: 18 мая 2023 г.

Выставление онлайн: 14 июля 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты экспериментальных исследований заращивания квантовых точек InAs низкотемпературным слоем GaAs при различных давлениях паров мышьяка. Обнаружено, что трехкратное уменьшение давления мышьяка при фиксированной скорости осаждения покровного слоя приводит к смене формы спектра фотолюминесценции квантовых точек с одним максимумом на уровне 1.19 эВ на форму спектра с двумя низкоэнергетическими вкладами на уровнях 1.08 и 1.15 эВ. На основе анализа мощностных зависимостей спектров фотолюминесценции установлено, что низкоэнергетические вклады фотолюминесценции квантовых точек, зарощенных при низком давлении мышьяка, соответствуют излучению основных состояний двух групп квантовых точек с различным средним размером, сформированных в процессе массопереноса в системе "квантовая точка-смачивающий слой-матрица". Ключевые слова: квантовые точки, InAs/GaAs, механизм Странского-Крастанова, молекулярно-лучевая эпитаксия, давление мышьяка. DOI: 10.21883/FTP.2023.04.55898.13k

J. Johansen, S. Stobbe, I.S. Nikolaev, T. Lund-Hansen, P.T. Kristensen, J.M. Hvam, W.L. Vos, P. Lodahl. Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys., 77, 1 (2008)
S.Y. Li, L. He. Front. Phys., 17 (3), 33201 (2022)
E.I. Moiseev, N.V. Kryzhanovskaya, F.I. Zubov, M.S. Mikhailovskii, A.N. Abramov, M.V. Maximov, M.M. Kulagina, Y.A. Guseva, D.A. Livshits, A.E. Zhukov. Semiconductors, 53, 1888 (2019)
A. Stintz, G.T. Liu, H. Li, L.F. Lester, K.J. Malloy. IEEE Phot. Techn. Lett., 12, 591 (2000)
W.-S. Liu, H. Chang, Y.-S. Liu, J.-I. Chyi. J. Appl. Phys., 99, 114514 (2006)
N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, N.A. Maleev, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, E.S. Semenova, M.V. Maximov, Y.M. Shernyakov, N.V. Kryzhanovskaya, V.M. Ustinov, D. Bimberg. Electron. Lett., 39, 1126 (2003)
S. Okumura, K. Fujisawa, T. Naruke, K. Nishi, Y. Onishi, K. Takemasa, M. Sugawara, M. Sugiyama. Jpn. J. Appl. Phys., 61, 085503 (2022)
Y. Arakawa, M.J. Holmes. Appl. Phys. Rev., 7, 021309 (2020)
Q. Gong, P. Offermans, R. Notzel, P.M. Koenraad, J.H. Wolter. Appl. Phys. Lett., 85, 5697 (2004)
J.M. Garci a, G. Medeiros-Ribeiro, K. Schmidt, T. Ngo, J.L. Feng, A. Lorke, J. Kotthaus, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 71, 2014 (1997)
A.D. Utrilla, D.F. Grossi, D.F. Reyes, A. Gonzalo, V. Braza, T. Ben, D. Gonzalez, A. Guzman, A. Hierro, P.M. Koenraad, J.M. Ulloa. Appl. Surf. Sci., 444, 260 (2018)
G.D. Lian, J. Yuan, L.M. Brown, G.H. Kim, D.A. Ritchie. Appl. Phys. Lett., 73, 49 (1998)
F. Ferdos, S. Wang, Y. Wei, A. Larsson, M. Sadeghi, Q. Zhao. Appl. Phys. Lett., 81, 1195 (2002)
K. Jacobi. Progr. Surf. Sci., 71, 185 (2003)
M. Missous. Microelectronics J., 27, 393 (1996)
L. Brusaferri, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, A. Bignazzi, F. Bogani, L. Carraresi, M. Colocci, A. Bosacchi, P. Frigeri, S. Franchi. Appl. Phys. Lett., 69, 3354 (1996)
L. Chu, M. Arzberger, G. Bohm, G. Abstreiter. J. Appl. Phys., 85, 2355 (1999)
R. Songmuang, S. Kiravittaya, O.G. Schmidt. J. Cryst. Growth, 249, 416 (2003)
L.S. Lunin, S.N. Chebotarev, A.S. Pashchenko, S.A. Dudnikov. J. Surf. Investig. X-ray, Synchrotron Neutron Techn., 7, 36 (2013)
E.C. Le Ru, J. Fack, R. Murray. Phys. Rev. B, 67, 245318 (2003)
P.P. Paskov, P.O. Holtz, B. Monemar, J.M. Garcia, W.V. Schoenfeld, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 77, 812 (2000)
X. Hu, Y. Zhang, D. Guzun, M.E. Ware, Y.I. Mazur, C. Lienau, G.J. Salamo. Sci. Rep., 10, 10930 (2020)
R. Songmuang, S. Kiravittaya, M. Sawadsaringkarn, S. Panyakkeow, O.G. Schmidt. J. Cryst. Growth, 251, 166 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель