Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование p-i-n-фотодетектора с поглощающей средой на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек

DOI: 10.21883/FTP.2023.03.55634.4727

НИУ ВШЭ, Программа фундаментальных исследований

Университет ИТМО, Приоритет 2030

Крыжановская Н.В.

¹, Блохин С.А.

^2,1, Махов И.С.

¹, Моисеев Э.И.

¹, Надточий А.М.

¹, Фоминых Н.А.

¹, Минтаиров С.А.², Калюжный Н.А.², Гусева Ю.А.², Кулагина М.М.², Зубов Ф.И.^3,1, Колодезный Е.С.

⁴, Максимов М.В.

^3,1, Жуков А.Е.

¹Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия High School of Economics, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

⁴Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

Email: blokh@mail.iioffe.ru, imahov@hse.ru, emoiseev@hse.ru, al.nadtochy@mail.ioffe.ru, fominy-nikita@yandex.ru, evgenii_kolodeznyi@itmo.ru, maximov.mikh@gmail.com, zhukale@gmail.com

Поступила в редакцию: 21 марта 2023 г.

В окончательной редакции: 23 марта 2023 г.

Принята к печати: 20 апреля 2023 г.

Выставление онлайн: 23 мая 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы статические и динамические характеристики волноводных фотодетекторов c поглощающей областью на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек при комнатной температуре. Спектральная полоса поглощения InGaAs/GaAs квантовых яма-точек лежит в диапазоне от 900 до 1100 нм. Фотодетектороы полосковой формы имеют ширину 50 мкм и длину поглощающей области от 92 до 400 мкм. Получено низкое значение плотности темнового тока (1.1 и 22 мкА/см² при -1 и -20 В соответственно) и предельное быстродействие 5.6 ГГц, ограниченное постоянной времени паразитной эквивалентной электрической RC-цепочки. Ключевые слова:волноводный фотодетектор, частота модуляции, квантовые яма-точки, интегральная фотоника.

J.E. Bowers, C.A. Burrus. Electron. Lett., 22, 905 (1986)
H. Wang, J. Zhang, G. Zhang, Y. Chen, Y.-C. Huang, X. Gong. Optics Lett., 46, 2099 (2021)
L. Vivien, A. Polzer, D. Marris-Morini, J. Osmond, J.M. Hartmann, P. Crozat, E. Cassan, C. Kopp, H. Zimmermann, J.M. Fedeli. Opt. Express, 20, 1096 (2012)
K. Kato, A. Kozen, Y. Muramoto, Y. Itaya, T. Nagatsuma, M. Yaita. IEEE Phot. Techn. Lett., 6, 719 (1994)
Y. Wan, Z. Zhang, R. Chao, J. Norman, D. Jung, C. Shang, Q. Li, M. Kennedy, D. Liang, C. Zhang, J. Shi, A.C. Gossard, K.M. Lau, J.E. Bowers. Opt. Express, 25, 27715 (2017)
A. Beling, A.S. Cross, M. Piels, J. Peters, Q. Zhou, J.E. Bowers, J.C. Campbell. Opt. Express, 21, 25901 (2013)
Y. Wan, C. Shang, J. Huang, Z. Xie, A. Jain, J. Norman, B. Chen, A.C. Gossard, J.E. Bowers. ACS Nano, 14, 3519 (2020)
N.Yu. Gordeev, M.V. Maximov, A.S. Payusov, A.A. Serin, Yu.M. Shernyakov, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, A.M. Nadtochiy, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Techn., 36, 015008 (2021)
A.M. Nadtochiy, N.Yu. Gordeev, A.A. Kharchenko, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, Y.S. Berdnikov, Y.M. Shernyakov, M.V. Maximov, A.E. Zhukov. J. Lightwave Technol., 39, 7479, (2021).
N.V. Kryzhanovskaya, F.I. Zubov, E.I. Moiseev, A.S. Dragunova, K.A. Ivanov, M.V. Maximov, N.A. Kaluzhnyy, S.A. Mintairov, S.V. Mikushev, M.M. Kulagina, J.A. Guseva, A.I. Likhachev, A.E. Zhukov. Las. Phys. Lett., 19, 016201 (2022)
A.M. Nadtochiy, M.V. Maximov, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, V.N. Nevedomskiy, S.S. Rouvimov, A.E. Zhukov. Phys. Status Solidi B, 255, 1800123 (2018)
A. Zhukov, S. Blokhin, N. Maleev, N. Kryzhanovskaya, E. Moiseev, A. Nadtochiy, S. Mintairov, N. Kalyuzhnyy, F. Zubov, M. Maximov. Opt. Express, 29 (25), 40677 (2021)
D. Inoue, Y. Wan, D. Jung, J. Norman, C. Shang, N. Nishiyama, S. Arai, A.C. Gossard, J.E. Bowers. Appl. Phys. Lett., 113, 093506 (2018)
J. Huang, Y. Wan, D. Jung, J. Norman, C. Shang, Q. Li, K.M. Lau, A.C. Gossard, J.E. Bowers, B. Chen. ACS Photonics, 6, 1100 (2019)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель