Вышедшие номера
Геттерирование эпитаксиального арсенида индия редкоземельным элементом гольмием
Куницына Е.В. 1, Пархоменко Я.А.1, Пивоварова А.А. 1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: kunits@iropt9.ioffe.ru, yana_parkhom@rambler.ru, Pivovarova.antonina@iropto.ioffe.ru, yakovlev.iropto@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 20 декабря 2022 г.
В окончательной редакции: 15 февраля 2023 г.
Принята к печати: 20 февраля 2023 г.
Выставление онлайн: 31 марта 2023 г.

Приведены результаты исследования гальваномагнитных свойств арсенида индия, выращенного методом жидкофазной эпитаксии. Показано, что получение эпитаксиальных слоев InAs при использовании редкоземельного элемента Ho позволяет снизить концентрацию электронов на 2 порядка до n=2.1·1015 см-3 при T=77 K за счет геттерирования мелких фоновых примесей путем образования их соединений в растворе-расплаве. При увеличении содержания гольмия в жидкой фазе более 0.12 мол% концентрация носителей тока в материале начинает возрастать, при этом наблюдается снижение подвижности, что предположительно связано с влиянием донорных центров VAs-Ho. Данный способ геттерирования перспективен для получения материалов AIIIBV с низкой концентрацией носителей тока, востребованных в оптоэлектронной промышленности. Ключевые слова: арсенид индия, редкоземельные элементы, коэффициент Холла, концентрация носителей тока, подвижность носителей тока.