Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Геттерирование эпитаксиального арсенида индия редкоземельным элементом гольмием

DOI: 10.21883/FTP.2023.02.55327.4503

Переводная версия: 10.21883/SC.2023.02.55950.4503

Куницына Е.В.

¹, Пархоменко Я.А.¹, Пивоварова А.А. ¹, Яковлев Ю.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: kunits@iropt9.ioffe.ru, yana_parkhom@rambler.ru, Pivovarova.antonina@iropto.ioffe.ru, yakovlev.iropto@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 20 декабря 2022 г.

В окончательной редакции: 15 февраля 2023 г.

Принята к печати: 20 февраля 2023 г.

Выставление онлайн: 31 марта 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты исследования гальваномагнитных свойств арсенида индия, выращенного методом жидкофазной эпитаксии. Показано, что получение эпитаксиальных слоев InAs при использовании редкоземельного элемента Ho позволяет снизить концентрацию электронов на 2 порядка до n=2.1·10¹⁵ см^-3 при T=77 K за счет геттерирования мелких фоновых примесей путем образования их соединений в растворе-расплаве. При увеличении содержания гольмия в жидкой фазе более 0.12 мол% концентрация носителей тока в материале начинает возрастать, при этом наблюдается снижение подвижности, что предположительно связано с влиянием донорных центров V_As-Ho. Данный способ геттерирования перспективен для получения материалов A^IIIB^V с низкой концентрацией носителей тока, востребованных в оптоэлектронной промышленности. Ключевые слова: арсенид индия, редкоземельные элементы, коэффициент Холла, концентрация носителей тока, подвижность носителей тока.

J. Kwoen, T. Imoto, Y. Arakawa. Opt. Express, 29 (18), 29378 (2021)
A. Baranov, R. Teissier. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 21 (6), 1200612 (2015)
Б.А. Матвеев, Г.Ю. Сотникова. Опт. и спектр., 127 (2), 300 (2019)
В.В. Романов, Э.В. Иванов, А.А. Пивоварова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 54 (2), 202 (2020)
A.A. Klimov, R.E. Kunkov, A.A. Lavrov, N.M. Lebedeva, T.C. Lukhmyrina, B.A. Matveev, M.A. Remennyi. J. Phys.: Conf. Ser., 1851 (1), 012019 (2021)
S. Woo, G. Ryu, S.S. Kang, T.S. Kim, N. Hong, J.H. Han, R.J. Chu, I.H. Lee, D. Jung, W.J. Choi. ACS Appl. Mater. Interfaces, 13 (46), 55648 (2021)
Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, М.А. Сиповская, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33 (7), 781 (1999)
А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, А.А. Гореленок, Т.С. Лагунова, А.М. Литвак, М.А. Сиповская, С.П. Старосельцева, В.А. Тихомирова, В.В. Шерстнев. ФТП, 26, 1612 (1992)
А.Т. Гореленок, А.В. Каманин, Н.М. Шмидт. ФТП, 37 (8), 922 (2003)
E.P. Domaslievskaya, P.V. Seredin, A.V. Glotov. Phys. Status Solidi C, 7, 1694 (2009)
М.Н. Япрынцев, Р.А. Любушкин, О.Н. Соклакова, О.Н. Иванов. ФТП, 51 (6), 744 (2017)
А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 27 (3), 421 (1993)
Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 33 (8), 1010 (1999)
А.И. Ансельм, В.И. Клячкин. ЖЭТФ, 22 (3), 297 (1952)
L.R. Weisberg. J. Appl. Phys., 33 (5), 1817 (1962).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель