"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Диоды Шоттки графит/p-SiC, полученные методом переноса нарисованной пленки графита на SiC
Переводная версия: 10.1134/S1063782618020185
Солован М.Н.1, Андрущак Г.О.1, Мостовой А.И.1,2, Ковалюк Т.Т.1, Брус В.В.3, Марьянчук П.Д.1
1Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
2Department of Chemical Physics, Lund University, Box 124, Lund, Sweden
3Institute for Silicon Photovoltaics, Helmholtz-Zentrum Berlin, Berlin, Germany
Email: m.solovan@chnu.edu.ua
Поступила в редакцию: 4 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.

Изготовлены диоды Шоттки графит/p-SiC методом переноса нарисованной пленки графита на подложку монокристаллического p-SiC. Измерены вольт-амперные (при различных температурах) и вольт-фарадные характеристики. Исследованы температурные зависимости высоты потенциального барьера и последовательного сопротивления диода Шоттки графит/p-SiC. Определены доминирующие механизмы токопереноса через гетеропереход при прямом и обратном смещениях. Установлено, что основными механизмами токопереноса через диод Шоттки графит/p-SiC при прямых смещениях являются многоступенчатый туннельно-рекомбинационный механизм и туннелирование, которое описывается формулой Ньюмена (при больших смещениях). При обратных смещениях --- эмиссия Френкеля--Пулла и туннельный механизм токопереноса. Показано, что диод Шоттки графит/p-SiC можно использовать в качестве детекторов ультрафиолетового излучения, поскольку он имеет напряжение холостого хода Voc=1.84 В и ток короткого замыкания Isc=2.9 мА/см2 при освещении ртутно-кварцевой лампой ДРЛ 250-3, которая находилась на расстоянии 3 см от образца. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45451.8603
  1. E. Rollings, G.-H. Gweon, S.Y. Zhou, B.S. Mun, J.L. Mc Chesney, B.S. Hussain, A.V. Fedorov, P.N. First, W.A. de Heer, A. Lanzara. J. Phys. Chem. Sol., 67, 2172 (2006)
  2. S. Tongay, T. Schumann, X. Miao, B.R. Appleton, A.F. Hebard. Carbon, 49, 2033 (2011)
  3. С.В. Морозов, К.С. Новоселов, А.К. Гейм. УФН, 178, 776 (2008)
  4. R.T. Tung. Mater. Sci. Engin. B, 35, 1 (2001)
  5. S. Tongay, T. Schumann, A.F. Hebard. Appl. Phys. Lett., 95, 222103 (2009)
  6. A.L. Barry, B. Lehman, D. Fritsch, D. Brauning. IEEE Trans. Nucl. Sci., 38, 1111 (1991)
  7. M. Bhatnagar, P.K. Mc Larty, B.J. Baliga. IEEE Electron Dev. Lett., 13 (10), 501 (1992)
  8. V.V. Brus, P.D. Maryanchuk. Carbon, 78, 613 (2014)
  9. S. Niyogi, E. Bekyarova, M.E. Itkis, J.L. Mc Williams, M.A. Hamon, R.C. Haddon. J. Am. Chem. Soc., 128 (24), 7720 (2006)
  10. В.В. Брус, М.И. Илащук, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий, Б.Н. Грицюк. ФТП, 45, 1109 (2011)
  11. М.Н. Солован, П.Д. Марьянчук, В.В. Брус, О.А. Парфенюк. Неорг. матер., 48, 1154 (2012)
  12. V.V. Brus, A.K. Kyaw, P.D. Maryanchuk, J. Zhang. Photovolt.: Res. Appl., 23, 1526 (2015)
  13. Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979) [Пер. с англ.: B.L. Sharma, R.K. Purohit. Semiconductor heterojunctions (Pergamon Press, 1974)]
  14. А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы: Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987) [Пер. с англ.: A.L. Fahrenbruch, R.H. Bube. Fundamentals of solar cells. Photovoltaic solar energy conversion (N.Y., 1983)]
  15. S.M. Sze, K.Ng. Kwok. Physics of Semiconductor devices (New Jersey, Wiley, 2007)
  16. A.G. Milnes, D.L. Feucht. Metal-semiconductor Junctions (Academic Press, N. Y., 1972)
  17. M.N. Solovan, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk. Semicond. Sci. Techn. 30, art. no. 075006 (2015)
  18. A.R. Riben, D.L. Feucht. Sol. St. Electron., 9 (1055), 17 (1966)
  19. A.R. Riben, D.L. Feucht. Int. J. Electron., 20, 583 (1966)
  20. М.Н. Солован, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук. ФТП, 48, 232 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.