Вышедшие номера
Гальванические и емкостные эффекты при компенсации проводимости n-SiC радиационными дефектами
Переводная версия: 10.1134/S1063782618120138
Козловский В.В. 1, Лебедев А.А.2,3, Давыдовская К.С.2, Любимова Ю.В.4
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: kozlovski@physics.spbstu.ru, Shura.Lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

Проведено исследование JBS диодов на основе 4H-SiC, облученных электронами и протонами. Исследования проводились методами вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик. Сделан вывод, что при обоих типах облучения происходит образование глубоких центров в верхней половине запрещенной зоны карбида кремния. Это приводит к резкому уменьшению концентрации ионизованных носителей заряда в зоне проводимости и экспоненциальному росту сопротивления базовых областей исследованных структур.