Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2018, выпуск 6 » Статья стр. 664
<<<>>>
Лазерно-индуцированная модификация поверхности тонких пленок Ge2Sb2Te5: фазовые изменения и формирование периодических структур
DOI: 10.21883/FTP.2018.06.45933.8757
Переводная версия: 10.1134/S1063782618060246
Президиум РАН, Актуальные проблемы фотоники. зондирование неоднородных материалов, 07
Минобрнауки РФ, Государственная финансовая поддержка ведущих университетов РФ, 074-U01
РФФИ, 17-03-00450
Минобрнауки РФ, 3.6924.2017/ИТР
Яковлев С.А.1, Анкудинов А.В.1,2, Воробьев Ю.В. 3, Воронов М.М.1, Козюхин С.А.4, Мелех Б.Т.1, Певцов А.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
4Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
Email: vorobjov.y.v@rsreu.ru, pevtsov@gvg.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 31 октября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.
PDF версия
На поверхности пленочных материалов с фазовой памятью на основе сложного халькогенида (Ge2Sb2Te5) под действием лазерных импульсов наносекундной длительности сформированы субмикронные периодические решетки. Геометрические характеристики и структурные свойства лазерно-индуцированных решеток исследованы с помощью оптической и атомно-силовой микроскопии, а также рамановской спектроскопии. Показано, что при специально подобранных параметрах лазерного воздействия в созданных структурах можно реализовать периодическую модуляцию показателя преломления, обусловленную застыванием после лазерного воздействия гребней и впадин решеток в разных фазовых состояниях, диэлектрические константы которых сильно отличаются друг от друга. Вблизи максимумов волнообразной структуры формируется преимущественно аморфное состояние, в то время как в области минимумов структура Ge2Sb2Te5 в основном соответствует кристаллической фазе.
  1. Phase-Change Materials: Science and Applications, ed. by S. Raoux, M. Wuttig (Springer Science \& Business Media, 2010)
  2. G.W. Burr, M.J. Breitwisch, M. Franceschini, D. Garetto, K. Gopalakrishnan, B. Jackson, B. Kurdi, C. Lam, L.A. Lastras, A. Padilla, B. Rajendran, S. Raoux, R.S. Shenoy. J. Vac. Sci. Technol. B, 28, 223 (2010)
  3. B.C. Lee, P. Zhou, J. Yang, Y. Zhang, B. Zhao, E. Ipek, O. Mutlu, D. Burger. IEEE Micro, 30, 143 (2010)
  4. N. Yamada, E. Ohno, K. Nishiuchi, N. Akahira, M. Takao. J. Appl. Phys., 69, 2849 (1991)
  5. Y. Liu, M.M. Aziz, A. Shalini, C.D. Wright, R.J. Hicken. J. Appl. Phys., 112, 123526 (2012)
  6. X. Sun, M. Ehrhardt, A. Lotnyk, P. Lorenz, E. Thelander, J.W. Gerlach, T. Smausz, U. Decker, B. Rauschenbach. Sci. Rep., 6, 28246 (2016)
  7. W.P. Zhou, F.R. Liu, N. Bai, Y.H. Wan, X. Lin, J.M. Chen. Appl. Surf. Sci., 285, 97 (2013)
  8. D.C. Emmony, R.P. Howson, L.J. Willis. Appl. Phys. Lett., 23, 598 (1973)
  9. J.F. Young, J.S. Preston, H.M. van Driel, J.E. Sipe. Phys. Rev. B, 27, 1155 (1983)
  10. С.А. Ахманов, В.И. Емельянов, Н.И. Воротеев, В.Н. Семиногов. УФН, 147, 675 (1985)
  11. Y. Katsumata, T. Morita, Y. Morimoto, T. Shintani, T. Saiki. Appl. Phys. Lett., 105, 031907 (2014)
  12. R. Drevinskas, M. Beresna, M. Gecevivcius, M. Khenkin, A.G. Kazanskii, I. Matulaitiene, G. Niaura, O.I. Konkov, E.I. Terukov, Y.P. Svirko, P.G. Kazansky. Appl. Phys. Lett., 106, 171106 (2015)
  13. A. Karvounis, B. Gholipour, K.F. MacDonald, N.I. Zheludev. Appl. Phys. Lett., 109, 051103 (2016)
  14. M. Wuttig, H. Bhaskaranand, T. Taubner. Nature Photonics, 11, 465 (2017)
  15. С.А. Яковлев, А.Б. Певцов, П.В. Фомин, Б.Т. Мелех, Е.Ю. Трофимова, Д.А. Курдюков, В.Г. Голубев. Письма ЖТФ, 38, 78 (2012)
  16. S. Kozyukhin, Y. Vorobyov, A. Sherchenkov, A. Babich, N. Vishnyakov, O. Boytsova. Phys. Staus Solidi A, 213, 1831 (2016)
  17. A.B. Pevtsov, A.N. Poddubny, S.A. Yakovlev, D.A. Kurdyukov, V.G. Golubev. J. Appl. Phys., 113, 144311 (2013)
  18. M.K. El-Adawi, M.A. Abdel-Naby, S.A. Shalaby. Int. J. Heat Mass Transf., 38, 947 (1995)
  19. K.D. Cole, J.V. Beck, A. Haji-Sheikh, B. Litkouhi. Heat conduction using Green's functions, 2nd edn (N.Y., CRC Press, 2011)
  20. J.H. Bechtel. J. Appl. Phys., 46, 1585 (1975)
  21. S.A. Dyakov, N.A. Gippius, M.M. Voronov, S.A. Yakovlev, A.B. Pevtsov, I.A. Akimov, S.G. Tikhodeev. Phys. Rev. B, 96, 045426 (2017)
  22. W.K. Njoroge, H.-W. Woltgens, M. Wuttig. J. Vac. Sci. Technol. A, 20, 230 (2002)
  23. J.-L. Battaglia, A. Kusiak, V. Schick, A. Cappella, C. Wiemer, M. Longo, E. Varesi. J. Appl. Phys., 107, 44314 (2010)
  24. H.-K. Lyeo, D.G. Cahill, B.-S. Lee, J.R. Abelson, M.-H. Kwon, K.-B. Kim, S.G. Bishop, B.-k. Cheong. Appl. Phys. Lett., 89, 151904 (2006)
  25. Handbook of chemistry and physics, 90th edn, ed. by D.R. Lide (CRC Press, 2009)
  26. K.S. Andrikopoulos, S.N. Yannopoulos, A.V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga. J. Phys. Chem. Solids, 68, 1074 (2007)
  27. R. De Bastiani, A.M. Piro, M.G. Grimaldi, E. Rimini, G.A. Baratta, G. Strazzulla. Appl. Phys. Lett., 92, 241925 (2008)
  28. V. Kolobov, P. Fons, A.I. Frenkel, A.L. Ankudinov, J. Tominaga, T. Uruga. Nature Materials, 3, 703 (2004)
  29. P. Nvemec, A. Moreac, V. Nazabal, M. Pavlivsta, J. Pvrikryl, M. Frumar. J. Appl. Phys., 106, 103509 (2009)
  30. K.S. Andrikopoulos, S.N. Yannopoulos, G.A. Voyiatzis, A.V. Kolobov, M. Ribes, J. Tominaga. J. Phys. Condens. Matter, 18, 965 (2006)
  31. A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, E.V. Gorshkova. J. Optoelectron. Adv. Mater., 11, 26 (2009)
  32. J.A. Kalb, F. Spaepen, M. Wuttig. J. Appl. Phys., 94, 4908 (2003)
  33. K. Ohara, L. Temleitner, K. Sugimoto, S. Kohara, T. Matsunaga, L. Pusztai, M. Itou, H. Ohsumi, R. Kojima, N. Yamada, T. Usuki, A. Fujiwara, M. Takata. Adv. Funct. Mater., 22, 2251 (2012)
  34. M.M. Voronov, A.B. Pevtsov, S.A. Yakovlev, D.A. Kurdyukov, V.G. Golubev. Phys. Rev. B, 89, 045302 (2014)
  35. A. Hessel, A.A. Oliner. Appl. Optics, 4, 1275 (1965).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme