Вышедшие номера
Лазерно-индуцированная модификация поверхности тонких пленок Ge2Sb2Te5: фазовые изменения и формирование периодических структур
Переводная версия: 10.1134/S1063782618060246
Президиум РАН, Актуальные проблемы фотоники. зондирование неоднородных материалов, 07
Минобрнауки РФ, Государственная финансовая поддержка ведущих университетов РФ, 074-U01
РФФИ, 17-03-00450
Минобрнауки РФ, 3.6924.2017/ИТР
Яковлев С.А.1, Анкудинов А.В.1,2, Воробьев Ю.В. 3, Воронов М.М.1, Козюхин С.А.4, Мелех Б.Т.1, Певцов А.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
4Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
Email: vorobjov.y.v@rsreu.ru, pevtsov@gvg.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 31 октября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.

На поверхности пленочных материалов с фазовой памятью на основе сложного халькогенида (Ge2Sb2Te5) под действием лазерных импульсов наносекундной длительности сформированы субмикронные периодические решетки. Геометрические характеристики и структурные свойства лазерно-индуцированных решеток исследованы с помощью оптической и атомно-силовой микроскопии, а также рамановской спектроскопии. Показано, что при специально подобранных параметрах лазерного воздействия в созданных структурах можно реализовать периодическую модуляцию показателя преломления, обусловленную застыванием после лазерного воздействия гребней и впадин решеток в разных фазовых состояниях, диэлектрические константы которых сильно отличаются друг от друга. Вблизи максимумов волнообразной структуры формируется преимущественно аморфное состояние, в то время как в области минимумов структура Ge2Sb2Te5 в основном соответствует кристаллической фазе.