"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние химической подготовки поверхности кремния на качество и структуру эпитаксиальных пленок карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов
Переводная версия: 10.1134/S1063782618060118
Кукушкин С.А. 1,2,3, Калинкин И.П.4, Осипов А.В.1,2
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmai.com, sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 31 октября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.

Описаны технологические основы нового способа очистки и пассивирования гидридными группами поверхности пластин кремния (Si) ориентаций (111), (110) и (100), позволяющего обеспечить высокую чистоту и гладкость поверхности на наноуровне при длительном хранении пластин при комнатной температуре на воздухе. Для создания длительной защиты поверхности Si от окисления был разработан новый состав пассивирующего раствора. Предлагаемый раствор пригоден для длительного хранения и многократного пассивирования пластин кремния. Приводится описание состава пассивирующего раствора и условий пассивирования в нем пластин Si. На подготовленных данным способом пластинах Si можно выращивать эпитаксиальные полупроводниковые пленки и различные наноструктуры. Показано, что лишь на подготовленных данным способом поверхностях Si можно выращивать эпитаксиальные пленки SiC на Si методом замещения атомов. Приводятся экспериментальные данные по зависимости структуры пленок SiC и GaN, выращенных на Si, от условий травления поверхности Si. Разработанный способ очистки и пассивирования Si пригоден как для работы в лабораторных условиях, так и может быть легко масштабирован для промышленного производства пластин Si с защитным от окисления покрытием поверхности.
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ, 50 (7), 1188 (2008)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ДАН, 444 (3), 266 (2012)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys., 113 (2), 4909 (2013)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 313001 (2014)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 56, 1457 (2014)
  • T.S. Perova, J. Wasyluk, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, N.A. Feoktistov, S.A. Grudinkin. Nanoscale Res. Lett., 5 (9), 1507 (2010)
  • Л.М. Сорокин, Н.В. Веселов, М.П. Щеглов, А.Е. Калмыков, А.А. Ситникова, Н.А. Феоктистов, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин. Письма ЖТФ, 34 (19), 46 (2008)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, М.М. Рожавская, А.В. Мясоедов, С.И. Трошков, В.В. Лундин, Л.М. Сорокин, А.Ф. Цацульников. ФТТ, 57 (9), 1850 (2014)
  • V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, A.V. Zubkova, A.V. Osipov, T.A. Orlova, S.N. Rodin, S.A. Kukushkin. Mater. Phys. Mech., 21, 266 (2014)
  • Нandbook of Semiconductor Wafer Cleaning Technology ( Science, Technology, and Applications), ed. by W. Kern (Noyes Publications, New Jersey, USA, 1993)
  • Ю.Г. Полтавцев, А.С. Князев. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике (Киев, Техника, 1990)
  • W. Kern. J. Electrochem. Soc., 137 (6), 1887 (1990)
  • W. Kern, D. Puotinen. RCA Rev,. 31, 187 (1970)
  • W. Kern. RCA Rev., 31, 207 (1970)
  • E.A. Braun. Semiconductor International, 22 (12), 64 (1999)
  • M. Grudner. Solid State Techn., 34 (2) 69 (1991)
  • S. Kawado, T. Tanigaki, T. Maruyama. Semiconductor Silicon 1986, Proc. Fifth Intern. Symp. on Silicon Mater. Sci. Technol., ed by H.R. Huff, T. Abe, and B. Kolbesen (Electrochem. Soc., Pennington, N. Y., 1986) p. 989
  • T. Ohmi, M. Miyashita, M. Itano, T. Imaoka, I. Kawanabe. IEEE Trans. Electron Dev., 39 (3) 537 (1992)
  • G.W. Trucks, K. Raghavachari, G.S. Higashi, Y.J. Chabal. Phys. Rev. Lett., 65 (4), 504 (1990)
  • P. Dumas, Y.J. Chabal, P. Jacob. Surf. Sci., 269/270, 867 (1992)
  • И.П. Калинкин, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Патент РФ N 2323503, заявка 05.06.2006, публ. 27.04.2008
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.