"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge
Переводная версия: 10.1134/S1063782618060064
Министерство образования и науки РФ , государственное задание , 16.7443.2017/БЧ
Иванова М.М.1,2, Качемцев А.Н. 1, Михайлов А.Н. 2, Филатов Д.О. 2, Горшков А.П. 2, Волкова Н.С. 2, Чалков В.Ю. 2, Шенгуров В.Г. 2
1Федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: shengurov@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 20 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.

Приведены результаты сравнительного исследования влияния импульсного gamma-нейтронного облучения на спектры фоточувствительности Si p-n-фотодиодов с активной областью на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi и эпитаксиальных слоев Ge. Установлено, что облучение фотодиодов с наноостровками GeSi не приводит к деградации фоточувствительности в спектральной области межзонного оптического поглощения в наноостровках (диапазон длин волн 1.1-1.7 мкм). В то же время обнаружено монотонное ослабление собственной фоточувствительности Si, а также фоточувствительности фотодиодов на базе эпитаксиальных слоев Ge с ростом дозы облучения, связанное с накоплением радиационных дефектов в матрице Si и в глубине эпитаксиальных слоев Ge соответственно.
  1. R. Leon, G.M. Swift, B. Magness, W.A. Taylor, Y.S. Tang, K.L. Wang, P. Dowd, Z.-Y. Zhang. Appl. Phys. Lett., 76, 2074 (2000)
  2. M.B. Huang, J. Zhu, S. Oktyabrsky. Nucl. Instrum. Meth. B, 211, 505 (2003)
  3. А.В. Новиков, А.Н. Яблонский, В.В. Платонов, С.В. Оболенский, Д.Н. Лобанов, З.Ф. Красильник. ФТП, 44, 346 (2010)
  4. З.Ф. Красильник, К.Е. Кудрявцев, А.Н. Качемцев, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, С.В. Оболенский, Д.В. Шенгуров. ФТП, 45, 230 (2011)
  5. J. Wang, S. Lee. Sensors, 11, 696 (2011)
  6. В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, С.П. Светлов, Д.В. Шенгуров. Вакуумная техника и технология, 21, 45 (2011)
  7. D.O. Filatov, M.A. Isakov, V.G. Shengurov, M.O. Marychev, A.V. Nezdanov, A.I. Mashin. In: Photoluminescence: Applications, Types and Efficacy, ed. by M.A. Case, B.C. Stout (N. Y., Nova Science, 2012) p. 1
  8. Д.О. Филатов, М.В. Круглова, М.А. Исаков, M.О. Марычев, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов. ФТП, 42, 1116 (2008)
  9. C. Mukherjee, H. Seitz, B. Schroder. Appl. Phys. Lett., 78, 3457 (2001)
  10. В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, Н.А. Алябина, Д.В. Гусейнов, В.Н. Трушин, А.П. Горшков, Н.С. Волкова, М.М. Иванова, А.В. Круглов, Д.О. Филатов. ФТП, 49, 1411 (2015)
  11. Д.О. Филатов, А.П. Горшков, Н.С. Волкова, Д.В. Гусейнов, Н.А. Алябина, М.М. Иванова, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, В.Г. Шенгуров. ФТП, 49, 399 (2015)
  12. G.G. Macfarlane, T.P. McLean, J.E. Quarrington, V. Roberts. J. Phys. Chem. Solids, 8, 388 (1959)
  13. T.S. Moss. J. Elect. Control, 1, 126 (1955)
  14. А.В. Скупов. ФТП, 49, 634 (2015)
  15. Y.C. Chen, J. Singh, P.K. Bhattacharya. J. Appl. Phys., 74, 3800 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.