Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge
Переводная версия: 10.1134/S1063782618060064 
Министерство образования и науки РФ , государственное задание , 16.7443.2017/БЧ
Иванова М.М.1,2, Качемцев А.Н.
1, Михайлов А.Н.
2, Филатов Д.О.
2, Горшков А.П.
2, Волкова Н.С.
2, Чалков В.Ю.
2, Шенгуров В.Г.
2
1Федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия 
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: shengurov@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 20 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.
Приведены результаты сравнительного исследования влияния импульсного gamma-нейтронного облучения на спектры фоточувствительности Si p-n-фотодиодов с активной областью на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi и эпитаксиальных слоев Ge. Установлено, что облучение фотодиодов с наноостровками GeSi не приводит к деградации фоточувствительности в спектральной области межзонного оптического поглощения в наноостровках (диапазон длин волн 1.1-1.7 мкм). В то же время обнаружено монотонное ослабление собственной фоточувствительности Si, а также фоточувствительности фотодиодов на базе эпитаксиальных слоев Ge с ростом дозы облучения, связанное с накоплением радиационных дефектов в матрице Si и в глубине эпитаксиальных слоев Ge соответственно.
- R. Leon, G.M. Swift, B. Magness, W.A. Taylor, Y.S. Tang, K.L. Wang, P. Dowd, Z.-Y. Zhang. Appl. Phys. Lett., 76, 2074 (2000)
- M.B. Huang, J. Zhu, S. Oktyabrsky. Nucl. Instrum. Meth. B, 211, 505 (2003)
- А.В. Новиков, А.Н. Яблонский, В.В. Платонов, С.В. Оболенский, Д.Н. Лобанов, З.Ф. Красильник. ФТП, 44, 346 (2010)
- З.Ф. Красильник, К.Е. Кудрявцев, А.Н. Качемцев, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, С.В. Оболенский, Д.В. Шенгуров. ФТП, 45, 230 (2011)
- J. Wang, S. Lee. Sensors, 11, 696 (2011)
- В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, С.П. Светлов, Д.В. Шенгуров. Вакуумная техника и технология, 21, 45 (2011)
- D.O. Filatov, M.A. Isakov, V.G. Shengurov, M.O. Marychev, A.V. Nezdanov, A.I. Mashin. In: Photoluminescence: Applications, Types and Efficacy, ed. by M.A. Case, B.C. Stout (N. Y., Nova Science, 2012) p. 1
- Д.О. Филатов, М.В. Круглова, М.А. Исаков, M.О. Марычев, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов. ФТП, 42, 1116 (2008)
- C. Mukherjee, H. Seitz, B. Schroder. Appl. Phys. Lett., 78, 3457 (2001)
- В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, Н.А. Алябина, Д.В. Гусейнов, В.Н. Трушин, А.П. Горшков, Н.С. Волкова, М.М. Иванова, А.В. Круглов, Д.О. Филатов. ФТП, 49, 1411 (2015)
- Д.О. Филатов, А.П. Горшков, Н.С. Волкова, Д.В. Гусейнов, Н.А. Алябина, М.М. Иванова, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, В.Г. Шенгуров. ФТП, 49, 399 (2015)
- G.G. Macfarlane, T.P. McLean, J.E. Quarrington, V. Roberts. J. Phys. Chem. Solids, 8, 388 (1959)
- T.S. Moss. J. Elect. Control, 1, 126 (1955)
- А.В. Скупов. ФТП, 49, 634 (2015)
- Y.C. Chen, J. Singh, P.K. Bhattacharya. J. Appl. Phys., 74, 3800 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
