"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN
Переводная версия: 10.1134/S1063782618060143
Малин Т.В.1, Милахин Д.С.1, Мансуров В.Г.1, Галицын Ю.Г.1, Кожухов А.С.1, Ратников В.В.2, Смирнов А.Н.2, Давыдов В.Ю.2, Журавлeв К.С.1,3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: mal-tv@ispnsc.ru
Поступила в редакцию: 4 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.

Изучено влияние атомарного алюминия, нанесенного на подложку сапфира, нитридизованную в разной степени, на качество слоев AlN, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии. Нитридизация сапфира с формированием на его поверхности ~1 монослоя AlN обеспечивает рост слоев с более гладкой поверхностью и лучшего кристаллического качества по сравнению нитридизацией сапфира, приводящей к формированию нитридизованного слоя AlN толщиной ~2 монослоя. Изменение времени экспонирования нитридизованных подложек в потоке атомарного алюминия существенного влияния на параметры последующих слоeв AlN не оказывает.
  1. S. Strite, H. Morkoc. J. Vac. Sci. Technol., 10, 1237 (1992)
  2. T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Saito, K. Kano, H. Kanazawa, Y. Nanishi, N. Teraguchi, A. Suzuki. J. Cryst. Growth, 237- 239 (2), 993 (1994)
  3. K. Masu, Y. Nakamura, T. Yamazaki, T. Shibata, M. Takahashi, K. Tsubouchi. Jpn. J. Appl. Phys., 34 (6B), 760 (1995)
  4. K. Uchida, A. Watanabe, F. Yano, M. Kouguchi, T. Tanaka, S. Minagawa. J. Appl. Phys., 79 (7), 3487 (1996)
  5. Ch. Heinlein, J. Grepstad, T. Berge, H. Riechert. Appl. Phys. Lett., 71 (3), 341 (1997)
  6. A. Georgakilas, S. Mikroulis, V. Cimalla, M. Zervos, A. Kostopoulos, Ph. Komninou, Th. Kehagias, Th. Karakostas. Phys. Status Solidi A, 188 (2), 567 (2001)
  7. F. Dwikusuma, T.F. Kuech. J. Appl. Phys., 94 (9), 5656 (2003)
  8. B. Agnarsson, M. Gothelid, S. Olafsson, H.P. Gislason, U.O. Karlsson. J. Appl. Phys., 101, 013519 (2007)
  9. N. Grandjean, J. Massies, M. Leroux. J. Appl. Phys., 69, 2071 (1996)
  10. M. Yeadon, M.T. Marshall, F. Hamdani, S. Pekin, H. Morkoc, J. Murray Gibson. J. Appl. Phys., 83 (5), 2847 (1998)
  11. T. Malin, V. Mansurov, Y. Galitsyn, K. Zhuravlev. Phys. Status Solidi C, 11 (3-4), 613 (2014)
  12. T. Malin, V. Mansurov, Y. Galitsyn, K. Zhuravlev. Phys. Status Solidi C, 12 (4-5), 443 (2015)
  13. Y. Wu, A. Hanlon, J.F. Kaeding, R. Sharma, P.T. Fini, S. Nakamura, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett., 84 (6), 912 (2004)
  14. W.-G. Hu, Ch.-M. Jiao, H.-Y. Wei, P.-F. Zhang, T.T. Kang, R.-Q. Zhang, X.-L. Liu. Chin. Phys. Lett., 25 (12), 4364 (2008)
  15. K.S. Kim, K.Y. Lim, H.J. Lee. Semicond. Sci. Technol., 14, 557 (1999)
  16. L.-C. Le, D.-G. Zhao, L.-L. Wu, Y. Deng, D.-S. Jiang, J.-J. Zhu, Z.-S. Liu, H. Wang, S.-M. Zhang, B.-S. Zhang, H. Yang, Chin. Phys. B, 20 (12), 127306 (2011)
  17. W. Kim, M. Yeadon, A.E. Botchkarev, S.N. Mohammad, J.M. Gibson, H. Morkoc. J. Vac. Sci. Technol. B, 15 (4), 921 (1997)
  18. C.L. Freeman, F. Claeyssens, N.L. Allan. Phys. Rev. Lett., 96, 066102 (2006)
  19. C.J.F. Solano, A. Costales, E. Francisco, A.M. Pendas, M.A. Blanco, K.-C. Lau, H. He, R. Pandey. J. Phys. Chem. C, 112 (17), 6667 (2008)
  20. A. Yoshikawa, K. Takahashi. Phys. Status Solidi A, 188 (2), 625 (2001)
  21. F. Liu, R. Collazo, S. Mita, Z. Sitar, G. Duscher, S.J. Pennycook. J. Appl. Phys. Lett., 91, 203115 (2007)
  22. J. Ohta, H. Fujioka, M. Oshima, K. Fujiwara, A. Ishii. Appl. Phys. Lett., 83 (15), 3075 (2003)
  23. S.K. Davidsson, J.F. Falth, X.Y. Liu, H. Zirath, T.G. Andersson. J. Appl. Phys., 98, 016109 (2005)
  24. K. Xu, N. Yano, A.W. Jia, A. Yoshikawa, K. Takahashi. J. Cryst. Growth, 237- 239 (2), 1003 (2002)
  25. Y.S. Park, H.S. Lee, J.H. Na, H.J. Kim, S.M. Si, H.M. Kim, J.E. Oh. J. Appl. Phys., 94, 800 (2003)
  26. D.H. Lim, K. Xu, S. Arima, A. Yoshikawa, K. Takahashi. J. Appl. Phys., 91, 6461 (2002)
  27. Y. Wang, A.S. Ozcan, G. Ozaydin, K.F. Ludwig, jr., A. Bhattacharyya, Th.D. Moustakas, H. Zhou, R.L. Headrick, D.P. Siddons. Phys. Rev. B, 74, 235304 (2006)
  28. J.V. Lauritsen, M.C.R. Jensen, K. Venkataramani, B. Hinnemann, S. Helveg, B.S. Clausen, F. Besenbacher. Phys. Rev. Lett., 103, 076103 (2009)
  29. A.R. Smith, R.M. Feenstra, D.W. Greve, J. Neugebauer, J.E. Nortrhrup. Phys. Rev. Lett., 79, 3934 (1997)
  30. A.R. Smith, R.M. Feenstra, D.W. Greve, M.-S. Shin, M. Skowronski, J. Neugebauer, J.E. Nortrhrup. Surf. Sci., 423, 70 (1999)
  31. N. Kumagai, K. Akiyama, R. Togashi, H. Murakami, M. Takeuchi, T. Kinoshita, K. Takada, Y. Aoyagi, A. Koukitu. J. Cryst. Growth, 305 (2), 366 (2007)
  32. O. Ambacher. J. Phys. D, 31, 2653 (1998)
  33. C.G. Dunn, E.F. Koch. Acta Metall., 5, 548 (1957)
  34. L. Filippidis, H. Siegle, A. Hoffmann, C. Thomsen, K. Karch, F. Bechstedt. Phys. Status Solidi B, 198, 621 (1996)
  35. G.G. Stoney. Proc. Royal Soc. (London), 82 (553), 172 (1909)
  36. T. Prokofyeva, M. Seon, J. Vanbuskirk, M. Holtz. Phys. Rev. B, 63, 125313 (2001)
  37. R.W. Hoffman. Thin Sol. Films, 34, 185 (1976).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.