"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Модель накопления зарядов в n- и p-МОП-транзисторах при туннельной инжекции электронов из затвора
Переводная версия: 10.1134/S1063782618060027
Александров О.В.1, Мокрушина С.А.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: Aleksandr_ov@mail.ru
Поступила в редакцию: 28 августа 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.

Разработана количественная модель накопления зарядов в подзатворном диэлектрике при туннельной инжекции электронов из затвора по механизму Фаулера--Нордгейма. В модели учитывается захват электронов и дырок на безводородные и водородосодержащие ловушки, а также генерация поверхностных состояний при взаимодействии дырок с водородосодержащими центрами. На основе модели проанализированы экспериментальные зависимости сдвигов порогового напряжения и напряжения на затворе n- и p-канальных МОП-транзисторов от инжектируемого заряда в режиме постоянного тока.
  1. А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO-=SUB=-2-=/SUB=- на кремнии (Л., ЛГУ, 1988)
  2. О.В. Александров. ФТП, 51 (8), 1105 (2017)
  3. F.J. Feigl, D.R. Young, D.J. DiMaria, S. Lai, J. Calise. J. Appl. Phys., 52, 5665 (1981)
  4. А.М. Емельянов. ФТП, 52, 1060 (2010)
  5. Y. Nissan-Cohen, J. Shappir, D. Frohman-Bentchkowsky. J. Appl. Phys., 54, 5793 (1983)
  6. N. Klein, P. Solomon. J. Appl. Phys., 47, 4364 (1976)
  7. Y. Nissan-Cohen, J. Shappir, D. Frohman-Bentchkowsky. J. Appl. Phys., 58, 2252 (1985)
  8. C.-F. Chen, C.-Y. Wu. J. Appl. Phys., 60, 3926 (1986)
  9. P. Fazan, M. Dutoit, C. Martin, M. Ilegems. Sol. St. Electron., 30, 829 (1987)
  10. P. Samanta, C.K. Sarkar. J. Appl. Phys., 83, 2662 (1998)
  11. M. Knoll, D. Braunig, W.R. Fahrner. J. Appl. Phys., 53, 6946 (1982)
  12. В.В. Андреев, В.Г. Барышев, Г.Г. Бондаренко, А.А. Столяров, В.А. Шахнов. Микроэлектроника, 26 (6), 440 (1997)
  13. V.V. Afanas'ev, G.J. Adriaenssens, A. Stesmans. Microelectron. Eng., 59, 85 (2001)
  14. M.V. Fischetti. Phys. Rev. B, 31, 2099 (1985)
  15. D. J. DiMaria, E. Cartier, D.A.Buchanan. J. Appl. Phys., 80, 304 (1996)
  16. S.K. Lai. Appl. Phys. Lett., 39, 58 (1981)
  17. D. J. DiMaria, E. Cartier, D. Arnold. J. Appl. Phys., 73, 3367 (1993)
  18. Q.D.M. Khosru, N. Yasuda, K. Taniguchi, C. Hamaguchi. J. Appl. Phys., 77, 4494 (1995)
  19. Г.В. Гадияк. ФТП, 31, 257 (1997)
  20. A.V. Schwerin, M. M. Heyns, W. Weber. J. Appl. Phys., 67, 7595 (1990)
  21. D.A. Buchanan, D.J. DiMaria. J. Appl. Phys., 67, 7439 (1990)
  22. M. Lenzlinger, E.H. Snow. J. Appl. Phys., 40, 278 (1969)
  23. P. Samanta, C.K. Sarkar. Sol. St. Electron., 46, 279 (2002)
  24. О.В. Александров. ФТП, 48, 523 (2014). ФТП, 49, 793 (2015)
  25. E. Cartier, J.H. Stathis, D.A. Buchanan. Appl. Phys. Lett., 63, 1510 (1993)
  26. X. Gao, S.S. Yee. IEEE Trans. Electron. Dev., 41, 1819 (1994)
  27. Q.D.M. Khosru, N. Yasuda, K. Taniguchi, C. Hamaguchi. J. Appl. Phys., 76, 4738 (1994)
  28. L. Do Thanh, M. Aslam, P. Balk. Sol. St. Electron., 29, 829 (1986)
  29. R.J. Krantz, L.W. Aukerman, T.C. Zietlow. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-34 (6), 1196 (1987)
  30. J.J. Tzou, J.Y.-C. Sun, C.-T. Sah. Appl. Phys. Lett., 43, 861 (1983)
  31. H.E. Boesch, F.B. McLean, J.M. Benedetto, J.M. Mc Garrity. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-33 (6), 1191 (1986)
  32. I.P. Mikhailovskii, P.B. Potapov, A.E. Epov. Phys. Status Solidi A, 94, 679 (1986)
  33. В.С. Солдатов, Н.В. Соболев, И.Б. Варлашов, В.А. Коляда, А.Г. Воеводин. Изв. вузов. Физика, N 12, 82 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.