"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Туннельный ток во встречных диодах Шоттки, образованных контактами между вырожденным GaN n-типа и металлом
Переводная версия: 10.1134/S1063782618060131
Майборода И.О.1, Грищенко Ю.В.1, Езубченко И.С.1, Соколов И.С.1, Черных И.А.1, Андреев А.А.1, Занавескин М.Л.1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: mrlbr@mail.ru
Поступила в редакцию: 4 июля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.

Проведено исследование нелинейного поведения зависимости тока от напряжения в симметричных контактах между металлом и вырожденным GaN n-типа, образующих встречные диоды Шоттки при концентрациях свободных носителей в GaN от 1.5· 1019 до 2.0· 1020 см-3. Показано, что при концентрации электронов 2.0· 1020 см-3 проводимость между металлом (хромом) и GaN осуществляется путем туннелирования электронов, а удельное сопротивление контакта Cr-GaN при этом составляет 0.05 Ом·мм. Разработан метод определения параметров потенциальных барьеров по вольт-амперным характеристикам симметричных встречных контактов. Учтено влияние сильной неоднородности распределения плотности тока и напряжения по площади контактов при малом удельном сопротивлении контактов. Для контактов Cr-n+-GaN получено значение высоты потенциального барьера, равное 0.47±0.04 эВ.
  1. Ю. Федоров. Электроника НТБ, N 2 (2011)
  2. Y. Yue, Z. Hu, J. Guo et al. IEEE Electron Dev. Lett., 33, 988 (2012)
  3. И.О. Майборода, А.А. Андреев, П.А. Перминов, Ю.В. Федоров, М.Л. Занавескин. Письма ЖТФ, 40 (11), 90 (2014)
  4. F.A. Faria, J. Guo, P. Zhao, G. Lu, P.K. Kandaswamy, M. Wistey, H. Xing, D. Jena. Appl. Phys. Lett., 101, 032109 (2012)
  5. G. Greco, F. Iucolano, F. Roccaforte. Appl. Surf. Sci., 383, 324 (2016)
  6. В.Ф. Агекян, Е.В. Борисов, Л.Е. Воробьев, Г.А. Мелентьев и др. ФТТ, 57, 768 (2015)
  7. D.K. Schroder. Semiconductor Material and Device Characterization (3rd edn) (Willey, 2006) c. 138
  8. F. Iucolano, F. Roccaforte, A. Alberti, C. Bongiorno, S. Di Franko, V. Raineri. J. Appl. Phys., 100, 123706 (2006)
  9. M.L. Lee, J.K. Sheu, S.W. Lin. Appl. Phys. Lett., 88, 032103 (2006)
  10. Peng Zhang, Y.Y. Lau, R.M. Gilgenbach. J. Phys. D: Appl. Phys., 48, 475501 (2015)
  11. J. Simmons. J. Appl. Phys., 34, 238 (1963)
  12. H.G. Unger. Theorie der Leitungen (Friedr.Vieweg \& Sohn, 1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.