Проведено исследование нелинейного поведения зависимости тока от напряжения в симметричных контактах между металлом и вырожденным GaN n-типа, образующих встречные диоды Шоттки при концентрациях свободных носителей в GaN от 1.5· 10¹⁹ до 2.0· 10²⁰ см^-3. Показано, что при концентрации электронов 2.0· 10²⁰ см^-3 проводимость между металлом (хромом) и GaN осуществляется путем туннелирования электронов, а удельное сопротивление контакта Cr-GaN при этом составляет 0.05 Ом·мм. Разработан метод определения параметров потенциальных барьеров по вольт-амперным характеристикам симметричных встречных контактов. Учтено влияние сильной неоднородности распределения плотности тока и напряжения по площади контактов при малом удельном сопротивлении контактов. Для контактов Cr-n⁺-GaN получено значение высоты потенциального барьера, равное 0.47±0.04 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.