Вышедшие номера
Высокочувствительный фотодетектор на основе атомарно-тонкого MoS2
Переводная версия: 10.1134/S106378261806012X
Министерство образования и науки Российской Федерации, Мегагрант, 14.Z50.31.0034
Министерство образования и науки Российской Федерации, Госзадание, 3.7335.2017/9.10
Лавров С.Д. 1, Шестакова А.П. 1, Мишина Е.Д. 1, Ефименков Ю.Р.2, Сигов А.С. 1
1МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
2НПП "Пульсар", Москва, Россия
Email: sdlavrov@mail.ru, nastik_shestakova@mail.ru, mishina_elena57@mail.ru, sigov@mirea.ru
Поступила в редакцию: 8 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.

Предложена конструкция высокочувствительного фотодетектора, в качестве функционального элемента которого используется монослой дихалькогенида переходного металла MoS2, а также представлен поэтапный процесс его создания. Оценка качества и выборка функциональных кристаллитов MoS2 осуществлялась на основе результатов комплексной оптической диагностики. Исследованы основные рабочие характеристики созданного устройства, и показано, что его фоточувствительность составляет 1.4 мА/Вт. Отличительной особенностью созданного устройства по сравнению с существующими аналогами является его высокая фоточувствительность при низких значениях рабочего напряжения (до ±3 В).