Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Диэлектрические свойства нанокристаллического оксида вольфрама в области температур 223-293 K

DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46046.8719

Переводная версия: 10.1134/S1063782618070114

Козюхин С.А.^1,2, Бедин С.А.³, Рудаковская П.Г.¹, Иванова О.С.¹, Иванов В.К.^1,4

¹Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия Kurnakov Institute of General and Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Kurnakov Institute of General and Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Национальный исследовательский Томский государственный университет (химический факультет), Томск, Россия National Research Tomsk State University (Faculty of Chemistry), Tomsk, Russia

National Research Tomsk State University (Faculty of Chemistry), Tomsk, Russia

³Московский Педагогический Государственный Университет, Москва, Россия Moscow Pedagogical State University, Moscow, Russia

⁴Московский технологический университет, Москва, Россия Moscow Technological University, Moscow, Russia

Email: sergkoz@igic.ras.ru

Поступила в редакцию: 30 августа 2017 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы диэлектрические свойства нанокристаллического оксида вольфрама в интервале температур 223-293 K и в диапазоне частот nu=10^-2-10⁶ Гц. Порошки WO₃ с размерами частиц 110, 150 и 200 нм были приготовлены термической обработкой паравольфрамата аммония при различных температурах. Установлено, что для всех образцов частотные зависимости проводимости являются возрастающими с увеличением частоты, в то время как поляризационные характеристики varepsilon'(nu) и varepsilon''(nu) уменьшаются. Найдено, что частотные зависимости проводимости описываются функцией вида nu^s с показателем степени, находящимся в диапазоне (0.83 - 0.90) ± 0.01, что свойственно "прыжковому" механизму перемещения заряженных частиц (комплексов) по локализованным состояниям, ограниченным потенциальными барьерами и дефектами структуры.

G. Granqvist. Handbook of Electrochromic Materials (Amsterdam, Elsevier, 1995)
B. Urasinska-Wojcik, T.A. Vincent, M.F. Chowdhury, J.W. Gardner. Sensors Actuators B: Chemical, 239, 1051 (2017)
L. Wang, A. Teleki, S.E. Pratsinis, P.I. Gouma. Chem. Mater., 20, 4794 (2008)
S.S. Kalaga, S.S. Mali, D.S. Dalavi, A.I. Inamdar, H. Im, P.S. Patil. Synth. Metals, 161, 1105 (2011)
S.E.M. Svensson, C.G. Granqvist. Thin Sol. Films, 126, 31 (1985)
B. Gavanier, F.M. Miehalak, J.R. Owen. Ionics, 3, 265 (1997)
G. Leftheriotis, G. Syrrokostas, P. Yianoulis. Solar Energy Mater. Solar Cells, 94, 2304 (2010)
A. Pawlicka. Recent Patents on Nanotechnology, 3, 177 (2009)
S. Long, H. Zhou, S. Bao, Y. Xin, X. Cao, P. Jin. RCS Advances, 6, 106435 (2016)
Ch. Ma, Ch. Zhou, Zh. Zhang, B. Wang, L. Wei. Mater. Sci. Forum, 445\&446, 141 (2004)
E.K.H. Salje. Eur. J. Solid State Inorg. Chem., 31, 651 (1994)
A. Aird, M.C. Domeneghetti, F. Mazzi, V. Tazzoli, E.K.H. Salje. J. Phys.: Condens. Matter, 10, L569 (1998)
Sh. Sawada. J. Phys. Soc. Japan, 11 (12), 1237 (1956)
L. Wang, A. Teleki, S.E. Pratsinis, P.I. Gouma. Chem. Mater., 20, 4794 (2008)
P.M. Woodward, A.W. Sleight, T. Vogt. J. Solid State Chem., 131 (1), 9 (1997)
A. Elshafie, H.H. Afify, A. Abdel-All. Phys. Status Solidi, 174, 301 (1999)
M.M. El-Nahass, H.A.M. Ali, M. Saadeldin, M. Zaghllol. Physica B, 407, 4453 (2012)
M.G. Hutchins, O. Abu-Alkhair, M.M. El-Nahass, K. Abdel-Hady. J. Non-Cryst. Sol., 353, 4137 (2007)
Г. Фрелих. Теория диэлектриков (М., Мир, 1960)
П.Т. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков (М., Высш. шк., 1977)
B. Jagan Mohan Reddy, G. Paran Jyothi, M.V. Ramana Reddy, M.N. Chary, Narasimha Reddy. Phys. Status Solidi, 137, 241 (1993)
Н. Ашкрофт, Н. Мермин. Физика твердого тела (М., Мир, 1979) т. 2
А. Фельц. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела (М., Мир, 1986)
Ю.М. Поплавко, Л.П. Переверзева, И.П. Раевский. Физика активных диэлектриков, под ред. В.П. Сахненко (Ростов н/Д, Изд-во ЮФУ, 2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель