"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Диэлектрические свойства нанокристаллического оксида вольфрама в области температур 223-293 K
Переводная версия: 10.1134/S1063782618070114
Козюхин С.А.1,2, Бедин С.А.3, Рудаковская П.Г.1, Иванова О.С.1, Иванов В.К.1,4
1Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский Томский государственный университет (химический факультет), Томск, Россия
3Московский Педагогический Государственный Университет, Москва, Россия
4Московский технологический университет, Москва, Россия
Email: sergkoz@igic.ras.ru
Поступила в редакцию: 30 августа 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.

Исследованы диэлектрические свойства нанокристаллического оксида вольфрама в интервале температур 223-293 K и в диапазоне частот nu=10-2-106 Гц. Порошки WO3 с размерами частиц 110, 150 и 200 нм были приготовлены термической обработкой паравольфрамата аммония при различных температурах. Установлено, что для всех образцов частотные зависимости проводимости являются возрастающими с увеличением частоты, в то время как поляризационные характеристики varepsilon'(nu) и varepsilon''(nu) уменьшаются. Найдено, что частотные зависимости проводимости описываются функцией вида nus с показателем степени, находящимся в диапазоне (0.83 - 0.90) ± 0.01, что свойственно "прыжковому" механизму перемещения заряженных частиц (комплексов) по локализованным состояниям, ограниченным потенциальными барьерами и дефектами структуры.
  1. G. Granqvist. Handbook of Electrochromic Materials (Amsterdam, Elsevier, 1995)
  2. B. Urasinska-Wojcik, T.A. Vincent, M.F. Chowdhury, J.W. Gardner. Sensors Actuators B: Chemical, 239, 1051 (2017)
  3. L. Wang, A. Teleki, S.E. Pratsinis, P.I. Gouma. Chem. Mater., 20, 4794 (2008)
  4. S.S. Kalaga, S.S. Mali, D.S. Dalavi, A.I. Inamdar, H. Im, P.S. Patil. Synth. Metals, 161, 1105 (2011)
  5. S.E.M. Svensson, C.G. Granqvist. Thin Sol. Films, 126, 31 (1985)
  6. B. Gavanier, F.M. Miehalak, J.R. Owen. Ionics, 3, 265 (1997)
  7. G. Leftheriotis, G. Syrrokostas, P. Yianoulis. Solar Energy Mater. Solar Cells, 94, 2304 (2010)
  8. A. Pawlicka. Recent Patents on Nanotechnology, 3, 177 (2009)
  9. S. Long, H. Zhou, S. Bao, Y. Xin, X. Cao, P. Jin. RCS Advances, 6, 106435 (2016)
  10. Ch. Ma, Ch. Zhou, Zh. Zhang, B. Wang, L. Wei. Mater. Sci. Forum, 445\&446, 141 (2004)
  11. E.K.H. Salje. Eur. J. Solid State Inorg. Chem., 31, 651 (1994)
  12. A. Aird, M.C. Domeneghetti, F. Mazzi, V. Tazzoli, E.K.H. Salje. J. Phys.: Condens. Matter, 10, L569 (1998)
  13. Sh. Sawada. J. Phys. Soc. Japan, 11 (12), 1237 (1956)
  14. L. Wang, A. Teleki, S.E. Pratsinis, P.I. Gouma. Chem. Mater., 20, 4794 (2008)
  15. P.M. Woodward, A.W. Sleight, T. Vogt. J. Solid State Chem., 131 (1), 9 (1997)
  16. A. Elshafie, H.H. Afify, A. Abdel-All. Phys. Status Solidi, 174, 301 (1999)
  17. M.M. El-Nahass, H.A.M. Ali, M. Saadeldin, M. Zaghllol. Physica B, 407, 4453 (2012)
  18. M.G. Hutchins, O. Abu-Alkhair, M.M. El-Nahass, K. Abdel-Hady. J. Non-Cryst. Sol., 353, 4137 (2007)
  19. Г. Фрелих. Теория диэлектриков (М., Мир, 1960)
  20. П.Т. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков (М., Высш. шк., 1977)
  21. B. Jagan Mohan Reddy, G. Paran Jyothi, M.V. Ramana Reddy, M.N. Chary, Narasimha Reddy. Phys. Status Solidi, 137, 241 (1993)
  22. Н. Ашкрофт, Н. Мермин. Физика твердого тела (М., Мир, 1979) т. 2
  23. А. Фельц. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела (М., Мир, 1986)
  24. Ю.М. Поплавко, Л.П. Переверзева, И.П. Раевский. Физика активных диэлектриков, под ред. В.П. Сахненко (Ростов н/Д, Изд-во ЮФУ, 2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.