"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства нитевидных кристаллов ZnO
Переводная версия: 10.1134/S1063782618070205
Шкумбатюк П.С.1
1Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
Email: tarasik82@gmail.com
Поступила в редакцию: 7 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.

Исследованы фотоэлектрические свойства нитевидных кристаллов ZnO, полученных из газовой фазы испарением порошка и металлического Zn непрерывным действием излучения СО2-лазера. На основании исследования баръерной структуры InO-ZnO предложен механизм фотопроводимости кристаллического ZnO, обусловленный потенциальными барьерами.
  1. Б. Гудден. УФН, 15 (6), 703 (1935)
  2. R.J. Collins, D.G. Thomas. Phys. Rev., 112, (2), 388 (1958)
  3. G. Chai, O. Lupan, L. Chow, H. Heinrich. Sensors Actuators A, 150, 184 (2009)
  4. R. Ayouchi, L. Bentes, C. Casteleiro, O. Conde, C.P. Marques, E. Alves, A.M.C. Moutinho, H.P. Marques, O. Teodoro, R. Schwarz. Appl. Surf. Sci., 255, 5917 (2009)
  5. В.А. Кривченко, Д.В. Лопаев, П.В. Пащенко, В.Г. Пирогов, А.Т. Рахимов, Н.В. Суетин, А.С. Трифонов. ЖТФ, 78 (8), 107 (2008)
  6. П.С. Шкумбатюк. ФТП, 44 (8), 1147 (2010)
  7. С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  8. М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10 (2), 209 (1976)
  9. A.R. Hutson. Phys. Rev., 108 (2), 222 (1957)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.