Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоэлектрические свойства нитевидных кристаллов ZnO

DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46045.8576

Переводная версия: 10.1134/S1063782618070205

Шкумбатюк П.С.¹

¹Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина Franko State Pedagogical University, Drogobych, Ukraine

Franko State Pedagogical University, Drogobych, Ukraine

Email: tarasik82@gmail.com

Поступила в редакцию: 7 марта 2017 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы фотоэлектрические свойства нитевидных кристаллов ZnO, полученных из газовой фазы испарением порошка и металлического Zn непрерывным действием излучения СО₂-лазера. На основании исследования баръерной структуры InO-ZnO предложен механизм фотопроводимости кристаллического ZnO, обусловленный потенциальными барьерами.

Б. Гудден. УФН, 15 (6), 703 (1935)
R.J. Collins, D.G. Thomas. Phys. Rev., 112, (2), 388 (1958)
G. Chai, O. Lupan, L. Chow, H. Heinrich. Sensors Actuators A, 150, 184 (2009)
R. Ayouchi, L. Bentes, C. Casteleiro, O. Conde, C.P. Marques, E. Alves, A.M.C. Moutinho, H.P. Marques, O. Teodoro, R. Schwarz. Appl. Surf. Sci., 255, 5917 (2009)
В.А. Кривченко, Д.В. Лопаев, П.В. Пащенко, В.Г. Пирогов, А.Т. Рахимов, Н.В. Суетин, А.С. Трифонов. ЖТФ, 78 (8), 107 (2008)
П.С. Шкумбатюк. ФТП, 44 (8), 1147 (2010)
С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10 (2), 209 (1976)
A.R. Hutson. Phys. Rev., 108 (2), 222 (1957)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель