Вышедшие номера
Исследование спонтанной эмиссии в брэгговских монослойных квантовых ямах InAs
Переводная версия: 10.1134/S1063782618070187
Позина Г.1, Калитеевский М.А.2,3,4, Никитина Е.В.2,3, Губайдуллин А.Р.2,4, Иванов К.А.2,4, Егоров А.Ю.3,4
1Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, Linkoping, Sweden
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: E.Nikitina@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.

Экспериментально исследована фотолюминесценция с временным разрешением структуры брэгговских монослойных квантовых ям InAs в матрице GaAs. Путем сравнения спектров фотолюминесценции, измеренных с торца и с поверхности образца, установлено, что брэгговское упорядочение квантовых ям приводит к существенному изменению спектров фотолюминесценции, в частности к появлению дополнительных мод. Спектр фотолюминесценции, измеренный с торца образца, содержит одну линию, соответствующую основному состоянию экситона. В спектре излучения, измеренном с поверхности образца, при высоких уровнях возбуждения появляется дополнительная линия излучения, частота и направление распространения которой соответствуют брэгговскому условию для квантовых ям. Проведенный расчет модового фактора Парселла объясняет факт усиления спонтанной эмиссии излучения только для определенных углов распространения и частот излучения, а не для всех направлений распространения и частот, удовлетворяющих брэгговскому условию.