Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

In_0.8Ga_0.2As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства

DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46043.8808

Переводная версия: 10.1134/S1063782618070199

Фонд содействия инновациям, 9712ГУ/2015

Российский научный фонд, 17-72-20146

Салий Р.А.

¹, Косарев И.С.², Минтаиров С.А. ¹, Надточий А.М.

^1,2,3, Шварц М.З.

¹, Калюжный Н.А.

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Submicron Heterostructures for Microelectronics Research and Engineering Center of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Submicron Heterostructures for Microelectronics Research and Engineering Center of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Email: r.saliy@mail.ioffe.ru, Mintairov@scell.ioffe.ru, al.nadtochy@mail.ioffe.ru, shvarts@scell.ioffe.ru, Nickk@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 26 декабря 2017 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы особенности роста In_0.8Ga_0.2As-квантовых точек на поверхности GaAs и их массивов методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений и гидридов. С помощью исследования спектров фотолюминесценции при различных температурах было установлено бимодальное распределение In_0.8Ga_0.2As-квантовых точек по размерам. Были найдены параметры роста, при которых складирование 20 слоев In_0.8Ga_0.2As-квантовых точек в активную область GaAs-фотопреобразователя позволяет увеличить его фотогенерированный ток на 0.97 и 0.77 мА/см² для космического и наземного солнечных спектров соответственно, при сохранении высокого качества p-n-перехода. С учетом потерь на безызлучательную рекомбинацию, возникающих вследствие механических напряжений от массива квантовых точек, прирост фотогенерированного тока в фотопреобразователе с квантовыми точками составил ~1% относительно референсной структуры GaAs-фотопреобразователя.

V.M. Andreev, V.A. Grilikhes, V.D. Rumyantsev. Photovoltanc Conversion of Concentrated Sunlight (John Willey \& Sons Ltd, 1997)
De Vos, H. Pauwels. Appl. Phys., 25, 119 (1981)
B.T. Cavicchi, D.D. Krut, D.R. Lillington, S.R. Kurtz, J.M. Olson. Photovoltaic Specialists Conf. (Las Vegas, NV, USA, Oct 7-11, 1991) p. 63
W. Guter, J. Schone, S.P. Philipps, M. Steiner, G. Siefer, A. Wekkeli, E. Welser, E. Oliva, A.W. Bett, F. Dimroth. Appl. Phys. Lett., 94 (22), 223504 (2009)
K. Sasaki, T. Agui, K. Nakaido, N. Takahashi, R. Onitsuka, T. Takamoto. AIP Conf. Proceedings, 1556, 22 (2013)
A. Luque, A. Marti. Phys. Rev. Lett., 78 (26), 5014 (1997)
A. Luque, A.V. Mellor. Photon Absorption Models in Nanostructured Semiconductor Solar Cells and Devices (Springer Briefs in Applied Sciences and Technology, 2015)
A. Marti, L. Cuadra, A. Luque. IEEE Trans. Electron. Dev., 49 (9), 1632 (2002)
A. Salhi, L. Fortunato, L. Martiradonna, M.T. Todaro, R. Cingolani, A. Passaseo, M. De Vittorio. Semicond. Sci. Technol., 22, 396 (2007)
T. Kageyama, K. Nishi, M. Yamaguchi, R. Mochida, Y. Maeda, K. Takemasa, Y. Tanaka, T. Yamamoto, M. Sugawara, Y. Arakawa. 12th Eur. Quantum Electronics Conf. (Tokyo, Japan, 2011) p. 1
М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Ю.Г. Мусихин, Н.Н. Леденцов, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, Е.С. Семенова, Н.А. Малеев, Е.В. Никитина, В.М. Устинов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38 (6), 763 (2004)
S.A. Blokhin, A.V. Sakharov, A.M. Nadtochy, A.S. Pauysov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, N.A. Kaluzhniy, M.Z. Shvarts. Semiconductors, 43 (4), 514 (2009)
S.M. Hubbard, C.D. Cress, C.G. Bailey, R.P. Raffaelle, S.G. Bailey, D.M. Wilt. Appl. Phys. Lett., 92 (12), 123512 (2008)
N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, R.A. Salii, A.M. Nadtochiy, A.S. Payusov, P.N. Brunkov, V.N. Nevedomsky, M.Z. Shvarts, A. Marti, V.M. Andreev, A. Luque. Progr. Photovolt., 24 (9), 1261 (2016)
Р.А. Салий, С.А. Минтаиров, П.Н. Брунков, А.М. Надточий, А.С. Паюсов, Н.А. Калюжный. ФТП, 49 (8), 1136 (2015). R.A. Salii, S.A. Mintairov, P.N. Brunkov, A.M. Nadtochiy, A.S. Payusov, N.A. Kalyuzhnyy. Semiconductors, 49 (8), 1111 (2015)
I.N. Stranski, L. Von Krastanow. Akad. Wiss. Lit. Mainz Abh. Math. Naturwiss. Klasse, 146, 797 (1939)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель