Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами
Переводная версия: 10.1134/S1063782618070175 
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия 
2МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
2МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
Email: ponomarev_dmitr@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.
Приведены результаты измерений временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs с помощью метаморфного буфера. На основе результатов численного моделирования зонных диаграмм выбрана оптимальная толщина барьерного слоя In0.52Al0.48As (4 нм), при которой волновые функции электронов в In0.53Ga0.47As существенно перекрываются с барьерами In0.52Al0.48As. Это позволило получить малое время жизни фотовозбужденных носителей заряда tau~3.4 пс при длине волны lambda=800 нм и мощности накачки 50 мВт без применения легирования бериллием слоя In0.53Ga0.47As. Показано, что увеличение длины волны до lambda=930 нм (при той же мощности накачки) приводит к уменьшению времени жизни фотовозбужденных носителей заряда до tau~2 пс. Это связано с увеличением сечения захвата ловушечных состояний для более низкоэнергетичных электронов и с уменьшением заполнения ловушек при меньших плотностях возбуждения.
- Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин, А.Э. Ячменев, П.П. Мальцев, М.М. Грехов, И.Е. Иляков, Р.А. Ахмеджанов. ФТП, 51 (4), 535 (2017)
- D. Vignaud, J.F. Lampin, E. Lefebvre, M. Zaknoune, F. Mollot. Appl. Phys. Lett., 80 (22), 4151 (2002)
- Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин, А.Э. Ячменев, А.Ю. Павлов, Д.Н. Слаповский, И.А. Глинский, Д.В. Лаврухин, О.А. Рубан, П.П. Мальцев. ФТП, 51 (9), 1267 (2017)
- M. Suzuki, M. Tonouchi. Appl. Phys. Lett., 86, 051104 (2005)
- N. Chimot, J. Mangeney, P. Mounaix, M. Tondusson, K. Blary, J.F. Lampin. Appl. Phys. Lett., 89, 083519 (2006)
- B. Sartorius, H. Roehle, H. Kunzel, J. Bottcher, M. Schlak, D. Stanze, H. Venghaus, M. Schell. Opt. Express, 16, 9565 (2008)
- R.P. Prasankumar, A. Scopatz, D.J. Hilton, A.J. Taylor, R.D. Averitt, J.M. Zide, A.C. Gossard. Appl. Phys. Lett., 86, 201107 (2005)
- D. Vignaud, J.F. Lampin, E. Lefebvre, M. Zaknoune, F. Mollot. Appl. Phys. Lett., 80 (22), 4151 (2002)
- R. Dietz, M. Gerhard, D. Stanze, M. Koch, B. Sartorius, M. Schell. Opt. Express, 19 (27), 25911 (2011)
- C.W. Berry, N. Wang, M.R. Hashemi, M. Unlu, M. Jarrahi. Nature Commun., 4, 1622 (2013)
- F. Ospald, D. Maryenko, K. von Klitzing, D.C. Driscoll, M.P. Hanson, H. Lu, A.C. Gossard, J.H. Smet. Appl. Phys. Lett., 92, 131117 (2008)
- M. Sukhotin, E.R. Brown, D. Driscoll, M. Hanson, A.C. Gossard. Appl. Phys. Lett., 83 (19), 3921 (2003)
- H. Roehle, R.J.B. Dietz, H.J. Hensel, J. Bottcher, H. Kunzel, D. Stanze, M. Schell, B. Sartorius. Opt. Express, 18 (3), 2296 (2010)
- R. Dietz, M. Gerhard, D. Stanze, M. Koch, B. Sartorius, M. Schell. Opt. Express, 19 (27), 122 (2011)
- R. Dietz, B. Globisch, M. Gerhard, A. Velauthapillai, D. Stanze, H. Roehle, M. Koch, T. Gobel, M. Schell. Appl. Phys. Lett., 103 (6), 061103 (2013)
- G.B. Galiev, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev, A.E. Yachmenev, A.S. Bugaev, P.P. Maltsev. Nanotechnol. Rus., 10 (7), 593 (2015)
- Д.В. Лаврухин, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, П.П. Мальцев. ФТП, 49 (9), 1254 (2015)
- Д.В. Лаврухин, А.Э. Ячменев, Р.Р. Галиев, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, Ю.В. Федоров, П.П. Мальцев. ФТП, 48 (1), 73 (2014)
- D. McMorrow, J.S. Melinger, A.R. Knudson, S. Buchne. IEEE Trans. Nucl. Sci., 44 (6), 2290 (1997)
- Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, А.Н. Клочков, Д.В. Лаврухин, С.С. Пушкарев, П.П. Мальцев. ФТП, 49 (9), 1243 (2015)
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
- M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
- S.-H. Wei, A. Zunger. Appl. Phys. Lett., 72, 2011 (1998)
- R. Dietz, A. Brahm, A. Velauthapillai, A. Wilms, C. Lammers, B. Globisch, M. Koch, G. Notni, A. Tunnermann, T. Gobela, M. Schell. J. Infr. Millim. Teraher. Wav., 36 (1), 60 (2015)
- K.Y. Cheng, A.Y. Cho, S.B. Christman, T.P. Pearsall, J.E. Rowe. Appl. Phys. Lett., 40, 423 (1982)
- Yu.A. Goldberg, N.M. Schmidt. Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur (World Scientific, London, 1999) v. 2, p. 62
- A. Kimel, F. Bentivegna, V.N. Gridnev, V.V. Pavlov, R.V. Pisarev. Phys. Rev. B, 63, 235201 (2001)
- W.A. Hugel, M.F. Heinrich, M. Wegener, Q.T. Vu, L. Banyai, H. Haug. Phys. Rev. Lett., 83, 3313 (1999)
- P.C. Becker, H.L. Fragnito, C.H.B. Cruz, R.L. Fork, J.E. Cunningham, J.E. Henry, C.V. Shank. Phys. Rev. Lett., 61, 1647 (1988)
- R. Peibst, E.P. Rugeramigabo, K.R. Hofmann. J. Appl. Phys., 112, 124502 (2012)
- R. Dietz, R.B. Wilk, H. Globisch, D. Roehle, S. Stanze, S. Ullrich, N. Schumann, M. Born, B. Koch, B. Sartorius, M. Schell. J. Infr. Millim. Teraher. Wav., 34 (3), 231 (2013)
- P.W. Juodawlkis, D.T. McInturff, S.E. Ralph. Appl. Phys. Lett., 69, 4062 (1996).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
