"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами
Переводная версия: 10.1134/S1063782618070175
Пономарев Д.С.1, Хабибуллин Р.А.1, Клочков А.Н.1, Ячменев А.Э.1, Бугаев А.С.1, Хусяинов Д.И.2, Буряков А.М.2, Билык В.Р.2, Мишина Е.Д.2
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
Email: ponomarev_dmitr@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.

Приведены результаты измерений временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs с помощью метаморфного буфера. На основе результатов численного моделирования зонных диаграмм выбрана оптимальная толщина барьерного слоя In0.52Al0.48As (4 нм), при которой волновые функции электронов в In0.53Ga0.47As существенно перекрываются с барьерами In0.52Al0.48As. Это позволило получить малое время жизни фотовозбужденных носителей заряда tau~3.4 пс при длине волны lambda=800 нм и мощности накачки 50 мВт без применения легирования бериллием слоя In0.53Ga0.47As. Показано, что увеличение длины волны до lambda=930 нм (при той же мощности накачки) приводит к уменьшению времени жизни фотовозбужденных носителей заряда до tau~2 пс. Это связано с увеличением сечения захвата ловушечных состояний для более низкоэнергетичных электронов и с уменьшением заполнения ловушек при меньших плотностях возбуждения.
  1. Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин, А.Э. Ячменев, П.П. Мальцев, М.М. Грехов, И.Е. Иляков, Р.А. Ахмеджанов. ФТП, 51 (4), 535 (2017)
  2. D. Vignaud, J.F. Lampin, E. Lefebvre, M. Zaknoune, F. Mollot. Appl. Phys. Lett., 80 (22), 4151 (2002)
  3. Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин, А.Э. Ячменев, А.Ю. Павлов, Д.Н. Слаповский, И.А. Глинский, Д.В. Лаврухин, О.А. Рубан, П.П. Мальцев. ФТП, 51 (9), 1267 (2017)
  4. M. Suzuki, M. Tonouchi. Appl. Phys. Lett., 86, 051104 (2005)
  5. N. Chimot, J. Mangeney, P. Mounaix, M. Tondusson, K. Blary, J.F. Lampin. Appl. Phys. Lett., 89, 083519 (2006)
  6. B. Sartorius, H. Roehle, H. Kunzel, J. Bottcher, M. Schlak, D. Stanze, H. Venghaus, M. Schell. Opt. Express, 16, 9565 (2008)
  7. R.P. Prasankumar, A. Scopatz, D.J. Hilton, A.J. Taylor, R.D. Averitt, J.M. Zide, A.C. Gossard. Appl. Phys. Lett., 86, 201107 (2005)
  8. D. Vignaud, J.F. Lampin, E. Lefebvre, M. Zaknoune, F. Mollot. Appl. Phys. Lett., 80 (22), 4151 (2002)
  9. R. Dietz, M. Gerhard, D. Stanze, M. Koch, B. Sartorius, M. Schell. Opt. Express, 19 (27), 25911 (2011)
  10. C.W. Berry, N. Wang, M.R. Hashemi, M. Unlu, M. Jarrahi. Nature Commun., 4, 1622 (2013)
  11. F. Ospald, D. Maryenko, K. von Klitzing, D.C. Driscoll, M.P. Hanson, H. Lu, A.C. Gossard, J.H. Smet. Appl. Phys. Lett., 92, 131117 (2008)
  12. M. Sukhotin, E.R. Brown, D. Driscoll, M. Hanson, A.C. Gossard. Appl. Phys. Lett., 83 (19), 3921 (2003)
  13. H. Roehle, R.J.B. Dietz, H.J. Hensel, J. Bottcher, H. Kunzel, D. Stanze, M. Schell, B. Sartorius. Opt. Express, 18 (3), 2296 (2010)
  14. R. Dietz, M. Gerhard, D. Stanze, M. Koch, B. Sartorius, M. Schell. Opt. Express, 19 (27), 122 (2011)
  15. R. Dietz, B. Globisch, M. Gerhard, A. Velauthapillai, D. Stanze, H. Roehle, M. Koch, T. Gobel, M. Schell. Appl. Phys. Lett., 103 (6), 061103 (2013)
  16. G.B. Galiev, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev, A.E. Yachmenev, A.S. Bugaev, P.P. Maltsev. Nanotechnol. Rus., 10 (7), 593 (2015)
  17. Д.В. Лаврухин, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, П.П. Мальцев. ФТП, 49 (9), 1254 (2015)
  18. Д.В. Лаврухин, А.Э. Ячменев, Р.Р. Галиев, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, Ю.В. Федоров, П.П. Мальцев. ФТП, 48 (1), 73 (2014)
  19. D. McMorrow, J.S. Melinger, A.R. Knudson, S. Buchne. IEEE Trans. Nucl. Sci., 44 (6), 2290 (1997)
  20. Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, А.Н. Клочков, Д.В. Лаврухин, С.С. Пушкарев, П.П. Мальцев. ФТП, 49 (9), 1243 (2015)
  21. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  22. M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
  23. S.-H. Wei, A. Zunger. Appl. Phys. Lett., 72, 2011 (1998)
  24. R. Dietz, A. Brahm, A. Velauthapillai, A. Wilms, C. Lammers, B. Globisch, M. Koch, G. Notni, A. Tunnermann, T. Gobela, M. Schell. J. Infr. Millim. Teraher. Wav., 36 (1), 60 (2015)
  25. K.Y. Cheng, A.Y. Cho, S.B. Christman, T.P. Pearsall, J.E. Rowe. Appl. Phys. Lett., 40, 423 (1982)
  26. Yu.A. Goldberg, N.M. Schmidt. Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur (World Scientific, London, 1999) v. 2, p. 62
  27. A. Kimel, F. Bentivegna, V.N. Gridnev, V.V. Pavlov, R.V. Pisarev. Phys. Rev. B, 63, 235201 (2001)
  28. W.A. Hugel, M.F. Heinrich, M. Wegener, Q.T. Vu, L. Banyai, H. Haug. Phys. Rev. Lett., 83, 3313 (1999)
  29. P.C. Becker, H.L. Fragnito, C.H.B. Cruz, R.L. Fork, J.E. Cunningham, J.E. Henry, C.V. Shank. Phys. Rev. Lett., 61, 1647 (1988)
  30. R. Peibst, E.P. Rugeramigabo, K.R. Hofmann. J. Appl. Phys., 112, 124502 (2012)
  31. R. Dietz, R.B. Wilk, H. Globisch, D. Roehle, S. Stanze, S. Ullrich, N. Schumann, M. Born, B. Koch, B. Sartorius, M. Schell. J. Infr. Millim. Teraher. Wav., 34 (3), 231 (2013)
  32. P.W. Juodawlkis, D.T. McInturff, S.E. Ralph. Appl. Phys. Lett., 69, 4062 (1996).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.