Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические свойства гетероструктур p-NiO/n-Si на основе наноструктурированного кремния

DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46041.8609

Переводная версия: 10.1134/S1063782618070163

Пархоменко Г.П.¹, Солован М.Н.¹, Марьянчук П.Д.¹

¹Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина Chernivtsi National University, Chernivtsi, Ukraine

Email: h.parkhomenko@chnu.edu.ua

Поступила в редакцию: 11 апреля 2017 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом химического травления сформированы кремниевые нанопроволоки на подложках n-Si. Изготовлены гетероструктуры p-NiO/n-Si методом реактивного магнетронного напыления. Построена энергетическая диаграмма исследуемых анизотипных гетероструктур p-NiO/n-Si в соответствии с моделью Андерсона. Измерены и проанализированы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики. Установлены основные механизмы токопереноса через гетеропереход p-NiO/n-Si при прямых и обратных смещениях.

B. Hoffmann, J. Jiruse, J. Dluhovs, M. Latzel, M.Y. Bashouti, S.M. Schmitt, S. Christiansen, V. Sivakov. Wet-Chemically Etched Silicon Nanowire Solar Cells: Fabrication and Advanced Characterization. INTECH Open Access Publisher (2012)
V. Schmidt, J.V. Wittemann, S. Senz, U. Gosele. Adv. Mater., 21 (25--26), 2681 (2009)
C.K. Chan, H. Peng, G. Liu, K. McIlwrath, X.F. Zhang, R.A. Huggins, Y. Cui. Nature Nanotechnol., 3 (1), 31 (2008)
A.I. Boukai, Y. Bunimovich, J. Tahir-Kheli, J.K. Yu, W.A. Goddard Iii, J.R. Heath. Nature, 451 (7175), 168 (2008)
R. He, P. Yang. Nature Nanotechnol., 1 (1), 42 (2006)
X.T. Zhou, J.Q. Hu, C.P. Li, D.D.D. Ma, C.S. Lee, S.T. Lee. Chem. Phys. Lett., 369 (1), 220 (2003)
S.W. Chung, J.Y. Yu, J.R. Heath. Appl. Phys. Lett., 76 (15), 2068 (2000)
J. Westwater, D.P. Gosain, S. Tomiya, S. Usui, H. Ruda. J. Vac. Sci. Technol. B, 15 (3), 554 (1997)
Y.F. Zhang, Y.H. Tang, N. Wang, D.P. Yu, C.S. Lee, I. Bello, S.T. Lee. Appl. Phys. Lett., 72 (15), 1835 (1998)
J.Y. Yu, S.W. Chung, J.R. Heath. J. Phys. Chem. B, 104 (50), 11864 (2000)
C. Chartier, S. Bastide, C. Levy-Clement. Electrochim. Acta, 53 (17), 5509 (2008)
Z. Huang, N. Geyer, P. Werner, J. De Boor, U. Gosele. Adv. Mater., 23 (2), 285 (2011).
J.A. Dirksen, K. Duval, T.A. Ring. Sensors Actuators B: Chemical, 80 (2), 106 (2001)
H.P. Parkhomenko, M.N. Solovan, A.I. Mostovyi, K.S. Ulyanytsky, P.D. Maryanchuk. Semiconductors, 51 (3), 344 (2017)
H. Sato, T. Minami, S. Takata, T. Yamada. Thin Sol. Films, 236(1-2), 27 (1993)
P.S. Patil, L.D. Kadam. Appl. Surf. Sci., 199 (1), 211 (2002)
R.C. Korovsec, P. Bukovec. Acta Chim. Slovaca, 53, 136 (2006)
J. Tamaki, C. Naruo, Y. Yamamoto, M. Matsuoka. Sensors Actuators B: Chemical, 83 (1), 190 (2002)
D.Y. Jiang, J.M. Qin, X. Wang, S. Gao, Q.C. Liang, J.X. Zhao. Vacuum, 86 (8), 1083 (2012)
А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы: теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987) [Пер. с англ.: A.L. Fahrenbruch, R.H. Bube. Fundamentals of solar cells. Photovoltaic solar energy conversion (N.Y., 1983)]
Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979) [Пер. с англ.: B.L. Sharma, R.K. Purohit. Semiconductor heterojunctions (Pergamon Press, 1974)]
Физико-химические свойства окислов, под. ред. Г.В. Самсонова (М., Металлургия, 1978)
S.C. Choi, K. Koumoto, H. Yanagida. J. Mater. Sci., 21 (6), 1947 (1986)
T.M. Ramond, G.E. Davico, F. Hellberg, F. Svedberg, P. Salen, P. Soderqvist, W.C. Lineberger. J. Molecular Spectroscopy, 216 (1), 1 (2002)
M.N. Solovan, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk. Semiconductors, 48 (2), 219 (2014)
M.N. Solovan, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk. Semiconductors, 48 (7), 899 (2014)
Л.С. Берман. Емкостные методы исследования полупроводниковых приборов (Л., Наука, 1972)
J.P. Donnelly, A.G. Milnes. IEEE Trans. Electron Dev., 14 (2), 63 (1967)
V.V. Brus. Semicond. Sci. Technol., 28 (2), 025013 (2013)
M.M. Solovan, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk. Semiconductors, 47 (9), 1174 (2013)
S.M. Sze, K. Kwok. Physics of Semiconductor Devices, 3rd edn (New Jersey, Wiley, 2007).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель