"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование глубоких энергетических уровней в солнечном элементе типа HIT
Переводная версия: 10.1134/S1063782618070254
Вихров С.П. 1, Вишняков Н.В. 1, Гудзев В.В. 1, Ермачихин А.В. 1, Жилина Д.В. 2, Литвинов В.Г. 1, Маслов А.Д. 1, Мишустин В.Г. 1, Теруков Е.И. 2,3, Титов А.С.2,3
1Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
2НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: al.erm@mail.ru, vglit@yandex.ru, eug.terukov@mail.ioffe.ru, titovoz@gmail.com
Поступила в редакцию: 8 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.

Представлены результаты исследования солнечного элемента типа HIT Ag/ITO/a-Si:H(p)/a-Si:H(i)/ c-Si(n) /a-Si:H(i)/a-Si:H(n+)/ITO/Ag методами вольт-фарадных характеристик и токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней. Исследованы температурная зависимость вольт-фарадных характеристик HIT-структуры и параметры глубоких энергетических уровней. Результаты комплексных исследований перечисленными методами были использованы для определения особенностей зонной диаграммы реальной HIT-структуры.
  1. K. Wakisaka, M. Taguchi, T. Sawada, M. Tanaka, T. Matsuyama, T. Matsuoka, S. Tsuda, S. Nakano, Y. Kishi, Y. Kuwano. Proc. 22nd Photovoltaic Specialists Conf. (Las Vegas, 1991) p. 887
  2. H. Sakata, Y. Tsunomura, H. Inoue, S. Taira, T. Baba, H. Kanno, T. Kinoshita, M. Taguchi, E. Maruyama. R \& D progress of next-generation very thin HIT solar cells. 25th Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. Exh. (Valencia, 2010) p. 1102
  3. A.S. Gudovskikh, J.P. Kleider, A. Froitzheim, W. Fuhs, E.I. Terukov. Thin Sol. Films, 451- 452, 345 (2004)
  4. D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  5. J.A. Borsuk, R.M. Swanson. IEEE Trans. Electron Dev., ED-27, 2217 (1980)
  6. V.G. Litvinov, N.V. Vishnyakov, V.V. Gudzev, V.G. Mishustin, S.M. Karabanov, S.P. Vikhrov, A.S. Karabanov. Power Electronics and Renewable Energy Conversion USB, Proc. IEEE Intern. Conf. Industrial Technology (2015)
  7. S.M. Sze, Kwok K. Ng. Physics of semiconductor devices (John Wiley\&Sons, N.Y., 2006)
  8. A.S. Gudovskikh, J.P. Kleider, E.I. Terukov. Semiconductors, 39, 904 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.