"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование характеристик гетеропереходных солнечных элементов на основе тонких пластин монокристаллического кремния
Переводная версия: 10.1134/S1063782618070230
Теруков Е.И.1,2, Абрамов А.С.2, Андроников Д.А.2, Емцев К.В.2, Панайотти И.Е.1, Титов А.С.1,2, Шелопин Г.Г.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, Санкт-Петербург, Россия
Email: eug.terukov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 ноября 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.

Проведено экспериментальное исследование рабочих характеристик гетеропереходных солнечных элементов на основе пластин монокристаллического кремния уменьшенной толщины. Установлено, что при уменьшении толщины кремниевых пластин на 40% по сравнению со стандартными значениями происходит ухудшение эффективности фотоэлектрического преобразования до 5%. Полученные результаты имеют практическую ценность для оценки коммерческой целесообразности производства солнечных элементов уменьшенной толщины.
  1. K. Masuko, M. Shigematsu, T. Hashiguchi et al. IEEE J. Photovolt., 4 (6), 1433 (2014)
  2. N. Bassi, C. Clerc, Y. Pelet et al. Proc. 29th Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf., I, 1180 (2014)
  3. T. Tiedje, E. Yablonovitch, G.D. Cody, B.G. Brooks. IEEE Trans. Electron Dev., ED-31 (5), (1984)
  4. А.В. Саченко, Ю.В. Крюченко, В.П. Костылев, И.О. Соколовский, А.С. Абрамов, А.В. Бобыль, И.Е. Понайотти, Е.И. Теруков. ФТП, 50 (2), 259 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.