"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Полевой транзистор на протонной проводимости пленок оксида графена и нафиона
Переводная версия: 10.1134/S106378261803020X
Смирнов В.А.1, Мокрушин А.Д.2, Денисов Н.Н.1, Добровольский Ю.А.1
1Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
Email: vas@icp.ac.ru, mad@mail.ru, ndenisov@cat.icp.ac.ru, dobr@icp.ac.ru
Поступила в редакцию: 28 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

В модели полевого транзистора исследована протонная проводимость в пленках оксида графена и нафиона в зависимости от влажности и напряжений на электродах. Электрические характеристики пленок подобны друг другу, но подвижность положительных зарядов в нафионе и усиление тока на 2-3 порядка выше, чем в оксиде графена. В пленках оксида графена отрицательно-ионный ток при положительном напряжении смещения составляет заметную величину от протонного (до ~10%), в то время как в пленках нафиона он практически отсутствует (<1%). DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45624.8594a
  1. O.C. Compton, S.B.T. Nguyen. Small, 6, 711 (2010)
  2. T. Ramanathan, A.A. Abdala, S. Stankovich, D.A. Dikin, M. Herrera-Alonso, R.D. Piner, D.H. Adamson, H.C. Schniepp, X. Chen, R.S. Ruoff, S.T. Nguyen, I.A. Aksay, R.K. Prud'Homme, L.C. Brinson. Nature Nanotechnol., 3, 327 (2008)
  3. F. Perrozzi, S. Prezioso, L. Ottaviano. J. Phys.: Condens. Matter, 27, 013002 (2015)
  4. D.A. Dikin, S. Stankovich, E.J. Zimney, R.D. Piner, G.H.B. Dommett, G. Evmenenko, S.T. Nguyen, R.S. Ruoff. Nature, 448, 457 (2007)
  5. X. Wu, M. Sprinkle, X. Li, F. Ming, C. Berger, W.A. de Heer. Phys. Rev. Lett., 101, 026801 (2008)
  6. G. Eda, Y.-Y. Lin, C. Mattevi, H. Yamaguchi, H.-A. Chen, I.-S. Chen, C.-W. Chen, M. Chhowalla. Adv. Mater., 22, 505 (2010)
  7. L.W.K. Lee, Y.-Y. Sun, M. Lucking, Z. Chen, J.J. Zhao, S.B. Zhang. ACS Nano, 3, 2995 (2009)
  8. B.S. Paratala, B.D. Jacobson, S. Kanakia, L.D. Francis, B. Sitharaman. PLoS ONE, 7, e38185 (2012)
  9. И.В. Антонова, И.А. Котин, В.И. Попов, Ф.Д. Васильева, А.Н. Капитонов, С.А. Смагулова. ФТП, 50, 1086 (2016) [Simiconductors, 50, 1065 (2016)]
  10. W. Gao, N. Singh, L. Song, Z. Liu, A.L. Reddy, L. Ci, R. Vajtai, Q. Zhang, B. Wei, P.M. Ajayan. Nature Nanotechnol., 6, 496 (2011)
  11. Y.M. Shulga, S.A. Baskakov, V.A. Smirnov, N.Y. Shulga, K.G. Belay, G.L. Gutsev. J. Power Sources, 245, 33 (2014)
  12. V.A. Smirnov, N.N. Denisov, A.E. Ukshe, Yu.M. Shulga. Chem. Phys. Lett., 583, 155 (2013)
  13. V.A. Smirnov, N.N. Denisov, N.N. Dremova, Y.M. Vol'fkovich, A.Y. Rychagov, V.E. Sosenkin, K.G. Belay, G.L. Gutsev, N.Yu. Shulga, Yu.M. Shulga. Appl. Phys. A, 117, 1859 (2014)
  14. M.R. Karim, K. Hatakeyama, T. Matsui, H. Takehira, T. Taniguchi, M. Koinuma, Y. Matsumoto, T. Akutagawa, T. Nakamura, S.-I. Noro, T. Yamada, H. Kitagawa, S. Hayami. J. Am. Chem. Soc., 135, 8097 (2013)
  15. K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva, A.A. Firsov. Science, 306, 666 (2004)
  16. M. Lemme. Sol. St. Phenomena, 156, 499 (2010)
  17. F. Schwierz. Nature Nanotechnol., 5, 486 (2010)
  18. A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, R.S. Novoselov, A.K. Geim. Rev. Mod. Phys., 81, 109 (2009)
  19. J.-H. Chen, C. Jang, S. Xiao, M. Ishigami, M.S. Fuhrer. Nature Nanotechnol., 3, 206 (2008)
  20. I. Childres, L.A. Jauregui, M. Foxe, J. Tian, R. Jalilian, I. Jovanovic, Y.P. Chen. Appl. Phys. Lett., 97, 173109 (2010)
  21. И.В. Антонова, И.А. Котин, В.И. Попов, Ф.Д. Васильева, А.Н. Капитонов, С.А. Смагулова. ФТП, 50, 1086 (2016). [Semiconductors, 50, 1065 (2016)]
  22. G. Eda, A. Nathan, P. Wobkenberg, F. Colleaux, T.D. Ghaffarzadeh, K. Anthopoulos, M. Chhowalla. Appl. Phys. Lett., 102, 133108 (2013)
  23. B. Standley, A. Mendez, E. Schmidgall, M. Bockrath. Nano Lett., 12, 1165 (2012).
  24. S.-K. Lee, H.Y. Jang, S. Jang, E. Choi, B.H. Hong, J. Lee, S. Park, J.-H. Ahn. Nano Lett., 12, 3472 (2012)
  25. A.N. Aleshin, I.P. Shcherbakov, A.S. Komolov, V.N. Petrov, I.N. Trapeznikova. Organic Electron., 16, 186 (2015)
  26. M.A. Mamo, A.O. Sustaita, N.J. Coville, I.A. Hummelgen. Organic Electron., 14, 175 (2013)
  27. T.-W. Kim, N. Cernetic, Y. Gao, S. Bae, S. Lee, H. Ma, H. Chen, A.K.-Y. Jen. Organic Electron., 15, 2775 (2014)
  28. Y. Park, D. Gupta, C. Lee, Y. Hong. Organic Electron., 13, 2887(2012)
  29. В.А. Смирнов, А.Д. Мокрушин, В.П. Васильев, Н.Н. Денисов, К.Н. Денисова. Письма ЖТФ, 13, 18 (2016). [Techn. Phys. Lett., 42, 671 (2016)]
  30. V.A. Smirnov, A.D. Mokrushin, V.P. Vasiliev, N.N. Denisov, K.N. Denisova. Appl. Phys. A, 122, 513 (2016)
  31. C. Zhong, Y. Deng, A.F. Roudsari, A. Kapetanovic, M.P. Anantram, M. Rolandi. Nature Commun., 2, 476 (2011)
  32. K.L. Riskey. http://dspace.library.colostate.edu/webclient/ deliverymanager/digitool\_items/csm01\_storage/2013/06/15/ file\_1/207313
  33. A.M. Deml, A.L. Bunge, M.A. Reznikov, A. Kolessov, R.P. O'Hayre. J. Appl. Phys., 111, 074511 (2012)
  34. M.A. Hickner, H. Ghassemi, Y.S. Kim, B.R. Einsla, J.E. McGrath. Chem. Rev., 104, 4587 (2004)
  35. K.A. Mauritz, R.B. Moore. Chem. Rev., 104, 4535 (2004)
  36. R.H. Alonso, L. Estevez, H. Lian, A. Kelarakis, E.P. Giannelis. Polymer, 50, 2402 (2009)
  37. S. Seesukphronrarak, A. Ohira. Chem. Commun., 45, 4744 (2009)
  38. S. Ochi, O. Kamishima, J. Mizusaki, J. Kawamura. Solid State Ionics, 180, 580 (2009)
  39. R. Kumar, M. Mamlouk, K. Scott. Int. J. Electrochem., Article ID 434186 (2011)
  40. S. Hu, M. Lozada-Hidalgo, F.C. Wang, A. Mishchenko, F. Schedin, R.R. Nair, E.W. Hill, D.W. Boukhvalov, M.I. Katsnelson, R.A.W. Dryfe, I.V. Grigorieva, H.A. Wu, A.K. Geim. Nature, 516, 227 (2014)
  41. L.M. Onishi, J.M. Prausnitz, J. Newman. J. Phys. Chem. B, 111, 10166 (2007)
  42. Y. Sone, P. Ekdunge, D. Simonsson. J. Electrochem. Soc., 143, 1254 (1996)
  43. S. Hink, N. Wagner, W.G. Besslerm, E. Roduner. Membranes, 2, 237 (2012)
  44. K.D. Kreuer. Annu. Rev. Mater. Res., 33, 333 (2003)
  45. M. Kunst, J.M. Warman. Nature, 288, 465 (2980).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.