Механизм и закономерность снижения светового потока светодиодов на основе структур AlGaN/InGaN/GaN с квантовыми ямами при длительном протекании прямого тока различной плотности
Маняхин Ф.И.1
1Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: zaomisis@yandex.ru
Поступила в редакцию: 24 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.
Установлен механизм снижения светового потока светодиодов на основе гетеростуктур AlGaN/InGaN/ GaN с квантовыми ямами. Уменьшение светового потока связано с генерацией точечных дефектов в активной области гетероструктур вследствие взаимодействия кристаллической решетки полупроводника с горячими носителями заряда, образующимися в режиме отклонения вольт-амперной зависимости от экспоненты. Получено аналитическое выражение закономерности спада светового потока в процессе длительного протекания тока, которое подтверждается экспериментальными результатами. Показано, что на ход зависимости светового потока от времени работы в значительной степени влияет неоднородность распределения индия в квантовых ямах. DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45625.8341
- Т.В. Торчинская, Г.И. Семенова, М.К. Шейнкман. Укр. физ. журн., 34 (2),1079 (1989)
- Ф.И. Маняхин. Изв. вузов. Матер. электрон. техн., 2, 54 (2010)
- Н.И. Бочкарева, А.А. Ефремов, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, А.В. Клочков, Ю.Т. Шретер. ФТП, 40 (1), 122 (2006)
- С.Г. Никифоров. Компоненты и технологии, 11, 42 (2006)
- К.А. Виноградова, В.Е. Бугров, А.Р. Ковш, М.А. Одноблюдов, В.И. Николаева, А.Е. Романов. Изв. вузов. Приборостроение, 56 (11), 87 (2015)
- И.М. Викулин, В.И. Ирха, Б.В. Коробицын, В.Э. Горбачев. Технология и конструирование в электрон. аппаратуре, 2, 55 (2004)
- И.В. Рожанский, Д.А. Закгейм. ФТП, 40 (2), 861 (2006)
- Е.К. Наими, С.Г. Никифоров, О.И. Рабинович, В.П. Сушков. Изв. вузов. Матер. электрон. техн., 1, 96 (2009)
- Е.К. Наими, О.И. Рабинович, В.П. Сушков. Изв. вузов. Матер. электрон. техн., 3, 58, (2006)
- Е.К. Naimi, O.I. Rabinovich. Crystallography Reports, 56 (3), 486 (2011)
- H.M. Шмидт, A.C. Усиков, Е.И. Шабувина, А.Е. Черняков, С.Ю. Курин, Ю.Н. Макаров, Х.И. Хелава, Б.П. Панченко. Науч.-техн. вестн. информационных технологий, механики и оптики, 15 (1), 46 (2015)
- Ф.И. Маняхин. Изв. вузов. Матер. электрон. техн., 3, 51 (2009)
- Ф.И. Маняхин, А.Б. Ваттана, Л.О. Мокрецова. Матер. заочной Междунар. конф. " Инновационное развитие отраслевой автоматизации, информационных и энергосберегающих технологий. Современное состояние, проблематика и перспективы" // М., МИСиС, 20 декабря (2013)
- В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках ( М., Наука, 1981)
- В.Е. Кудряшов, С.С. Мамакин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. ФТП, 35 (7), 861 (2001)
- В.П. Сушков, С.Г. Никифоров. Полупроводниковая светотехника, 3, 10, (2011)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
