"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизм и закономерность снижения светового потока светодиодов на основе структур AlGaN/InGaN/GaN с квантовыми ямами при длительном протекании прямого тока различной плотности
Переводная версия: 10.1134/S1063782618030168
Маняхин Ф.И.1
1Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: zaomisis@yandex.ru
Поступила в редакцию: 24 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

Установлен механизм снижения светового потока светодиодов на основе гетеростуктур AlGaN/InGaN/ GaN с квантовыми ямами. Уменьшение светового потока связано с генерацией точечных дефектов в активной области гетероструктур вследствие взаимодействия кристаллической решетки полупроводника с горячими носителями заряда, образующимися в режиме отклонения вольт-амперной зависимости от экспоненты. Получено аналитическое выражение закономерности спада светового потока в процессе длительного протекания тока, которое подтверждается экспериментальными результатами. Показано, что на ход зависимости светового потока от времени работы в значительной степени влияет неоднородность распределения индия в квантовых ямах. DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45625.8341
  1. Т.В. Торчинская, Г.И. Семенова, М.К. Шейнкман. Укр. физ. журн., 34 (2),1079 (1989)
  2. Ф.И. Маняхин. Изв. вузов. Матер. электрон. техн., 2, 54 (2010)
  3. Н.И. Бочкарева, А.А. Ефремов, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, А.В. Клочков, Ю.Т. Шретер. ФТП, 40 (1), 122 (2006)
  4. С.Г. Никифоров. Компоненты и технологии, 11, 42 (2006)
  5. К.А. Виноградова, В.Е. Бугров, А.Р. Ковш, М.А. Одноблюдов, В.И. Николаева, А.Е. Романов. Изв. вузов. Приборостроение, 56 (11), 87 (2015)
  6. И.М. Викулин, В.И. Ирха, Б.В. Коробицын, В.Э. Горбачев. Технология и конструирование в электрон. аппаратуре, 2, 55 (2004)
  7. И.В. Рожанский, Д.А. Закгейм. ФТП, 40 (2), 861 (2006)
  8. Е.К. Наими, С.Г. Никифоров, О.И. Рабинович, В.П. Сушков. Изв. вузов. Матер. электрон. техн., 1, 96 (2009)
  9. Е.К. Наими, О.И. Рабинович, В.П. Сушков. Изв. вузов. Матер. электрон. техн., 3, 58, (2006)
  10. Е.К. Naimi, O.I. Rabinovich. Crystallography Reports, 56 (3), 486 (2011)
  11. H.M. Шмидт, A.C. Усиков, Е.И. Шабувина, А.Е. Черняков, С.Ю. Курин, Ю.Н. Макаров, Х.И. Хелава, Б.П. Панченко. Науч.-техн. вестн. информационных технологий, механики и оптики, 15 (1), 46 (2015)
  12. Ф.И. Маняхин. Изв. вузов. Матер. электрон. техн., 3, 51 (2009)
  13. Ф.И. Маняхин, А.Б. Ваттана, Л.О. Мокрецова. Матер. заочной Междунар. конф. " Инновационное развитие отраслевой автоматизации, информационных и энергосберегающих технологий. Современное состояние, проблематика и перспективы" // М., МИСиС, 20 декабря (2013)
  14. В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках ( М., Наука, 1981)
  15. В.Е. Кудряшов, С.С. Мамакин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. ФТП, 35 (7), 861 (2001)
  16. В.П. Сушков, С.Г. Никифоров. Полупроводниковая светотехника, 3, 10, (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.