Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2023
- 1 2 3
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения (lambda=808 нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии

DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45626.8740

Переводная версия: 10.1134/S1063782618030120

Хвостиков В.П.¹, Сорокина С.В.¹, Потапович Н.С.¹, Хвостикова О.А.¹, Тимошина Н.Х.¹, Шварц М.З.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: vlkh@scell.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 4 октября 2017 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На основе однопереходных структур n-Al_0.07Ga_0.93As-p-Al_0.07 Ga_0.93As-p-Al_0.25Ga_0.75As методом эпитаксии из жидкой фазы получены преобразователи лазерного излучения (ЛИ) для длины волны lambda=808 нм, проведено их тестирование при равномерном (импульсный имитатор) и частично неравномерном (лазерный луч) распределении освещенности на фотоприемной поверхности. При равномерной засветке на образцах площадью S=4 cм² при мощности 1.2 Вт достигнут монохроматический кпд eta=53.1%. Для преобразователей с S=10.2 мм² кпд составил 58.3% при мощности лазерного излучения 0.7 Вт. DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45626.8740

L.C. Olsen, D.A. Huber, G. Dunham, F.W. Addis. Proc. 22nd IEEE Photovoltaic Specialist Conf. (N.Y., USA, 1991) p. 419
В.П. Хвостиков, С.В. Сорокина, Н.С. Потапович, О.А. Хвостикова, Н.Х. Тимошина. ФТП, 51 (5), 676 (2017)
В.М. Андреев. Альтернативный киловатт, 6 (18), 1 (2012)
В.П. Хвостиков, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, С.В. Сорокина, Н.С. Потапович, В.М. Емельянов, Н.Х. Тимошина, В.М. Андреев. ФТП, 50, 1242 (2016)
В.М. Емельянов, С.А. Минтаиров, С.В. Сорокина, В.П. Хвостиков, М.З. Шварц. ФТП, 50, 125 (2016).
Электронный ресурс https://www.gentec-eo.com
M.Z. Shvarts, A.E. Chalov, E.A. Ionova, V.R. Larionov, D.A. Malevskiy, V.D. Rumyantsev, S.S. Titkov. Proc. 20th Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Barcelona, Spain, 2005) p. 278

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель