Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения (lambda=808 нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии
Хвостиков В.П.1, Сорокина С.В.1, Потапович Н.С.1, Хвостикова О.А.1, Тимошина Н.Х.1, Шварц М.З.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vlkh@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 октября 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.
На основе однопереходных структур n-Al0.07Ga0.93As-p-Al0.07 Ga0.93As-p-Al0.25Ga0.75As методом эпитаксии из жидкой фазы получены преобразователи лазерного излучения (ЛИ) для длины волны lambda=808 нм, проведено их тестирование при равномерном (импульсный имитатор) и частично неравномерном (лазерный луч) распределении освещенности на фотоприемной поверхности. При равномерной засветке на образцах площадью S=4 cм2 при мощности 1.2 Вт достигнут монохроматический кпд eta=53.1%. Для преобразователей с S=10.2 мм2 кпд составил 58.3% при мощности лазерного излучения 0.7 Вт. DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45626.8740
- L.C. Olsen, D.A. Huber, G. Dunham, F.W. Addis. Proc. 22nd IEEE Photovoltaic Specialist Conf. (N.Y., USA, 1991) p. 419
- В.П. Хвостиков, С.В. Сорокина, Н.С. Потапович, О.А. Хвостикова, Н.Х. Тимошина. ФТП, 51 (5), 676 (2017)
- В.М. Андреев. Альтернативный киловатт, 6 (18), 1 (2012)
- В.П. Хвостиков, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, С.В. Сорокина, Н.С. Потапович, В.М. Емельянов, Н.Х. Тимошина, В.М. Андреев. ФТП, 50, 1242 (2016)
- В.М. Емельянов, С.А. Минтаиров, С.В. Сорокина, В.П. Хвостиков, М.З. Шварц. ФТП, 50, 125 (2016).
- Электронный ресурс https://www.gentec-eo.com
- M.Z. Shvarts, A.E. Chalov, E.A. Ionova, V.R. Larionov, D.A. Malevskiy, V.D. Rumyantsev, S.S. Titkov. Proc. 20th Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Barcelona, Spain, 2005) p. 278
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
