"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О рекомбинационных процессах в пленках CdS-PbS
Переводная версия: 10.1134/S1063782618080171
Роках А.Г.1, Шишкин М.И.1, Аткин В.С.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: shishkin1mikhail@gmail.com
Поступила в редакцию: 12 июля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.

Исследовалась поперечная и продольная фотопроводимость, фото- и катодолюминесценция сублимированных пленок CdS(0.9)-PbS(0.1) при комнатной температуре и охлаждении, показана роль включений узкозонной фазы в рассмотренных процессах. Возбуждение производилось как по всей активной поверхности пленки, так и "точечно" (в пределах одного кристаллита). Выполнена оценка скорости поверхностной рекомбинации и времени жизни основных носителей заряда при разной скорости генерации и характере их возбуждения. Дается сравнительная таблица рекомбинационных свойств пленок CdS и CdS-PbS.
  1. З.И. Кирьяшкина, А.Г. Роках. Фотопроводящие пленки типа CdS (Саратов, изд-во Сарат. ун-та, 1979) с. 192
  2. С.И. Золотов, Н.Б. Трофимова, А.Э. Юнович. ФТП, 18, 631 (1984)
  3. А.Г. Роках, А.В. Кумаков, Н.В. Елагина. ФТП, 13, 787 (1979)
  4. А.Г. Роках, С.В. Стецюра, Н.Б. Трофимова, Н.В. Елагина. Неорг. матер., 35 (4), 1 (1999)
  5. А.Г. Роках, С.В. Стецюра, А.Г. Жуков, А.А. Сердобинцев. Письма ЖТФ, 32 (1), 58 (2006)
  6. A.G. Rokakh, M.D. Matasov. Phys. Express, 1, 57 (2011)
  7. С.В. Стецюра, И.В. Маляр, С.Б. Вениг. Технология и применение гетерогенных структур на основе сульфоселенидов кадмия (Саратов, изд-во Сарат. ун-та, 2013)
  8. G.J. Russell, M.J. Robertson, J. Woods. Phys. Status Solidi A, 57(1), 253 (1980)
  9. О.Н. Казанкин, Л.Я. Марковский, И.А. Миронов, Ф.М. Пскерман, Д.Н. Петошина. Неорганические люминофоры (Л., Химия, 1975) с. 37
  10. А.Г. Роках, М.И. Шишкин, Н.Б. Трофимова. Матер. 2-й Росс. конф. по взаимодействию СВЧ, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми микро- и наноструктурами (Саратов, Россия, 2015) с. 26
  11. Я.А. Угай, О.Б. Яценко, В.Н. Семенов, Е.М. Авербах. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 9 (11), 2055 (1973)
  12. W. van Roosbroeck, W. Shockley. Rhys. Rev., 94, 1558 (1954)
  13. M.J. Panzer, V. Wood, S.M. Geyer, M.G. Bawendi, V. Bulovic. J. Display Technology, 6 (3), 90 (2010)
  14. А.Г. Роках, М.И. Шишкин, С.Б. Вениг, В.С. Аткин. Матер. 2-й Росс. конф. по взаимодействию СВЧ, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми микро- и наноструктурами (Саратов, Россия, 2015) с. 35
  15. В.А. Извозчиков, О.А. Тимофеев. Фотопроводящие окислы свинца в электронике (Л., Энергия, 1979)
  16. А.Н. Грузинцев. Автореф. докт. дис. (Черноголовка, ИПТМ РАН, 1997)
  17. В.Ф. Киселев, С.Н. Козлов, А.В. Зотеев. Основы физики поверхности твердого тела (М., Изд-во Москов. ун-та, 1999) гл. 2, с. 63
  18. А.Г. Роках, М.И. Шишкин. Матер. 24-й Междунар. науч.-техн. конф. и школы по фотоэлектронике и приборам ночного видения (М., Россия, 2016) с. 132
  19. Н.Б. Трофимова. Автореф. канд. дис. (Сарат. гос. ун-т, 1976)
  20. А.Г. Роках, М.И. Шишкин. Прикл. физика, 2, 37 (2017)
  21. И.В. Маляр, М.Д. Матасов, С.В. Стецюра. Письма ЖТФ, 38 (16), 42 (2012)
  22. К. Донолато. Поликристаллические полупроводники (М., Мир, 1989) т. 2, с. 201. [Пер. с англ.: C. Donolato. Polycrystalline semiconductors, Ed. by G. Harbeke (Berlin--Heidelberg--N.Y.--Tokyo, Springer Verlag, 1985) v. 57]
  23. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973) гл. 11, с. 268
  24. Г.П. Пека, О.А. Токалин, Н.К. Дряпико. ФТП, 17 (6), 1087 (1983)
  25. О.Н. Казанкин, Л.Я. Марковский, И.А. Миронов, Ф.М. Пскерман, Д.Н. Петошина. Неорганические люминофоры (Л., Химия, 1975) с. 179
  26. Н.Г. Басов, А.Г. Молчанов, А.С. Насибов, А.З. Обидин, А.Н. Печенов, Ю.М. Попов. Письма ЖЭТФ, 19 (10), 650 (1974)
  27. H.P. Li, C.H. Kam, Y.L. Lam, W. Ji. Optics. Commun., 190, 351 (2001)
  28. А.Г. Роках, М.Д. Матасов. ФТП, 44 (1), 101 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.