Вышедшие номера
Исследование свойств квантовых точек полупроводников AIIBVI и AIIIBV
Переводная версия: 10.1134/S1063782618060155
Михайлов А.И.1, Кабанов В.Ф.1, Горбачев И.А.1, Глуховской Е.Г.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: mikhailovai@mail.ru, v7021961@yandex.r, iliyagorbachev@mail.ru
Поступила в редакцию: 31 августа 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.

Проведено экспериментальное и теоретическое исследование особенностей электронного спектра квантовых точек полупроводниковых материалов групп AIIIBV и AIIBVI. Анализ исследуемых образцов позволил оценить положение первых трех уровней электронного спектра квантового объекта. Получено хорошее качественное и количественное согласование экспериментальных результатов с теоретической оценкой. Показано, что механизм наблюдавшегося тока автоэлектронной эмиссии через квантовую точку удовлетворительно описывается теорией Моргулиса-Стрэттона в условиях эксперимента.