"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров
Переводная версия: 10.1134/S1063782618060039
РФФИ, 16-29-09580
Минобрнауки России, RFMEFI62117X0018
Бабичев А.В. 1,2, Курочкин А.С.2, Колодезный Е.С.2, Филимонов А.В.1, Усикова А.А.1, Неведомский В.Н.3, Гладышев А.Г.1, Карачинский Л.Я.1,2,3, Новиков И.И.1,2,3, Егоров А.Ю. 1,2, Денисов Д.В.1,4
1ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: anton.egorov@connector-optics.com
Поступила в редакцию: 19 октября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.

Представлены результаты по разработке принципиальной конструкции и отработке технологических режимов выращивания гетероструктур одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров. Гетероструктура двухчастотного квантово-каскадного лазера содержит каскады, излучающие на длинах волн 9.6 и 7.6 мкм. На основе предложенной гетероструктуры возможна реализация квантово-каскадного лазера, работающего на разностной частоте 8 ТГц. В качестве метода выращивания гетероструктур квантово-каскадного лазера применена молекулярно-пучковая эпитаксия. Методами рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии исследованы структурные свойства изготовленных гетероструктур. Продемонстрировано хорошее совпадение заданных и реализованных толщин эпитаксиальных слоев, высокая однородность химического состава и толщин эпитаксиальных слоев по площади гетероструктуры. Изготовлены полосковые квантово-каскадные лазеры и продемонстрирована их генерация на длине волны 9.6 мкм.
  1. P.H. Siegel. IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 50 (3), 910 (2002)
  2. M. Tonouchi. Nature Photonics, 1 (2), 97 (2007)
  3. B.S. Williams, S. Kumar, Q. Hu, J.L. Reno. Elecatron. Lett., 42 (2), 89 (2006)
  4. L.H. Li, L. Chen, J.R. Freeman, M. Salih, P. Dean, A.G. Davies, E.H. Linfield. Electron. Lett., 53 (12), 799 (2017)
  5. M. Wienold, B. Roben, L. Schrottke, R. Sharma, A. Tahraoui, K. Biermann, H. T. Grahn. Opt. Express, 22 (3), 3334 (2014)
  6. S. Fathololoumi, E. Dupont, C.W.I. Chan, Z.R. Wasilewski, S.R. Laframboise, D. Ban, A. Matyas, C. Jirauschek, Q. Hu, H.C. Liu. Opt. Express, 20 (4), 3866 (2012)
  7. Q. Lu, D. Wu, S. Sengupta, S. Slivken, M. Razeghi. Sci. Rep., 6, 23595 (2016)
  8. M. Razeghi, Q.Y. Lu, N. Bandyopadhyay, W. Zhou, D. Heydari, Y. Bai, S. Slivken. Opt. Express, 23, 8462 (2015)
  9. G. Xu, R. Colombelli, S.P. Khanna, A. Belarouci, X. Letartre, L. Li, E.H. Linfield, A.G. Davies, H.E. Beere, D.A. Ritchie. Nature Commun., 3, 952 (2012)
  10. H. Zhu, F. Wang, Q. Yan, C. Yu, J. Chen, G. Xu, L. He, L. Li, L. Chen, A. Giles Davies, E.H. Linfield, J. Hao, P.-B. Vigneron, R. Colombelli. Appl. Phys. Lett., 109 (23), 231105 (2016)
  11. M. Brandstetter, C. Deutsch, M. Krall, H. Detz, D.C. MacFarland, T. Zederbauer, A.M. Andrews, W. Schrenk, G. Strasser, K. Unterrainer. Appl. Phys. Lett., 103 (17), 171113 (2013)
  12. E. Kapon, A. Sirbu. Nature Photonics, 3 (1), 27 (2009)
  13. E.P. Haglund, S. Kumari, P. Westbergh, J.S. Gustavsson, R.G. Baets, G. Roelkens, A. Larsson. IEEE Phot. Techn. Lett., 28 (8), 856 (2016)
  14. A.V. Babichev, L.Y. Karachinsky, I.I. Novikov, A.G. Gladyshev, S. Mikhailov, V. Iakovlev, A. Sirbu, G. Stepniak, L. Chorchos, J.P. Turkiewicz, M. Agustin, N. N. Ledentsov, K.O. Voropaev, A.S. Ionov, A.Y. Egorov. Proc. SPIE (San Francisco, CA, United States, 2017) v. 10122, p. 1012208-1
  15. A.V. Babichev, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, A.G. Gladyshev, S.A. Blokhin, S. Mikhailov, V. Iakovlev, A. Sirbu, G. Stepniak, L. Chorchos, J. P. Turkiewicz, K.O. Voropaev, A.S. Ionov, M. Agustin, N.N. Ledentsov, A.Yu. Egorov. IEEE J. Quant. Electron., 53 (6), 1 (2017)
  16. S. Jung, J.H. Kima, Y. Jianga, K. Vijayraghavanb, M.A. Belkin. Proc. SPIE (San Francisco, CA, United States, 2017) v. 10123, p. 1012316-1
  17. Q. Lu, D. Wu, S. Sengupta, S. Slivken, M. Razeghi. Sci. Rep., 6 (1) (2016)
  18. Q. Lu, M. Razeghi. Photonics, 3 (3), 42 (2016)
  19. M.A. Belkin, F. Capasso, F. Xie, A. Belyanin, M. Fischer, A. Wittmann, J. Faist. Appl. Phys. Lett., 92 (20), 201101 (2008)
  20. K. Vijayraghavan, M. Jang, A. Jiang, X. Wang, M. Troccoli, M.A. Belkin. IEEE Phot. Techn. Lett., 26 (4), 391 (2014)
  21. Q.Y. Lu, N. Bandyopadhyay, S. Slivken, Y. Bai, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 99 (13), 131106 (2011)
  22. K. Fujita, M. Hitaka, A. Ito, T. Edamura, M. Yamanishi, S. Jung, M.A. Belkin. Appl. Phys. Lett., 106 (25), 251104 (2015)
  23. A.V. Babichev, A.G. Gladyshev, A.V. Filimonov, V.N. Nevedomskii, A.S. Kurochkin, E.S. Kolodeznyi, G.S. Sokolovskii, V.E. Bugrov, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, A. Bousseksou, A.Yu. Egorov. Techn. Phys. Lett., 43 (7), 666 (2017)
  24. Q.J. Wang, C. Pflugl, L. Diehl, F. Capasso, T. Edamura, S. Furuta, M. Yamanishi, H. Kan. Appl. Phys. Lett., 94 (1), 011103 (2009)
  25. A.S. Kurochkin, I.I. Novikov, L.Ya. Karachinsky, D.V. Denisov, A.G. Gladyshev, G.A. Gusev, A.N. Sofronov, A.A. Usikova, Yu.M. Zadiranov, G.S. Sokolovsky, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov. J. Phys.: Conf. Ser. 917, 052016 (2017)
  26. G.A. Gusev, A.N. Sofronov, D.A. Firsov, L.E. Vorobjev, A.V. Babichev, A.A. Usikova, N.D. Il'inskaya, Yu.M. Zadiranov, V.N. Nevedomsky, G.S. Sokolovskii, V.M. Ustinov, A.G. Gladyshev, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, A.Yu. Egorov. J. Phys.: Conf. Ser. 917, 052019 (2017).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.