Вышедшие номера
Квантовые осцилляции релаксации фотопроводимости в p-i-n-гетеродиодах GaAs/InAs/AlAs
Переводная версия: 10.1134/S1063782618060088
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), конкурс "а" 2018, 18-02-00425
Ханин Ю.Н.1, Вдовин Е.Е.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
Email: vozzyzualy@yandex.ru, vdov62@yandex.ru
Поступила в редакцию: 5 июля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.

Исследована фотопроводимость и ее релаксационные характеристики при импульсном освещении в туннельных гетероструктурах GaAs/AlAs p-i-n-типа. Обнаружены квантовые осцилляции фотопроводимости в зависимости от напряжения смещения с не зависящим от длины световой волны периодом и осциллирующая компонента релаксационных кривых, обусловленная модуляцией темпа рекомбинации на крае треугольной квантовой ямы в нелегированном i-слое, так же как и в случае осцилляций фотопроводимости. Единая природа осцилляций стационарной фотопроводимости и релаксационных кривых при импульсном освещении непосредственно подтверждается отсутствием осциллирующей компоненты в обоих типах зависимостей части исследовавшихся p-i-n-гетероструктур. Одновременное подавление наблюдаемых осцилляций обoих типов зависимостей с повышением температуры до 80 K также подтверждает предлагаемый нами механизм их формирования. Исследованы зависимости этих осцилляций от магнитного поля и мощности светового излучения. Подавление амплитуды осцилляций в перпендикулярном току магнитном поле ~2 Тл обусловлено влиянием силы Лоренца на баллистическое движение носителей в области треугольной квантовой ямы.