Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Квантовые осцилляции релаксации фотопроводимости в p-i-n-гетеродиодах GaAs/InAs/AlAs

DOI: 10.21883/FTP.2018.06.45921.8679

Переводная версия: 10.1134/S1063782618060088

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), конкурс "а" 2018, 18-02-00425

Ханин Ю.Н.¹, Вдовин Е.Е.¹

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

Email: vozzyzualy@yandex.ru, vdov62@yandex.ru

Поступила в редакцию: 5 июля 2017 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована фотопроводимость и ее релаксационные характеристики при импульсном освещении в туннельных гетероструктурах GaAs/AlAs p-i-n-типа. Обнаружены квантовые осцилляции фотопроводимости в зависимости от напряжения смещения с не зависящим от длины световой волны периодом и осциллирующая компонента релаксационных кривых, обусловленная модуляцией темпа рекомбинации на крае треугольной квантовой ямы в нелегированном i-слое, так же как и в случае осцилляций фотопроводимости. Единая природа осцилляций стационарной фотопроводимости и релаксационных кривых при импульсном освещении непосредственно подтверждается отсутствием осциллирующей компоненты в обоих типах зависимостей части исследовавшихся p-i-n-гетероструктур. Одновременное подавление наблюдаемых осцилляций обoих типов зависимостей с повышением температуры до 80 K также подтверждает предлагаемый нами механизм их формирования. Исследованы зависимости этих осцилляций от магнитного поля и мощности светового излучения. Подавление амплитуды осцилляций в перпендикулярном току магнитном поле ~2 Тл обусловлено влиянием силы Лоренца на баллистическое движение носителей в области треугольной квантовой ямы.

J.C. Blakesley, P. See, A.J. Shields, B.E. Kardynal, P. Atkinson, I. Farrer, D.A. Ritchie. Phys. Rev. Lett., 94, 067401 (2005)
O. Makarovsky, E.E. Vdovin, A. Patane, L. Eaves, M.N. Makhonin, A.I. Tartakovskii, M. Hopkinson. Phys. Rev. Lett., 108, 117402 (2012)
Q.C. Weng, Z.H. An, D.Y. Xiong, B. Zhang, P.P. Chen, T.X. Li, Z.O. Zhu, W. Lu. Appl. Phys. Lett., 105, 031114 (2014)
Wangping Wang, Ying Hou, Dayuan Xoing, Ning Li, Wei Lu, Wenxing Wang, Hong Chen, Junming Zhou, E. Wu, Heping Zengless. Appl. Phys. Lett., 92 (2), 023508 (2008)
T.W. Hickmott, P.M. Solomon, F.F. Fang, F. Stern, R. Fischer, H. Morkoc. Phys. Rev. Lett., 52, 2053 (1984)
M. Alikacem, D.K. Maude, L. Eaves, M. Henini, G. Hill, M.A. Pate, Appl. Phys. Lett., 59, 3124 (1991)
M.L. Leadbeater, E.S. Alves, L. Eaves, M. Henini, O.H. Hughes, A. Celeste, J.C. Portal, G. Hill, M.A Pate. J. Phys.: Condens. Matter, 1, 4865 (1989)
T.M. Fromhold, L. Eaves, F.W. Sheard, M.L. Leadbeater, T.J. Foster, P.C. Main. Phys. Rev. Lett., 72, 2608 (1994)
В.Л. Альперович, Н.Т. Мошегов, B.A. Ткаченко, O.A. Ткаченко, А.И. Торопов, A.C. Ярошевич. Письма ЖЭТФ, 70, 112 (1999)
Ю.Н. Ханин, Е.Е. Вдовин, О. Макаровский, M. Хенини. Письма ЖЭТФ, 102 (11), 830, (2015)
Дж. Гауэр. Оптические системы связи, пер. с англ. (М., Радио и связь, 1989) c. 319
В.В. Вайнберг, В.М. Васецкий, Ю.Н. Гуденко, В.Н. Порошин, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков. ФТП, 46 (12), 1609 (2012); С.В. Морозов, М.С. Жолудев, А.В. Антонов, В.В. Румянцев, В.И. Гавриленко, В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, O. Drachenko, S. Winnerl, H. Schneider, M. Helm. ФТП, 46 (11), 1388 (2012)
S. Winnerl, M. Orlita, P. Plochocka, P. Kossacki, M. Potemski, T. Winzer, E. Malic, A. Knorr, M. Sprinkle, C. Berger, W.A. de Heer, H. Schneider, M. Helm. Phys. Rev. Lett., 107, 237401 (2011)
E.E. Vdovin, M. Ashdown, A. Patane, L. Eaves, R.P. Campion, Yu.N. Khanin, M. Henini, O. Makarovsky. Phys. Rev. B, 89, 205305 (2014)
G. Kieb lich, A. Wacker, E. Scholl, S.A. Vitusevich, A.E. Belyaev, S.V. Danylyuk, A. Forster, N. Klein, M. Henini. Phys. Rev. B, 68, 125331 (2003)
A.E. Belyaev, A. Patane, L. Eaves, P.C. Main, M. Henini, S.V. Danylyuk. Nanotechnology, 12, 515 (2001)
A.E. Belyaev, S.A. Vitusevich, L. Eaves, P.C. Main, M. Henini, A. Forster, W. Reetz, S.V. Danylyuk. Nanotechnology, 13, 94 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель