Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Анализ особенностей кристаллической структуры НЕМТ-гетероструктур GaN/Al_0.32Ga_0.68N по данным рентгеновской дифрактометрии методом Вильямсона-Холла

DOI: 10.21883/FTP.2018.06.45920.8661

Переводная версия: 10.1134/S1063782618060209

Пушкарeв С.С.¹, Грехов М.М., Зенченко Н.В.¹

¹Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

Email: serp456207@gmail.com

Поступила в редакцию: 6 июня 2017 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показано, что аппроксимация пиков на кривых рентгеновского дифракционного отражения в режимах theta/2theta- и omega-сканирования точнее всего может быть выполнена инверсным полиномом четвeртой степени или функцией плотности вероятности при распределении Стьюдента. Эти функции хорошо описывают не только центральную, наиболее интенсивную часть экспериментального пика, но также и его малоинтенсивное расширенное основание, обусловленное диффузным рассеянием. С помощью метода Вильямсона-Холла определены средняя микродеформация varepsilon и средний вертикальный размер области когерентного рассеяния D для слоeв GaN (varepsilon~0.00006, D~200 нм) и Al_0.32Ga_0.68N (varepsilon=0.0032±0.0005, D=24±7 нм). Значение D, полученное для слоя Al_0.32Ga_0.68N, обусловлено, скорее всего, толщиной слоя Al_0.32Ga_0.68N, которая номинально составляет 11 нм.

К.Н. Томош, А.Ю. Павлов, В.Ю. Павлов, Р.А. Хабибуллин, С.С. Арутюнян, П.П. Мальцев. ФТП, 50 (10), 1434 (2016)
Д.Н. Слаповский, А.Ю. Павлов, В.Ю. Павлов, А.В. Клековкин. ФТП, 51 (4), 461 (2017)
В.В. Груздов, Ю.В. Колковский, Ю.А. Концевой. Контроль новых технологий в твердотельной СВЧ электронике (М., Техносфера, 2016) ISBN 978-5-94836-426-1
Р.Н. Кютт, А.А. Дышеков. Письма ЖТФ, 37 (7), 31 (2011)
G.K. Williamson, W.H. Hall. Acta Metall., 1, 22 (1953)
В.И. Иверонова. Теория рассеяния рентгеновских лучей (М., Изд-во Московского ун-та, 1978)
Ю.В. Пономарчук. Автореф. канд. дис. физ.-мат. наук (Кемерово, Кемеровский гос. ун-т, 2015)
R. Chierchia, T. Bottcher, H. Heinke, S. Einfeldt, S. Figge, D. Hommel. J. Appl. Phys, 93, 8918 (2003)
И.С. Васильевский, С.С. Пушкарев, М.М. Грехов, А.Н. Виниченко, Д.В. Лаврухин, О.С. Коленцова. ФТП, 50 (4), 567 (2016)
Zhenyang Zhong, O. Ambacher, A. Link, V. Holy, J. Stangl, R.T. Lechner, T. Roch, G. Bauer. Appl. Phys. Lett., 80, 3521 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель