Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование структурных и люминесцентных свойств гетероструктур InAs/GaAs с легированными Bi потенциальными барьерами

DOI: 10.21883/FTP.2018.06.45919.8635

Переводная версия: 10.1134/S1063782618060180

Пащенко А.С.^1,2, Лунин Л.С.^1,2, Чеботарев С.Н.^1,2, Лунина М.Л.¹

¹Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия Federal Research Center Southern Scientific Center of the Russian Academy of Sciences, Rostov-on-Don, Russia

Federal Research Center Southern Scientific Center of the Russian Academy of Sciences, Rostov-on-Don, Russia

²Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия Platov State Polytechnic University, Novocherkassk, Rostov oblast, Russia

Platov State Polytechnic University, Novocherkassk, Rostov oblast, Russia

Email: as.pashchenko@gmail.com

Поступила в редакцию: 10 мая 2017 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.

PDF версия

Исследовано влияние Bi в барьерных слоях GaAs на структурные и оптические свойства гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками. Методами атомно-силовой микроскопии и рамановской спектроскопии установлено, что введение Bi до 5 ат% в GaAs приводит к снижению плотности квантовых точек InAs с 1.58·10¹⁰ до 0.93·10¹⁰ см^-2. Эффект обусловлен уменьшением величины рассогласования параметра кристаллических решеток в гетероинтерфейсе InAs/GaAsBi. При этом отмечается увеличение высоты квантовых точек InAs, вероятно, вызванное возрастанием поверхностной диффузии In в процессе роста на поверхности GaAsBi. Анализ люминесцентных свойств показал, что легирование висмутом потенциальных барьеров GaAs сопровождается красным смещением пика излучения квантовых точек InAs и уменьшает его ширину.

N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, Y.S. Polubavkina, F.I. Zubov, M.V. Maximov, A.A. Lipovskii, M.M. Kulagina, S.I. Troshkov, V.-M. Korpijarvi, T. Niemi, R. Isoaho, M. Guina, M.V. Lebedev, T.V. Lvova, A.E. Zhukov. J. Appl. Phys., 120 (23), 233103 (2016)
F.I. Zubov, N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, Y.S. Polubavkina, O.I. Simchuk, M.M. Kulagina, Y.M. Zadiranov, S.I. Troshkov, A.A. Lipovskii, M.V. Maximov, A.E. Zhukov. Semiconductors, 50 (10), 1408 (2016)
A.E. Zhukov, A.R. Kovsh. Quant. Electron., 38 (5), 409 (2008)
A.M. Nadtochiy, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, S.S. Rouvimov, Y.M. Shernyakov, A.S. Payusov, M.V. Maximov, A.E. Zhukov. Semiconductors, 49 (8), 1090 (2015)
G.S. Sokolovskii, E.A. Viktorov, M. Abusaa, J. Danckaert, V.V. Dudelev, E.D. Kolykhalova, K.K. Soboleva, A.G. Deryagin, I.I. Novikov, M.V. Maximov, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, V.I. Kuchinskii, W. Sibbett, E.U. Rafailov, T. Erneux. Appl.Phys. Lett., 106 (26), 261103 (2015)
N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, R.A. Salii, A.M. Nadtochiy, A.S. Payusov, P.N. Brunkov, V.N. Nevedomsky, M.Z. Shvarts, A. Marti, V.M. Andreev, A. Luque. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 24 (9), 1261 (2016)
E. Lopez, A. Datas, I. Ramiro, P.G. Linares, E. Antoli n, I. Artacho, A. Marti, A. Luque, Y. Shoji, T. Sogabe, A. Ogura, Y. Okada. Solar Energy Mater. Solar Cells, 149, 15 (2016)
L.S. Lunin, I.A. Sysoev, D.L. Alfimova, S.N. Chebotarev, A.S. Pashchenko. J. Surf. Inv., 5 (3), 559 (2011)
S.N. Chebotarev, A.S. Pashchenko, A. Williamson, L.S. Lunin, V.A. Irkha, V.A. Gamidov. Tech. Phys. Lett., 41 (7), 661 (2015)
V. Ryzhii, V. Pipa, I. Khmyrova, V. Mitin, M. Willander. Jpn. J. Appl. Phys., 39 (12 B), L1283 (2000)
V. Ryzhii. J. Appl. Phys., 89 (9), 5117 (2001)
J. Phillips. J. Appl. Phys., 91 (7), 4590 (2002)
K. Hirakawa, S.-W. Lee, P. Lelong, S. Fujimoto, K. Hirotani, H. Sakaki. Microelectron. Eng., 63 (1), 185 (2002)
P.N. Brunkov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, Yu.G. Musikhin, N.N. Ledentsov, S.G. Konnikov, A. Polimeni, A. Patane, P.C. Main, L. Eaves, C.M.A.Kapteyn. J. Electron. Mater., 28 (5), 486 (1999)
S. Chakrabarti, A.D. Stiff-Roberts, X.H. Su, P. Bhattacharya, G. Ariyawansa, A.G.U. Perera. J. Phys. D: Appl. Phys., 38 (13), 2135 (2005)
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, Y.Y. Proskuryakov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii. Appl. Phys. Lett., 75 (10), 1413 (1999)
M. Kudo, T. Mishima, S. Iwamoto, T. Nakaoka, Y. Arakawa. Physica E: Low-Dimens. Syst. Nanostruct., 21 (2), 275 (2004)
Z. Shuhui, W. Lu, S. Zhenwu, C. Yanxiang, T. Haitao, G. Huaiju, J. Haiqiang, W. Wenxin, C. Hong, Z. Liancheng. Nanoscale Res. Lett., 7 (1), 87 (2012)
J. Bohrer, A. Krost, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 64 (15), 1992 (1994)
M. Hayne, R. Provoost, M.K. Zundel, Y.M. Manz, K. Eberl, V.V. Moshchalkov. Phys. Rev. B, 62 (15), 10324 (2000)
M. Sugisaki, H.-W. Ren, S. Nair, K. Nishi, Y. Masumoto. Phys. Rev. B, 66 (23), 235309 (2002)
E. Ribeiro, R.L. Maltez, W. Carvalho, D. Ugarte, G. Medeiros-Ribeiro. Appl. Phys. Lett., 81 (16), 2953 (2002)
G. Liu, S.-L. Chuang, S.-H. Park. J. Appl. Phys., 88 (10), 5554 (2000)
B. Liang, A. Lin, N. Pavarelli, C. Reyner, J. Tatebayashi, K. Nunna, J. He, T.J. Ochalski, G. Huyet, D.L. Huffaker. Nanotech., 20 (45), 455604 (2009)
L.S. Lunin, I.A. Sysoev, L.V. Blagina, A.V. Blagin, A.A. Barannik. Inorg. Mater., 45 (8), 841 (2009)
D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina. Inorg. Mater., 50 (2), 113 (2014)
D.F. Reyes, F. Bastiman, C.J. Hunter, D.L. Sales, A.M. Sanchez, J.P.R. David, D. Gonzalez. Nanoscale Res. Lett., 9 (1), 23 (2014)
A.J. Ptak, R. France, D.A. Beaton, K. Alberi, J. Simon, A. Mascarenhas, C.-S. Jiang. J. Cryst. Growth, 338 (1), 107 (2012)
A. Janotti, S.-H. Wei, S.B. Zhang. Phys. Rev. B, 65 (11), 115203 (2002)
L.S. Lunin, A.V. Blagin, V.A. Ovchinnikov. J. Surf. Invest.: X-Ray, Synchrotron Neutron Tech., N 5, 11 (2002)
S. Tixier, M. Adamcyk, T. Tiedje, S. Francoeur, A. Mascarenhas, P. Wei, F. Schiettekatte. Appl. Phys. Lett., 82 (14), 2245 (2003)
H.Y. Liu, M.J. Steer, T.J. Badcock, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick, F. Suarez, J.S. Ng, M. Hopkinson, J.P.R. David. J. Appl. Phys., 99 (4), 046104 (2006)
D.P. Popescu, P.G. Eliseev, A. Stintz, K.J. Malloy. Semicond. Sci. Technol., 19 (1), 33 (2004)
V.V. Mamutin, A.Y. Egorov, N.V. Kryzhanovskaya, V.S. Mikhrin, A.M. Nadtochy, E.V. Pirogov. Semiconductors, 42 (7), 805 (2008)
J. Wu, W. Shan, W. Walukiewicz. Semicond. Sci. Technol., 17 (8), 860 (2002)
J.G. Keizer, J.M. Ulloa, A.D. Utrilla, P.M. Koenraad. Appl. Phys. Lett., 104 (5), 053116 (2014)
A.D. Utrilla, D.F. Reyes, J.M. Ulloa, D. Gonzalez, T. Ben, A. Guzman, A. Hierro. Appl. Phys. Lett., 105 (4), 043105 (2014)
L.S. Lunin, S.N. Chebotarev, A.S. Pashchenko, L.N. Bolobanova. Inorg. Mater., 48 (5), 439 (2012)
A.S. Pashchenko, S.N. Chebotarev, L.S. Lunin, V.A. Irkha. Semiconductors, 50 (4), 545 (2016)
L.S. Lunin, I.A. Sysoev, D.L. Alfimova, S.N. Chebotarev, A.S. Pashchenko. Inorg. Mater., 47 (8), 816 (2011)
A.S. Pashchenko, S.N. Chebotarev, L.S. Lunin. Inorg. Mater., 51 (3), 197 (2015)
S.N. Chebotarev, A.S. Pashchenko, A. Williamson, L.S. Lunin, V.A. Irkha, V.A. Gamidov. Techn. Phys. Lett., 41 (7), 661 (2015)
S.N. Chebotarev, A.S. Pashchenko, V.A. Irkha, M.L. Lunina. J. Nanotech., 2016, 5340218 (2016)
S.N. Chebotarev, A.S. Pashchenko, L.S. Lunin, E.N. Zhivotova, G.A. Erimeev, M.L. Lunina. Beilstein J. Nanotechnol., 8, 12 (2017)
J.A. Steele, R.A. Lewis, J. Horvat, M.J.B. Nancarrow, M. Henini, D. Fan, Y.I. Mazur, M. Schmidbauer, M.E. Ware, S.-Q. Yu, G.J. Salamo. Sci. Rep., 6, 28860 (2016)
R.B. Lewis, M. Masnadi-Shirazi, T. Tiedje. Appl. Phys. Lett., 101 (8), 082112 (2012)
X. Lu, D.A. Beaton, R.B. Lewis, T. Tiedje, M.B. Whitwick. Appl. Phys. Lett., 92 (19), 192110 (2008)
X. Lu, D.A. Beaton, R.B. Lewis, T. Tiedje, Y. Zhang. Appl. Phys. Lett., 95 (4), 041903 (2009)
K. Alberi, O.D. Dubon, W. Walukiewicz, K.M. Yu, K. Bertulis, A. Krotkus. Appl. Phys. Lett., 91 (5), 051909 (2007)
A. Rogalski. Opto-Electron. Rev., 16 (4), 458 (2008).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель