Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2018, выпуск 6 » Статья стр. 581
<<<>>>
Исследование структурных и люминесцентных свойств гетероструктур InAs/GaAs с легированными Bi потенциальными барьерами
DOI: 10.21883/FTP.2018.06.45919.8635
Переводная версия: 10.1134/S1063782618060180
Пащенко А.С.1,2, Лунин Л.С.1,2, Чеботарев С.Н.1,2, Лунина М.Л.1
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
Email: as.pashchenko@gmail.com
Поступила в редакцию: 10 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.
PDF версия
Исследовано влияние Bi в барьерных слоях GaAs на структурные и оптические свойства гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками. Методами атомно-силовой микроскопии и рамановской спектроскопии установлено, что введение Bi до 5 ат% в GaAs приводит к снижению плотности квантовых точек InAs с 1.58·1010 до 0.93·1010 см-2. Эффект обусловлен уменьшением величины рассогласования параметра кристаллических решеток в гетероинтерфейсе InAs/GaAsBi. При этом отмечается увеличение высоты квантовых точек InAs, вероятно, вызванное возрастанием поверхностной диффузии In в процессе роста на поверхности GaAsBi. Анализ люминесцентных свойств показал, что легирование висмутом потенциальных барьеров GaAs сопровождается красным смещением пика излучения квантовых точек InAs и уменьшает его ширину.
  1. N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, Y.S. Polubavkina, F.I. Zubov, M.V. Maximov, A.A. Lipovskii, M.M. Kulagina, S.I. Troshkov, V.-M. Korpijarvi, T. Niemi, R. Isoaho, M. Guina, M.V. Lebedev, T.V. Lvova, A.E. Zhukov. J. Appl. Phys., 120 (23), 233103 (2016)
  2. F.I. Zubov, N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, Y.S. Polubavkina, O.I. Simchuk, M.M. Kulagina, Y.M. Zadiranov, S.I. Troshkov, A.A. Lipovskii, M.V. Maximov, A.E. Zhukov. Semiconductors, 50 (10), 1408 (2016)
  3. A.E. Zhukov, A.R. Kovsh. Quant. Electron., 38 (5), 409 (2008)
  4. A.M. Nadtochiy, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, S.S. Rouvimov, Y.M. Shernyakov, A.S. Payusov, M.V. Maximov, A.E. Zhukov. Semiconductors, 49 (8), 1090 (2015)
  5. G.S. Sokolovskii, E.A. Viktorov, M. Abusaa, J. Danckaert, V.V. Dudelev, E.D. Kolykhalova, K.K. Soboleva, A.G. Deryagin, I.I. Novikov, M.V. Maximov, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, V.I. Kuchinskii, W. Sibbett, E.U. Rafailov, T. Erneux. Appl.Phys. Lett., 106 (26), 261103 (2015)
  6. N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, R.A. Salii, A.M. Nadtochiy, A.S. Payusov, P.N. Brunkov, V.N. Nevedomsky, M.Z. Shvarts, A. Marti, V.M. Andreev, A. Luque. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 24 (9), 1261 (2016)
  7. E. Lopez, A. Datas, I. Ramiro, P.G. Linares, E. Antoli n, I. Artacho, A. Marti, A. Luque, Y. Shoji, T. Sogabe, A. Ogura, Y. Okada. Solar Energy Mater. Solar Cells, 149, 15 (2016)
  8. L.S. Lunin, I.A. Sysoev, D.L. Alfimova, S.N. Chebotarev, A.S. Pashchenko. J. Surf. Inv., 5 (3), 559 (2011)
  9. S.N. Chebotarev, A.S. Pashchenko, A. Williamson, L.S. Lunin, V.A. Irkha, V.A. Gamidov. Tech. Phys. Lett., 41 (7), 661 (2015)
  10. V. Ryzhii, V. Pipa, I. Khmyrova, V. Mitin, M. Willander. Jpn. J. Appl. Phys., 39 (12 B), L1283 (2000)
  11. V. Ryzhii. J. Appl. Phys., 89 (9), 5117 (2001)
  12. J. Phillips. J. Appl. Phys., 91 (7), 4590 (2002)
  13. K. Hirakawa, S.-W. Lee, P. Lelong, S. Fujimoto, K. Hirotani, H. Sakaki. Microelectron. Eng., 63 (1), 185 (2002)
  14. P.N. Brunkov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, Yu.G. Musikhin, N.N. Ledentsov, S.G. Konnikov, A. Polimeni, A. Patane, P.C. Main, L. Eaves, C.M.A.Kapteyn. J. Electron. Mater., 28 (5), 486 (1999)
  15. S. Chakrabarti, A.D. Stiff-Roberts, X.H. Su, P. Bhattacharya, G. Ariyawansa, A.G.U. Perera. J. Phys. D: Appl. Phys., 38 (13), 2135 (2005)
  16. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, Y.Y. Proskuryakov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii. Appl. Phys. Lett., 75 (10), 1413 (1999)
  17. M. Kudo, T. Mishima, S. Iwamoto, T. Nakaoka, Y. Arakawa. Physica E: Low-Dimens. Syst. Nanostruct., 21 (2), 275 (2004)
  18. Z. Shuhui, W. Lu, S. Zhenwu, C. Yanxiang, T. Haitao, G. Huaiju, J. Haiqiang, W. Wenxin, C. Hong, Z. Liancheng. Nanoscale Res. Lett., 7 (1), 87 (2012)
  19. J. Bohrer, A. Krost, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 64 (15), 1992 (1994)
  20. M. Hayne, R. Provoost, M.K. Zundel, Y.M. Manz, K. Eberl, V.V. Moshchalkov. Phys. Rev. B, 62 (15), 10324 (2000)
  21. M. Sugisaki, H.-W. Ren, S. Nair, K. Nishi, Y. Masumoto. Phys. Rev. B, 66 (23), 235309 (2002)
  22. E. Ribeiro, R.L. Maltez, W. Carvalho, D. Ugarte, G. Medeiros-Ribeiro. Appl. Phys. Lett., 81 (16), 2953 (2002)
  23. G. Liu, S.-L. Chuang, S.-H. Park. J. Appl. Phys., 88 (10), 5554 (2000)
  24. B. Liang, A. Lin, N. Pavarelli, C. Reyner, J. Tatebayashi, K. Nunna, J. He, T.J. Ochalski, G. Huyet, D.L. Huffaker. Nanotech., 20 (45), 455604 (2009)
  25. L.S. Lunin, I.A. Sysoev, L.V. Blagina, A.V. Blagin, A.A. Barannik. Inorg. Mater., 45 (8), 841 (2009)
  26. D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina. Inorg. Mater., 50 (2), 113 (2014)
  27. D.F. Reyes, F. Bastiman, C.J. Hunter, D.L. Sales, A.M. Sanchez, J.P.R. David, D. Gonzalez. Nanoscale Res. Lett., 9 (1), 23 (2014)
  28. A.J. Ptak, R. France, D.A. Beaton, K. Alberi, J. Simon, A. Mascarenhas, C.-S. Jiang. J. Cryst. Growth, 338 (1), 107 (2012)
  29. A. Janotti, S.-H. Wei, S.B. Zhang. Phys. Rev. B, 65 (11), 115203 (2002)
  30. L.S. Lunin, A.V. Blagin, V.A. Ovchinnikov. J. Surf. Invest.: X-Ray, Synchrotron Neutron Tech., N 5, 11 (2002)
  31. S. Tixier, M. Adamcyk, T. Tiedje, S. Francoeur, A. Mascarenhas, P. Wei, F. Schiettekatte. Appl. Phys. Lett., 82 (14), 2245 (2003)
  32. H.Y. Liu, M.J. Steer, T.J. Badcock, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick, F. Suarez, J.S. Ng, M. Hopkinson, J.P.R. David. J. Appl. Phys., 99 (4), 046104 (2006)
  33. D.P. Popescu, P.G. Eliseev, A. Stintz, K.J. Malloy. Semicond. Sci. Technol., 19 (1), 33 (2004)
  34. V.V. Mamutin, A.Y. Egorov, N.V. Kryzhanovskaya, V.S. Mikhrin, A.M. Nadtochy, E.V. Pirogov. Semiconductors, 42 (7), 805 (2008)
  35. J. Wu, W. Shan, W. Walukiewicz. Semicond. Sci. Technol., 17 (8), 860 (2002)
  36. J.G. Keizer, J.M. Ulloa, A.D. Utrilla, P.M. Koenraad. Appl. Phys. Lett., 104 (5), 053116 (2014)
  37. A.D. Utrilla, D.F. Reyes, J.M. Ulloa, D. Gonzalez, T. Ben, A. Guzman, A. Hierro. Appl. Phys. Lett., 105 (4), 043105 (2014)
  38. L.S. Lunin, S.N. Chebotarev, A.S. Pashchenko, L.N. Bolobanova. Inorg. Mater., 48 (5), 439 (2012)
  39. A.S. Pashchenko, S.N. Chebotarev, L.S. Lunin, V.A. Irkha. Semiconductors, 50 (4), 545 (2016)
  40. L.S. Lunin, I.A. Sysoev, D.L. Alfimova, S.N. Chebotarev, A.S. Pashchenko. Inorg. Mater., 47 (8), 816 (2011)
  41. A.S. Pashchenko, S.N. Chebotarev, L.S. Lunin. Inorg. Mater., 51 (3), 197 (2015)
  42. S.N. Chebotarev, A.S. Pashchenko, A. Williamson, L.S. Lunin, V.A. Irkha, V.A. Gamidov. Techn. Phys. Lett., 41 (7), 661 (2015)
  43. S.N. Chebotarev, A.S. Pashchenko, V.A. Irkha, M.L. Lunina. J. Nanotech., 2016, 5340218 (2016)
  44. S.N. Chebotarev, A.S. Pashchenko, L.S. Lunin, E.N. Zhivotova, G.A. Erimeev, M.L. Lunina. Beilstein J. Nanotechnol., 8, 12 (2017)
  45. J.A. Steele, R.A. Lewis, J. Horvat, M.J.B. Nancarrow, M. Henini, D. Fan, Y.I. Mazur, M. Schmidbauer, M.E. Ware, S.-Q. Yu, G.J. Salamo. Sci. Rep., 6, 28860 (2016)
  46. R.B. Lewis, M. Masnadi-Shirazi, T. Tiedje. Appl. Phys. Lett., 101 (8), 082112 (2012)
  47. X. Lu, D.A. Beaton, R.B. Lewis, T. Tiedje, M.B. Whitwick. Appl. Phys. Lett., 92 (19), 192110 (2008)
  48. X. Lu, D.A. Beaton, R.B. Lewis, T. Tiedje, Y. Zhang. Appl. Phys. Lett., 95 (4), 041903 (2009)
  49. K. Alberi, O.D. Dubon, W. Walukiewicz, K.M. Yu, K. Bertulis, A. Krotkus. Appl. Phys. Lett., 91 (5), 051909 (2007)
  50. A. Rogalski. Opto-Electron. Rev., 16 (4), 458 (2008).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme