"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические свойства многослойных золь-гель пленок оксида цинка
Переводная версия: 10.1134/S1063782618060040
Денисов Н.М.1, Чубенко Е.Б.1, Бондаренко В.П.1, Борисенко В.Е.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Email: waefae@gmail.com, eugene.chubenko@gmail.com, borisenko@bsuir.by
Поступила в редакцию: 4 июля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.

Исследование структуры, оптических и фотокаталитических свойств многослойных --- 1-8 слоев--- пленок оксида цинка, последовательно сформированных золь-гель методом на стеклянных подложках, показало, что после термообработки при 500oC, независимо от количества слоев, они состоят из произвольно ориентированных гексагональных кристаллических зерен размером 34-40 нм, образующих более крупные частицы размером 100-150 нм. С увеличением количества слоев интенсивность экситонной фотолюминесценции уменьшается в 10 раз, увеличивается поглощение света в видимом и ближнем ИК диапазонах, а эффективность фотокаталитического разложения тестового органического красителя родамина В возрастает на 10-12%. Наблюдающиеся изменения связаны с увеличением общей площади межзеренных границ и изменением интегрального количества кислородных вакансий и междоузлий на них по мере увеличения количества слоев, что позволяет управлять свойствами пленочных покрытий из этого полупроводника при их применении в оптоэлектронике, фотовольтаике, фотокатализе.
  1. U. Ozgur, Ya.I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M.A. Reshchikov, S. Dovgan, V. Avrutin, S.-J. Cho, H. Morko c. Appl. Phys. Rev., 98, 041301 (2005)
  2. A. Ko odziejczak-Radzimska, T. Jesionowski. Materials, 7, 2833, (2014)
  3. A. Pimentel, E. Fortunato, A. Gon calves, A. Marques, H. Aguas, L. Pereira, I. Ferreira, R. Martins. Thin Sol. Films, 487, 212 (2005)
  4. U. Ozgur, D. Hofstetter, H. Morkoc. Proc. IEEE, 98, 1255 (2010)
  5. A.B. Djurivsic, X. Chen, Y.H. Leung, A.M.C. Ng. J. Mater. Chem., 22, 6526 (2012)
  6. L. Znaidi. Mater. Sci. Eng. B, 174, 18 (2010)
  7. Z. Fan, J.G. Lu. J. Nanosci. Nanotechnol., 5, 1 (2005)
  8. M. Balucani, P. Nenzi, E. Chubenko, A. Klyshko, V. Bondarenko. J. Nanopart. Res., 13, 5985 (2011)
  9. N. Kaneva, A. Bojinova, K. Papazova, D. Dimitrov, I. Svinyarov, M. Bogdanov. Bulg. Chem. Commun., 47, 395 (2015)
  10. А.С. Божинова, Н.В. Канева, И.Е. Кононова, С.С. Налимова, Ш.А. Сюлейман, К.И. Папазова, Д.Ц. Димитров, В.А. Мошников, Е.И. Теруков. ФТП, 47, 1662 (2013)
  11. H.Y. Bae, G.M. Choi. Sensors Actuators B, 55, 47 (1999)
  12. T. Demes, C. Ternon, D. Riassetto, H. Roussel, L. Rapenne, I. Gelard, C. Jimenez, V. Stambouli, M. Langlet. J. Phys. Chem. Solids, 95, 43 (2016)
  13. M.I. Khan, K.A. Bhatti, R. Qindeel, N. Alonizan, H.S. Althobaiti. Results Phys., 7, 651 (2017)
  14. N.M. Denisov, F.A. d'Avitaya, V.E. Borisenko. Inorg. Mater., 50, 572 (2014)
  15. N.M. Denisov, A.V. Baglov, V.E. Borisenko, E.V. Drozdova. Inorg. Mater., 52, 523 (2016)
  16. N.M. Denisov, A.V. Baglov, V.E. Borisenko. Inorg. Mater., 53, 176 (2017)
  17. W. Shan, W. Walukiewicz, J.W. Ager III, K.M. Yu, H.B. Yuan, H.P. Xin, G. Cantwell, J.J. Song. Appl. Phys. Lett., 86, 191911 (2005)
  18. V. Srikant, D.R. Clarke. J. Appl. Phys., 82, 5447 (1998)
  19. S. Vempati, J. Mitra, P. Dawson. Nanoscale Res. Lett., 7, 470 (2012)
  20. B. Cao, W. Cai, H. Zeng. Appl. Phys. Lett., 88, 161101 (2006)
  21. C.H. Ahn, Y.Y. Kim, D.C. Kim, S.C. Mohanta, H.K. Cho. J. Appl. Phys., 105, 013502 (2009)
  22. S. Chakrabarti, D. Ganguli, S. Chaudhuri. Mater. Lett., 58, 3952 (2004)
  23. A. Janotti, C.G. Van de Walle. Rep. Prog. Phys., 72, 126501 (2009)
  24. K.M. Lee, C.W. Lai, K.S. Ngai, J.C. Juan. Water Res., 88, 428 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.