Вышедшие номера
Запрещенное резонансное комбинационное рассеяние света в сверхрешетках GaAs/AlAs: эксперимент и расчеты
Переводная версия: 10.1134/S1063782618060234
Госзадание ФАНО, Электронные и оптические явления в полупроводниковых наноструктурах , 0306-2016-0015
Госзадание ФАНО, ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ НОВЫХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ НАНОМАТЕРИАЛОВ С МНОГОУРОВНЕВОЙ СТРУКТУРОЙ ДЛЯ ИНТЕГРИРОВАННЫХ СЕЛЕКТИВНЫХ МИКРО- И НАНОСЕНСОРОВ, ПОЛУЧЕНИЕ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ И КОМПОЗИЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ХИМИЧЕСКИХ ИСТОЧНИКОВ ТОКА, AAAA-A17-117041210227-8
Володин В.А. 1,2, Сачков В.А.3, Синюков М.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
Email: volodin@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 20 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.

Рассчитаны и экспериментально исследованы спектры комбинационного рассеяния света сверхрешеток GaAs/AlAs(001) для различных направлений волнового вектора. Эксперименты проводились с применением конфокального оптического микроскопа, совмещенного со спектрометром комбинационного рассеяния света (micro-Raman) в различных геометриях рассеяния, как для фононов с волновым вектором, направленным по нормали к сверхрешетке, так и вдоль ее слоев (в англоязычной литературе "in-plane" геометрия). Частоты и собственные векторы фононов были рассчитаны в приближении расширенной модели Борна с учетом кулоновского взаимодействия в приближении жестких ионов. Спектры комбинационного рассеяния света были рассчитаны в рамках механизма деформационного потенциала; при этом оказалось, что в экспериментальных спектрах проявляются дополнительные пики, не описывающиеся в рамках данного подхода. Возможно, эти пики возникают вследствие проявления в резонансных условиях запрещенного правилами отбора комбинационного рассеяния света. Сделана попытка объяснить появление данных пиков в экспериментальных спектрах в рамках неупругого рассеяния фотонов на связанных зарядах (фононах с большим дипольным моментом).