"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности свойств полупроводников АIIIВV в мультизеренной наноструктуре
Переводная версия: 10.1134/S1063782618010256
Жуков Н.Д.1, Кабанов В.Ф.2, Михайлов А.И.2, Мосияш Д.С.1, Хазанов А.А.1, Шишкин М.И.2
1ООО Волга--Свет", Саратов, Россия
2Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: ndzhukov@rambler.ru, shishkinImikhail@gmail.com
Поступила в редакцию: 20 февраля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.

Представлены систематизированные результаты исследований свойств полупроводников InAs, InSb, GaAs в мультизеренной структуре на основе измерений и анализа вольт-амперных и спектральных характеристик. Установлено, что процессы эмиссии и инжекции электронов определяются эффектами локализации состояний в объеме и в приповерхностной области субмикронных зерен. Обнаружены и исследованы явления ограничения тока и низкополевой эмиссии, характерные для квантовых точек. Результаты могут быть использованы в исследованиях и при разработках мультизеренных структур для газовых и оптических сенсоров, приемников и излучателей инфракрасного и терагерцового диапазонов. DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45323.8515
  1. Ю.Д. Третьяков. Нанотехнологии. Экология. Производство, 1 (8), 98 (2011)
  2. С.Г. Дорофеев, Н.Н. Кононов, В.М. Звероловлев, К.В. Зиновьев, В.Н. Суханов, Н.М. Суханов, Б.Г. Грибов. ФТП, 48, 375 (2014)
  3. С.М. Пещерова, А.М. Непомнящих, Л.А. Павлов, И.А. Елисеев, Р.В. Пресняков. ФТП, 48, 492 (2014)
  4. А.А. Бобков, А.И. Максимов, В.А. Мошников, П.А. Сомов, Е.И. Теруков. ФТП, 49, 1402 (2015)
  5. Р.Б. Васильев, Д.Н. Дирин. Квантовые точки: синтез, свойства, применение (М., МГУ, 2007)
  6. Н.Д. Жуков, Е.Г. Глуховской, Д.С. Мосияш. ФТП, 50, 911 (2016)
  7. А.И. Михайлов, В.Ф. Кабанов, Н.Д. Жуков. Письма ЖТФ, 41 (21), 88 (2015)
  8. Е.Г. Глуховской, Н.Д. Жуков. Письма ЖТФ, 41 (14), 47 (2015)
  9. О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир 1967)
  10. А.М. Глезер, В.Л. Столяров, А.А. Томчук, Н.А. Шурыгина. Письма ЖТФ, 42 (1), 103 (2016)
  11. Н.Д. Жуков, Е.Г. Глуховской, А.А. Хазанов. ФТП, 50, 772 (2016)
  12. Н.Д. Жуков, Д.С. Мосияш, А.А. Хазанов, Н.П. Абаньшин. Прикл. физика, 3, 93 (2015)
  13. Н.В. Егоров, Е.П. Шешин. Электронная эмиссия (М., Интеллект, 2011)
  14. Н.Д. Жуков, Е.Г. Глуховской, Д.С. Мосияш. Письма ЖТФ, 41 (22), 7 (2015)
  15. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир 1973)
  16. А.Г. Роках, Д.И. Биленко, М.И. Шишкин, А.А. Скапцов, С.Б. Вениг, М.Д. Матасов. ФТП, 48, 1602 (2014)
  17. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Гос. изд-во физ-мат. лит., 1962)
  18. Н.Т. Баграев, А.Д. Буравлев, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, В. Гельхофф, Ю.И. Романов, С.А. Рыков. ФТП, 39, 716 (2005)
  19. В.А. Кубальчинский. СОЖ, 7 (4), 98 (2001).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.