Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние гидростатического давления на статическую диэлектрическую проницаемость германия

DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45315.8359

Переводная версия: 10.1134/S1063782618010141

Мусаев А.М.¹

¹Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Email: akhmed-musaev@yandex.ru

Поступила в редакцию: 28 июня 2016 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.

PDF версия

Экспериментально исследована зависимость статической диэлектрической проницаемости монокристаллического германия от гидростатического давления до P~7.4 ГПа. При росте давления до P~4 ГПа, диэлектрическая проницаемость Ge уменьшается в ~13 раз до значения varepsilon=1.22. При дальнейшем росте давления до P~7 ГПа наблюдается умеренный рост varepsilon до исходного значения, а в диапазоне 7-7.4 ГПа диэлектрическая проницаемость возрастает до значения более 1000 единиц. Полученные экспериментальные результаты существенно отличаются от ранее известных зависимостей. DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45315.8359

В. Пол, Д. Варшауэр. Твердые тела под высоким давлением (М., Мир, 1966) с. 524
M. Cardona, H. Paul, H.S. Brooks. Phys. Chem. Solids, 8, 204 (1959)
У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 1, с. 383
A.R. Goni, K. Syassen, M. Cardona. Phys. Rev., B, 41 (14), 10104 (1990)
С.Ю. Давыдов, Е.И. Леонов. ФТТ, 29 (10), 2890 (1987)
Л.С. Берман. Емкостные методы исследования полупроводников (Л., Наука, 1972) с. 104
А.Л. Полякова. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1979) с. 168
П.И. Баранский, В.Г. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника (Киев, Наук. думка, 1975) с. 704
L.G. Khvostantsev, V.A. Sidorov. Phys. Status Solidi A, 46, 305 (1978)
В.А. Говорков. Электрические и магнитные поля (М., Энергия, 1968) с. 488
М.М. Александрова, В.Д. Бланк, С.Г. Буга. ФТТ, 35 (5), 1308 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель