"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Селективный эпитаксиальный рост III-N-структур с использованием ионной нанолитографии
Переводная версия: 10.1134/S106378261810007X
Лундин В.В.1, Цацульников A.Ф.2, Родин С.Н.1, Сахаров А.В.1, Усов С.О.2, Митрофанов М.И.1,2, Левицкий Я.В.1,2, Евтихиев В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: Lundin@vpegroup.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.

Проведены исследования селективного эпитаксиального роста GaN методом газофазной эпитаксии из металлoорганических соединений с использованием ионно-лучевого травления. Исследованы частично маскированные эпитаксиальные слои GaN, на поверхности которых в едином технологическом процессе осаждался тонкий слой Si3N4, в котором ионным пучком формировались окна различной формы. Изучены режимы селективного эпитаксиального роста, и показано, что для формирования объектов субмикрометрового размера в условиях, когда суммарная площадь окон в маске мала относительно общей площади образца, длительность эпитаксии должна составлять 5-10 с, что ухудшает воспроизводимость параметров эпитаксиального процесса. Также показано, что механизм селективного роста объектов, имеющих субмикрометровые размеры, значительно отличается от такового для планарных слоев и селективно-выращенных слоев с размерами в единицы мкм и более. Исследовано влияние потоков прекурсоров (триметилгаллия и аммиака) на характер селективной эпитаксии. Исследованы возможности изменения топологии маски для реализации модельных объектов применительно к фотонным кристаллам, именно изучено влияние формы и ориентации окон в маске Si3N4 на характер селективной эпитаксии.
  1. K. Wu, T. Wei, D. Lan, X. Wei, H. Zheng, Y. Chen, H. Lu, K. Huang, J. Wang, Y. Luo, J. Li. Appl. Phys. Lett., 103, 241107 (2013)
  2. L. Zhao, T. Wei, J. Wang, Q. Yan, Y. Zeng, J. Li. J. Semiconductors, 34, 104005 (2013)
  3. F. Qian, S. Gradecak, Y. Li, C.-Y. Wen, C.M. Lieber. Nano Lett., 5, 2287 (2005)
  4. A. Motayed, A.V. Davydov, M. He, S.N. Mohammad, J. Melngailis. Appl. Phys. Lett., 90, 183120 (2007)
  5. M. Abul Khayera, Roger K. Lake. J. Appl. Phys., 108, 104503 (2010)
  6. C.Y. Chen, G. Zhu, Y. Hu, J.-W. Yu, J. Song, K.-Y. Cheng, L.-H. Peng, L.-J. Chou, Z.L. Wang. ACS Nano, 6, 5687 (2012)
  7. J. Derluyn, S. Boeykens, K. Cheng, R. Vandersmissen, J. Das, W. Ruythooren, S. Degroote, M.R. Leys, M. Germain, G. Borghs. J. Appl. Phys., 98, 054501 (2005)
  8. W.V. Lundin, S.N. Rodin, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, M.A. Sinitsyn, A.F. Tsatsulnikov. Proc. EW-MOVPE 2017 (Grenoble, 2017)
  9. J. Gierak. Semicond. Sci. Technol., 24 (4), 043001 (2009)
  10. P. Kitslaara, M. Strassner, I. Sagnes, E. Bourhis, X. Lafosse, C. Ulysse, C. David, R. Jede, L. Bruchhaus, J. Gierak. Microelectronic Engin., 83 (4-9), 811 (2006)
  11. M.I. Mitrofanov, S.N. Rodin, I.V. Levitskii, S.I. Troshkov, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, V.P. Evtikhiev. IOP Conf. Series: J. Phys. Conf. Ser., 816, 012009 (2017)
  12. M.M. Рожавская, B.B. Лундин, A.B. Сахаров. Письма ЖТФ, 40 (1), 37 (2014)
  13. M.M. Rozhavskaya, W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, E.E. Zavarin, S.I. Troshkov, P.N. Brunkov, A.F. Tsatsulnikov. Phis. Status Solidi C, 10 (3), 373 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.