Вышедшие номера
Селективный эпитаксиальный рост III-N-структур с использованием ионной нанолитографии
Переводная версия: 10.1134/S106378261810007X
Лундин В.В.1, Цацульников A.Ф.2, Родин С.Н.1, Сахаров А.В.1, Усов С.О.2, Митрофанов М.И.1,2, Левицкий Я.В.1,2, Евтихиев В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: Lundin@vpegroup.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.

Проведены исследования селективного эпитаксиального роста GaN методом газофазной эпитаксии из металлoорганических соединений с использованием ионно-лучевого травления. Исследованы частично маскированные эпитаксиальные слои GaN, на поверхности которых в едином технологическом процессе осаждался тонкий слой Si3N4, в котором ионным пучком формировались окна различной формы. Изучены режимы селективного эпитаксиального роста, и показано, что для формирования объектов субмикрометрового размера в условиях, когда суммарная площадь окон в маске мала относительно общей площади образца, длительность эпитаксии должна составлять 5-10 с, что ухудшает воспроизводимость параметров эпитаксиального процесса. Также показано, что механизм селективного роста объектов, имеющих субмикрометровые размеры, значительно отличается от такового для планарных слоев и селективно-выращенных слоев с размерами в единицы мкм и более. Исследовано влияние потоков прекурсоров (триметилгаллия и аммиака) на характер селективной эпитаксии. Исследованы возможности изменения топологии маски для реализации модельных объектов применительно к фотонным кристаллам, именно изучено влияние формы и ориентации окон в маске Si3N4 на характер селективной эпитаксии.