Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Рост наноструктур в системе Ga(In)AsP-GaAs в квазиравновесных условиях

DOI: 10.21883/FTP.2018.10.46468.8866

Переводная версия: 10.1134/S1063782618100068

Карлина Л.Б. ¹, Власов А.С. ¹, Сошников И.П. ^1,2,3, Смирнова И.П. ¹, Бер Б.Я. ¹, Смирнов А.Б.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Email: Karlin@mail.ioffe.ru, irina@quantum.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 19 марта 2018 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Впервые рассмотрено формирование наноструктур на поверхности GaAs в квазиравновесных условиях в квазизамкнутом объеме из насыщенных паров фосфора и индия в присутствии Au-катализатора, при росте по механизму "пар-жидкость-кристалл". Исследовалось влияние температуры процесса и размера Au-капель на морфологию и состав полученных наноструктур. Приведены экспериментальные данные по образованию в данных условиях нанокристаллов Ga(In)AsP на подложках GaAs различной ориентации. Установлено, что температурным интервалом роста наноструктур при использовании данного метода является диапазон 540-640^oC при размере капель от 30 до 120 нм. Показано, что размер капель катализатора существенно влияет на морфологию и скорость роста полученных наноструктур, тогда как их состав слабо зависит как от размера капель, так и от ориентации подложки.

R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964)
Е.И. Гиваргизов. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара (М., Наука, 1974)
V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 71, 205325 (2005)
Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонкин, В.М. Устинов. ФТП, 39, 587 (2005)
V.G. Dubrovskii. Nucleation Theory and Growth of Nanostructures, (Springer Verlag, Berlin Heidelberg, 2014) p. 601
E.I. Givargizov, J. Cryst. Growth, 31, 20 (1975)
E.I. Givargizov. Highly Anisotropic Crystals (Springer, Berlin and Heidelberg, 1987)
M.T. Robson, R.R. LaPierre. J. Cryst. Growth, 436, 1 (2016)
P.K. Mohseni, A.D. Rodrigues, J.C. Galzerani, Y.A. Puser, L.L. Lapierre. J. Appl. Phys., 106, 124306 (2009)
V.G. Dubrovskii. J. Cryst. Growth, 440, 62 (2016)
F. Glas. Phys. Status Solidi B, 252, 1897 (2015)
P. Krogstrup, H.I. J rgensen, E. Johnson, M.H. Madsen, C.B. S rensen et al. J. Phys. D, 46, 313001 (2013)
M.V. Knyazeva, A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz. Semiconductors, 49 (1), 60 (2015)
Я.Е. Гегузин, Ю.С. Кагановский. УФН, 125 (3), 489 (1978)
С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. Дисперсные системы на поверхности твердых тел. Механизмы образования тонких пленок (эволюционный подход) (СПб., Наука, 1996)
L.B. Karlina, A.S. Vlasov, B.Y. Ber, D.Y. Kazantsev. J. Cryst. Growth, 432, 133 (2015)
Ю.П. Хухрянский, В.И. Пантелеев. Неорг. матер., 13, 785 (1977)
G.A. Antypas. US patent: US4227962 A
L.B. Karlina, A.S. Vlasov, B.Y. Ber, D.Yu. Kazanthev, E.P. Marykhina. J. Cryst. Growth, 380, 138 (2013)
А.С. Власов, Л.Б. Карлина, Ф.Э. Комисаренко, А.В. Анкудинов. ФТП, 51 (5), 611 (2017)
М. Хансен, К. Андерко. Структуры двойных сплавов (М., Металлургиздат, 1962)
И.П. Сошников, О.М. Горбенко, А.О. Голубок, Н.Н. Леденцов. ФТП, 35 (3), 361 (2001)
Н.В. Сибирев, М.В. Назаренко, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самосоненко, В.Г. Дубровский. ФТП, 44 (1), 114 (2010)
O. Pages, J. Souhabi, A.V. Postnikov, A. Chafi. Phys. Rev. B, 80, 035204 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель