Карлина Л.Б.
1, Власов А.С.
1, Сошников И.П.
1,2,3, Смирнова И.П.
1, Бер Б.Я.
1, Смирнов А.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: Karlin@mail.ioffe.ru, irina@quantum.ioffe.ru
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.
Впервые рассмотрено формирование наноструктур на поверхности GaAs в квазиравновесных условиях в квазизамкнутом объеме из насыщенных паров фосфора и индия в присутствии Au-катализатора, при росте по механизму "пар-жидкость-кристалл". Исследовалось влияние температуры процесса и размера Au-капель на морфологию и состав полученных наноструктур. Приведены экспериментальные данные по образованию в данных условиях нанокристаллов Ga(In)AsP на подложках GaAs различной ориентации. Установлено, что температурным интервалом роста наноструктур при использовании данного метода является диапазон 540-640oC при размере капель от 30 до 120 нм. Показано, что размер капель катализатора существенно влияет на морфологию и скорость роста полученных наноструктур, тогда как их состав слабо зависит как от размера капель, так и от ориентации подложки.
- R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964)
- Е.И. Гиваргизов. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара (М., Наука, 1974)
- V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 71, 205325 (2005)
- Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонкин, В.М. Устинов. ФТП, 39, 587 (2005)
- V.G. Dubrovskii. Nucleation Theory and Growth of Nanostructures, (Springer Verlag, Berlin Heidelberg, 2014) p. 601
- E.I. Givargizov, J. Cryst. Growth, 31, 20 (1975)
- E.I. Givargizov. Highly Anisotropic Crystals (Springer, Berlin and Heidelberg, 1987)
- M.T. Robson, R.R. LaPierre. J. Cryst. Growth, 436, 1 (2016)
- P.K. Mohseni, A.D. Rodrigues, J.C. Galzerani, Y.A. Puser, L.L. Lapierre. J. Appl. Phys., 106, 124306 (2009)
- V.G. Dubrovskii. J. Cryst. Growth, 440, 62 (2016)
- F. Glas. Phys. Status Solidi B, 252, 1897 (2015)
- P. Krogstrup, H.I. J rgensen, E. Johnson, M.H. Madsen, C.B. S rensen et al. J. Phys. D, 46, 313001 (2013)
- M.V. Knyazeva, A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz. Semiconductors, 49 (1), 60 (2015)
- Я.Е. Гегузин, Ю.С. Кагановский. УФН, 125 (3), 489 (1978)
- С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. Дисперсные системы на поверхности твердых тел. Механизмы образования тонких пленок (эволюционный подход) (СПб., Наука, 1996)
- L.B. Karlina, A.S. Vlasov, B.Y. Ber, D.Y. Kazantsev. J. Cryst. Growth, 432, 133 (2015)
- Ю.П. Хухрянский, В.И. Пантелеев. Неорг. матер., 13, 785 (1977)
- G.A. Antypas. US patent: US4227962 A
- L.B. Karlina, A.S. Vlasov, B.Y. Ber, D.Yu. Kazanthev, E.P. Marykhina. J. Cryst. Growth, 380, 138 (2013)
- А.С. Власов, Л.Б. Карлина, Ф.Э. Комисаренко, А.В. Анкудинов. ФТП, 51 (5), 611 (2017)
- М. Хансен, К. Андерко. Структуры двойных сплавов (М., Металлургиздат, 1962)
- И.П. Сошников, О.М. Горбенко, А.О. Голубок, Н.Н. Леденцов. ФТП, 35 (3), 361 (2001)
- Н.В. Сибирев, М.В. Назаренко, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самосоненко, В.Г. Дубровский. ФТП, 44 (1), 114 (2010)
- O. Pages, J. Souhabi, A.V. Postnikov, A. Chafi. Phys. Rev. B, 80, 035204 (2009)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
