"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Новый механизм реализации омических контактов
Переводная версия: 10.1134/S1063782618010190
Саченко А.В.1, Беляев А.Е.1, Конакова Р.В.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: sach@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 7 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.

Для контактов металл-полупроводник с диэлектрическим зазором выполнен анализ высоты барьера в контакте с учетом распределения поверхностных состояний по координате x, перпендикулярной границе раздела диэлектрик-полупроводник. Показано, что при достаточно больших уровнях легирования полупроводника учет пространственной зависимости плотности поверхностных состояний приводит к существенному уменьшению высоты барьера, что способствует реализации омических контактов. Установлено, что эффект понижения высоты барьера тем больше, чем меньше контактная разность потенциалов металл-полупроводник varphims. В случае, когда величина varphims отрицательна, данный эффект может приводить к перемене знака потенциала, т. е. к реализации в области пространственного заряда полупроводника слоя обогащения, даже при большой плотности поверхностных состояний. В свою очередь это способствует проявлению аномальной зависимости удельного контактного сопротивления от температуры, растущего с увеличением температуры. DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45333.8618
  1. S.M. Sze, K.K. Ng. Physics of Semiconductor Devices. 3rd ed. (John Wiley and Sons, 2007)
  2. И.М. Лифшиц, С.И. Пекар. УФН, 56 (4), 531 (1955)
  3. М.Д. Глинчук, М.Ф. Дейген. ФТТ, 5 (2), 405 (1963)
  4. J.M. Palau, M. Dumas. Thin Sol. Films, 191, 21 (1990)
  5. В.Г. Божков, С.Е. Зайцев. Изв. вузов. Физика, 10, 77 (2005)
  6. А.В. Саченко, О.В. Снитко. УФЖ, 12, 578 (1967)
  7. W.E. Spicer, I. Lindau, P. Skeath, C.Y. Si. J. Vac. Sci. Technol., 17, 1019 (1980)
  8. N.F. Mott. Proc. Cambr.: Philos. Soc., 3 (4), 568 (1938)
  9. S.E. Swirhun, R.M. Swanson. IEEE Electron Dev. Lett., EDL-7 (3), 155 (1986)
  10. А.В. Саченко, А.Е. Беляев, Р.В. Конакова. ФТП, 50 (6), 777 (2016)
  11. K. Shenai. IEEE Electron Dev., ED-34 (8), 164 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.