"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/ GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si
Переводная версия: 10.1134/S106378261802015X
Сафонов Д.А.1, Виниченко А.Н.1,2, Каргин Н.И.1, Васильевский И.С.1
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Балтийский федеральный университет им. Иммануила Канта, Калининград, Россия
Email: safonov.dan@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.

Исследовано влияние концентрации delta-легирования кремнием на электронные транспортные свойства псевдоморфных квантовых ям Al0.25Ga0.75As/In0.2Ga0.8As/GaAs в широком интервале температур 4.2-300 K. Обнаружено снижение эффективности легирования при концентрации электронов >1.8·1012 см-2, обусловленное эффектами неполной ионизации примеси, что отражается также на температурной зависимости концентрации электронов. Наблюдается немонотонное изменение подвижности электронов с ростом концентрации доноров, не связанное с заполнением верхней подзоны размерного квантования. Возрастание подвижности связано с ростом импульса Ферми и экранированием, а последующий еe спад при увеличении концентрации кремния обусловлен туннельной деградацией спейсерного слоя при понижении потенциала зоны проводимости в области delta-слоя Si. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45444.8621
  1. M. Van Der Burgt, V.C. Karavolas, F.M. Peeters, J. Singleton, R.J. Nicholas, F. Herlach, J.J. Harris, M. Van Hove, G. Borghs. Phys. Rev. B, 52, 12218 (1995)
  2. H. Ohno, J.K. Luo, K. Matsuzaki, H. Hasegawa. Appl. Phys. Lett., 54, 36 (1989)
  3. M.G. Greally, M. Hayne, A. Usher, G. Hill, M. Hopkinson. J. Appl. Phys., 79, 8465 (1996)
  4. Y. Cordier, P. Lorenzini, J.-M. Chauveau, D. Ferre, Y. Androussi, J. Dipersio, D. Vignaud, J.-L. Codron. J. Cryst. Growth, 251, 822 (2003)
  5. E. Litwin-Staszewska, T. Suski, C. Skierbiszewski, F. Kobbi, J.L. Robert, V. Mosser. J. Appl. Phys., 77, 405 (1995)
  6. И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, С.С. Широков, Р.М. Имамов, И.А. Субботин. ФТП, 42 (9), 1102 (2008)
  7. Adam Babinski, J. Siwiec-Matuszyk, J.M. Baranowski, G. Li, C. Jagadish. Appl. Phys. Lett., 77, 999 (2000)
  8. A. Zrenner, F. Koch, R.L. Williams, R.A. Stradling, K. Ploog, G. Weimann. Semicond. Sci. Technol., 3, 1203 (1988)
  9. E.A.B. Cole, T. Boettcher, C.M. Snowden. Semicond. Sci. Technol., 12, 100 (1997)
  10. W. Walukiewicz, H.E. Ruda, J.I. Agowski, H.C. Gatos. Phys. Rev. B, 30 (8), 4571 (1984)
  11. А.Н. Виниченко, В.П. Гладков, Н.И. Каргин, М.Н. Стриханов, И.С. Васильевский. ФТП, 48 (12), 1660 (2014)
  12. M.K. Mahata, S. Ghosh, S. Jana, P. Mukhopadhyay, A. Bag, S.M. Dinara, R. Kumar, S. Das. Proc. 2014 IEEE TechSym, p. 390
  13. V.V. Vainberg, A.S. Pylypchuk, N.V. Baidus, B.N. Zvonkov. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 16 (2), 152 (2013)
  14. C. Kadow, H.-K. Lin, M. Dahlstrom, M. Rodwell, A.C. Gossard, B. Brar, G. Sullivan. J. Cryst. Growth, 251, 543 (2003)
  15. D.Yu. Protasov, K.S. Zhuravlev. Solid-State Electron., 129, 66 (2017)
  16. T. Ishikawa, J. Saito, S. Sasa, S. Hiyamizu. Jpn. J. Appl. Phys., 21 (11), L675 (1982)
  17. E.F. Schubert, K. Ploog. Phys. Rev. B, 30 (12), 7021 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.