Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2018, выпуск 9 » Статья стр. 1094
<<<>>>
Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур
DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46158.8830
Переводная версия: 10.1134/S1063782618090099
Куницына Е.В.1, Андреев И.А.1, Коновалов Г.Г.1, Иванов Э.В.1, Пивоварова А.А.1, Ильинская Н.Д.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: kunits@iropt9.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.
PDF версия
Созданы и исследованы неохлаждаемые GaSb/GaAlAsSb-фотодиоды для спектрального диапазона 1.1-1.85 мкм. Уникальный метод выращивания GaSb из свинцовых растворов-расплавов позволил достичь низкой концентрации носителей в активной области n=2·1015 см-3. Емкость фотодиодов составляла 70-110 пФ при диаметре чувствительной площадки 300 мкм и 150-250 пФ при диаметре 500 мкм соответственно. Для приборов на основе GaSb разработанные фотодиоды характеризуются высокой спектральной чувствительностью Slambda=0.95 А/Вт в максимуме, относительно малой величиной плотности обратного темнового тока j=(4-9)·10-3 А/см2 при Urev=1.0-2.0 В, высоким быстродействием (время отклика 5-10 нс).
  1. А.В. Войцеховский, А.П. Коханенко, К.А. Лозовой, А.М. Турапин, И.С. Романов. Успехи прикл. физики, 1 (3), 338 (2013)
  2. И.Б. Чистохин, К.С. Журавлев. Успехи прикл. физики, 3 (1), 85 (2015)
  3. www.hamamatsu.com
  4. И.А. Андреев, М.А. Афраилов, А.Н. Баранов, В.Г. Данильченко, М.А. Мирсагатов, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 12 (21), 1311 (1986)
  5. И.А. Андреев, М.А. Афраилов, А.Н. Баранов, М.А. Мирсагатов, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 14 (11), 986 (1988)
  6. Е.В. Куницына, Е.А. Гребенщикова, Г.Г. Коновалов, И.А. Андреев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 50 (10), 1420 (2016)
  7. Т.И. Воронина, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 32 (3), 278 (1998)
  8. А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, И.Н. Тимченко, З.И. Чугуева, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 23, 780 (1979)
  9. E.V. Kunitsyna, I.A. Andreev, N.A. Charykov, Yu.V. Solovev, Yu.P. Yakovlev. Appl. Surf. Sci., 142, 371 (1999)
  10. R. Hernandez-Zarazua, M. Hernandez-Sustaita, F. de Anda, V.A. Mishurnyi, A.Yu. Gorbatchev, R. Asomoza, Yu. Kudriavtsev, J.A. Godines. Thin Sol. Films, 461 (2), 233 (2004)
  11. M.C. Wu, C.C. Chen. J. Appi. Phys., 72 (9), 4275 (1992)
  12. J.L. Moll. In: Physics of Semiconductors (N.Y., McGraw Hill, 1964)
  13. R.C. Jones. In: Advances in Electronics (N.Y., Academic, 1953) v. 5, p. 1
  14. И.А. Андреев, О.Ю. Серебренникова, Г.С. Соколовский, В.В. Дюделев, Н.Д. Ильинская, Г.Г. Коновалов, Е.В. Куницына, Ю.П. Яковлев. ФТП, 47 (8), 1109 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme