Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2018, выпуск 9 » Статья стр. 1081
<<<>>>
Гетероструктура для обращенного диода на основе электроосажденного в импульсном режиме наномассива оксида цинка и изготовленной методом SILAR пленки иодида меди
DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46233.8688
Переводная версия: 10.1134/S1063782618090063
Клочко Н.П.1, Копач В.Р.1, Хрипунов Г.С.1, Корсун В.Е.1, Любов В.Н.1, Жадан Д.О.1, Отченашко А.Н.1, Кириченко М.В.1, Хрипунов М.Г.1
1Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина
Email: klochko.np16@gmail.com
Поступила в редакцию: 12 июля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.
PDF версия
В качестве основы перспективной конструкции обращенного диода сформирована гетероструктура на базе массива наностержней оксида цинка и наноструктурированной пленки иодида меди. Проведено исследование влияния режимов осаждения методом SILAR и последующего иодирования пленок CuI на гладких подложках из стекла, слюды и FTO, а также на поверхности электроосажденных наноструктурированных массивов оксида цинка, на их структуру, электрические и оптические свойства. Выявлена связь изменений, наблюдаемых в структуре и свойствах этого материала, с имеющимися в нем изначально и создаваемыми в процессе иодирования точечными дефектами. Обнаружено, что причиной и условием формирования гетероструктуры обращенного диода на основе электроосажденного в импульсном режиме наномассива оксида цинка и изготовленной методом SILAR пленки иодида меди является формирование вырожденного полупроводника p^+-CuI путем избыточного иодирования слоев этого наноструктурированного материала через его развитую поверхность. Впервые изготовлена барьерная гетероструктура n-ZnO/p^+-CuI с вольт-амперной характеристикой обращенного диода, коэффициент кривизны которой gamma=12 В-1 подтверждает ее добротность.
  1. Microelectronics to nanoelectronics: materials, devices \& manufacturability, ed. by A.B. Kaul (U.S., CRC Press, Tailor \& Francis Group, N.Y., 2012)
  2. M. Lundstrom, J. Guo. Nanoscale transistors --- Device physics, modeling and simulation (Springer com., 2006)
  3. M. Salimian, M. Ivanov, F.L. Deepak, D.Y. Petrovykh, I. Bdikin, M. Ferro, A. Kholkin, E. Titusa, G. Goncalves. J. Mater. Chem. C, 3, 11516 (2015)
  4. Q.-Q. Sun, Y.-J. Li, J.-L. He, W. Yang, P. Zhou, H.-L. Lu, S.-J. Ding, D.W. Zhang. Appl. Phys. Lett., 102, 093104 (2013)
  5. H. Okumura, D. Martin, M. Malinverni, N. Grandjean. Appl. Phys. Lett. 108, 072102 (2016)
  6. K. Zhang, H. Liang, Y. Liu, R. Shen, W. Guo, D. Wang, X. Xia, P. Tao, C. Yang, Y. Luo, G. Du. Scientific Rep., 4, 6322 (2014)
  7. V.K. Khanna. Integrated nanoelectronics: nanoscale CMOS, post-CMOS and allied nanotechnologies (India, Springer Nature, 2016)
  8. D. Kalblein, R.T. Weitz, H.J. Bottcher, F. Ante, U. Zschieschang, K. Kern, H. Klauk. Nano Lett., 11, 5309 (2011)
  9. K. Gadani, D. Dhruv, Z. Joshi, H. Boricha, K.N. Rathod, M.J. Keshvani, N.A. Shah, P.S. Solanki. Phys. Chem. Chem. Phys., 18, 17740 (2016)
  10. Z. Zhang, R. Rajavel, P. Deelman, P. Fay. IEEE Microwave Wireless Components Lett., 21 (5), 267 (2011)
  11. S.M. Sze, K.K. Ng. Physics of semiconductor devices. 3rd edn (U.S., John Wiley \& Sons, Inc., 2007)
  12. К.С. Ржевкин. Физические принципы действия полупроводниковых приборов (М., Изд-во МГУ, 1986)
  13. S. Agarwal, E. Yablonovitch. IEEE Trans. Electron Dev., 61 (5), 1488 (2014)
  14. Z. Yang, M. Wang, J. Ding, Z. Sun, L. Li, J. Huang, J. Liu, J. Shao. ACS Appl. Mater. Interfaces, 7 (38), 21235 (2015)
  15. S.M. Hatch, J. Briscoe, S. Dunn. Adv. Mater., 25, 867 (2013)
  16. K. Ding, Q.C. Hu, D.G. Chen, Q.H. Zheng, X.G. Xue, F. Huang. IEEE Electron Dev. Lett., 33 (12), 1750 (2012)
  17. F.-L. Schein, H. Wenckstern, M. Grundmann. Appl. Phys. Lett., 102, 092109 (2013)
  18. C. Yang, M. Kneib, F.-L. Schein, M. Lorenz, M. Grundmann. Scientific Rep., 6, 21937 (2016)
  19. C. Xiong, R. Yao. Optik, 126, 1951 (2015)
  20. Transparent electronics: from synthesis to applications, ed. by A. Facchetti, T.J. Marks (United Kingdom, John Wiley \& Sons, Ltd., 2010)
  21. C. Liu, M. Peng, A. Yu, J. Liu, M. Song, Y. Zhang, J. Zhai. Nano Energy, 26, 417 (2016)
  22. Z. Yang, M. Wang, S. Shukla, Y. Zhu, J. Deng, H. Ge, X.Wang, Q. Xiong. Sci Rep., 5, 11377 (2015)
  23. B.R. Sankapal, E. Goncalves, A. Ennaoui, M.C. Lux-Steiner. Thin Sol. Films, 451--452, 128 (2004)
  24. R.N. Bulakhe, N.M. Shinde, R.D. Thorat, S.S. Nikam, C.D. Lokhande. Current Appl. Phys., 13, 1661 (2013)
  25. B.R. Sankapal, A. Ennaoui, T. Guminskaya, T. Dittrich, W. Bohne, J. Rfhrich, E. Strub, M.C. Lux-Steiner. Thin Sol. Films, 480--481, 142 (2005)
  26. S.L. Dhere, S.S. Latthe, C. Kappenstein, S.K. Mukherjee, A.V. Rao. Appl. Surf. Sci., 256, 3967 (2010)
  27. Н.П. Клочко, В.Р. Копач, Г.С. Хрипунов, В.Е. Корсун, Н.Д. Волкова, В.Н. Любов, М.В. Кириченко, А.В. Копач, Д.О. Жадан, А.Н. Отченашко. ФТП, 51 (6), 821 (2017)
  28. N. Yamada, R. Ino, Y. Ninomiya. Chem. Mater., 28 (14), 4971 (2016)
  29. Z. Liu, Y. Pei, H. Geng, J. Zhou, X. Meng, W. Cai, W. Liu, J. Sui. Nano Energy, 13, 554 (2015)
  30. Q. Yang, C. Hu, S. Wang, Y. Xi, K. Zhang. J. Phys. Chem. C, 117, 5515 (2013)
  31. N. Chahmat, A. Haddad, A. Ain-Souya, R. Ganfoudi, N. Attaf, M.S. Aida, M. Ghers. J. Modern Phys., 3, 1781 (2012)
  32. R.R. Ahire, B.R. Sankapal, C.D. Lokhande. Mater. Res. Bulletin, 36, 199 (2001)
  33. Н.П. Клочко, Г.С. Хрипунов, Ю.А. Мягченко, Е.Е. Мельничук, В.Р. Копач, Е.С. Клепикова, В.Н. Любов, А.В. Копач. ФТП, 48 (4), 549 (2014)
  34. Н.П. Клочко, Е.С. Клепикова, Г.С. Хрипунов, Н.Д. Волкова, В.Р. Копач, В.Н. Любов, М.В. Кириченко, А.В. Копач. ФТП, 49 (2), 219 (2015)
  35. N.P. Klochko, K.S. Klepikova, I.I. Tyukhov, Y.O. Myagchenko, E.E. Melnychuk, V.R. Kopach, G.S. Khrypunov, V.M. Lyubov, A.V. Kopach, V.V. Starikov, M.V. Kirichenko. Solar Energy, 117, 1 (2015)
  36. N.P. Klochko, K.S. Klepikova, I.I. Tyukhov, Y.O. Myagchenko, E.E. Melnychuk, V.R. Kopach, G.S. Khrypunov, V.M. Lyubov, A.V. Kopach. Solar Energy, 120, 330 (2015)
  37. Н.П. Клочко, Е.С. Клепикова, В.Р. Копач, Г.С. Хрипунов, Ю.А. Мягченко, Е.Е. Мельничук, В.Н. Любов, А.В. Копач. ФТП, 50 (3), 357 (2016)
  38. D.K. Schroder. Semiconductor material and device characterization. 3rd edn (N.Y., John Wiley \& Sons, Inc., 2006)
  39. T. Prasada Rao, M.C. Santhoshkumar. Appl. Surf. Sci., 255, 4579 (2009)
  40. A. Axelevitch, G. Golan. Facta Universitatis. Ser.: Electron. Energetics, 26 (3), 187 (2013)
  41. V.R. Kopach, K.S. Klepikova, N.P. Klochko, I.I. Tyukhov, G.S. Khrypunov, V.E. Korsun, V.M. Lyubov, A.V. Kopach, R.V. Zaitsev, M.V. Kirichenko. Solar Energy, 136, 23 (2016)
  42. В.Р. Копач, Е.С. Клепикова, Н.П. Клочко, Г.С. Хрипунов, В.Е. Корсун, В.Н. Любов, М.В. Кириченко, А.В. Копач. ФТП, 51 (3), 348 (2017)
  43. Zinc oxide materials for electronic and optoelectronic device applications, ed. by C.W. Litton, D.C. Reynolds, T.C. Collins (United Kingdom, John Wiley \& Sons, Ltd., 2011)
  44. H. Morko c, U. Ozgur. Zinc Oxide: Fundamentals, Materials and Device Technology (Weinheim, Wiley-VCH Verlag GmbH \& Co. KGaA, 2009)
  45. M. Grundmann, F.-L. Schein, M. Lorenz, T. Bontgen, J. Lenzner, H. Wenckstern. Phys. Status Solidi A, 210, 1671 (2013)
  46. C. Yang, M. Kneib, M. Lorenz, M. Grundmann. Proc. Natl. Acad. Sci. USA, 113, 12929 (2016)
  47. J. Wang, J. Li, S.-S. Li. J. Appl. Phys., 110, 054907 (2011)
  48. Г.И. Епифанов. Физические основы микроэлектроники (М., Сов. радио, 1971)
  49. К.В. Шалимова. Физика полупроводников (М., Энергоатомиздат, 1985)
  50. Y. Wang, H.-B. Fang, R.-Q. Ye, Y.-Z. Zheng, N. Li, X. Tao. RSC Adv., 6, 24430 (2016).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme