"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Накопление зарядов в МОП-структурах с поликремниевым затвором при туннельной инжекции
Переводная версия: 10.1134/S1063782618130031
Александров О.В.1, Агеев А.Н.1, Золотарев С.И.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: Aleksandr_ov@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1969 г.

Изучено накопление зарядов в МОП-структурах с легированным и нелегированным поликремниевым затвором с Al-контактами и без них при тунннельной инжекции электронов из затвора и из кремниевой подложки. Показано, что независимо от полярности инжекции вблизи поликремниевого затвора накапливается отрицательный заряд, а вблизи кремниевой подложки положительный. При больших зарядах инжекции вблизи кремниевой подложки также появляется отрицательный заряд. Результаты описаны с помощью численной модели, в которой учтено образование электронных ловушек при нанесении Al-контактов и генерация электронных ловушек при рекомбинации свободных электронов с захваченными на ловушки дырками.
  1. Г.Я. Красников, Н.А. Зайцев. Система кремний-диоксид кремния субмикронных СБИС (М., Техносфера, 2003)
  2. А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO2 на кремнии (Л., ЛГУ, 1988)
  3. О.В. Александров. ФТП, 51 (8), 1105 (2017)
  4. Y. Nissan-Cohen, J. Shappir, D. Frohman-Bentchkowsky. J. Appl. Phys., 57 (8), 2830 (1985)
  5. В.В. Андреев, В.Г. Барышев, Г.Г. Бондаренко, А.А. Столяров, В.А. Шахнов. Микроэлектроника, 26 (6), 440 (1997)
  6. Y.-B. Park, D.K. Schroeder. IEEE Trans. Electron. Dev., 45, 1361 (1998)
  7. О.В. Александров, С.А. Мокрушина. ФТП, 52 (6), 637 (2018)
  8. P. Fazan, M. Dutoit, C. Martin, M. Ilegems. Solid-State Electron., 30, 829 (1987)
  9. J.F. Zhang, S. Taylor, W. Eccleston. J. Appl. Phys., 71 (2), 725 (1992)
  10. D.J. Di Maria, E. Cartier, D. Arnold. J. Appl. Phys., 73, 3367 (1993)
  11. C. Chen, W.L. Wilson, M.Smayling. J. Appl. Phys., 83 (7), 3898 (1998)
  12. C.C. Hsu, S.C.S. Pan, C.-T. Sah. J. Appl. Phys., 58 (3), 1326 (1985)
  13. H. Uchida, T. Ajioka. Appl. Phys. Lett., 51 (6), 433 (1987)
  14. M.M. Heyns, D.K. Rao, R.F. Keersmaecker. Appl. Surf. Sci., 39, 327 (1989)
  15. S. Ogawa, N. Shiono, M. Shimaya. Appl. Phys. Lett., 56 (14), 1329 (1990)
  16. I.C. Chen, S. Holland, C. Hu. J. Appl. Phys., 61 (9), 4544 (1987)
  17. V.J. Kapoor, F.G. Feigl, S.R. Butler. J. Appl. Phys., 48, 739 (1977)
  18. F.J. Feigl, D.R. Young, D.J. DiMaria, S. Lai, J. Calise. J. Appl. Phys., 52, 5665 (1981)
  19. А.М. Емельянов. ФТП, 52, 1060 (2010)
  20. M. Aslam, R. Singh, P. Balk. Phys. Status Solidi A, 84, 659 (1984)
  21. P. Balk, M. Aslam, D.R. Young. Solid-State Electron., 27, 709 (1984)
  22. B.E. Deal, E.L. Mac Kenna, P.L. Castro. J. Electrochem. Soc., 116, 997 (1969)
  23. Ю.В. Федорович, Л.К. Думиш. ФТП, 6, 2321 (1972)
  24. P.J. Chen, R.M. Wallance. J. Appl. Phys., 86, 2237 (1999)
  25. Y. Nissan-Cohen, J. Shappir, D. Frohman-Bentchkowsky. J. Appl. Phys., 60 (6), 2024 (1986)
  26. W.D. Zhang, J.F. Zhang, M.J. Lalor, D.R. Burton, G. Groeseneken, R. Degraeve. Semicond. Sci. Technol., 18, 174 (2003)
  27. M. Aslam. IEEE Trans. Electron. Dev., 34, 2535 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.