"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние перекиси водорода на фотоанодирование n-Si в режиме пробоя
Переводная версия: 10.1134/S1063782618130122
Ли Г.В. 1, Астрова Е.В. 1, Лихачев А.И. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: GalyaFedulova@mail.ioffe.ru, east@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1969 г.

Проведено экспериментальное исследование анодного растворения низколегированного n-Si(100) в электролите, состоящем из 4% раствора HF в 30% перекиси водорода, при напряжении выше напряжения пробоя. Изучено влияние величины освещенности обратной стороны пластины на морфологию пористой структуры и на такие параметры, как пористость, эффективная валентность и скорость роста пор. Полученные данные сравниваются с данными для структур, подвергшихся фотоанодированию в водном электролите с той же концентрацией HF. Установлено, что наличие перекиси водорода значительно меняет морфологию макропор, уменьшает их диаметр и увеличивает в ~ 2 раза скорость роста в глубь подложки. В присутствии H2O2 наблюдается появление наклонных вторичных пор, ориентированных под углом 15-35o к оси основного канала, и увеличение числа пробойных мезопор, распространяющихся в направлениях < 100> в плоскости, параллельной поверхности образца. Эффективная валентность электрохимического растворения кремния в электролите HF : H2O2 при низком уровне подсветки близка к единице и возрастает с интенсивностью света, оставаясь всегда меньше 2.
  1. L. Canham. Handbook of Porous Silicon (Switzerland, Springer Intern. Pub., 2014) pt V, p. 731
  2. M. Bassu, S. Surdo, L.M. Strambini, G. Barillaro. Adv. Funct. Mater., 22, 1222 (2012)
  3. V. Lehmann. Electrochemistry of Silicon (Weinheim, Wiley-VCH, 2002)
  4. T. Trifonov A. Rodri guez, L.F. Marsal, J. Pallares, R. Alcubilla. Sensors Actuators A, 141, 662 (2008)
  5. X.Q. Bao, J.W. Jiao, Y.L. Wang, Y. Zhang, D.H. Ge, Kyoung Won Na, H. Choi. Electrochem. Commun., 9, 1491 (2007)
  6. C. Cozzi, G. Polito, L.M. Strambini, G. Barillaro. Electrochimica Acta, 187, 552 (2016)
  7. Z. Huang, N. Geyer, P. Werner, J. Boor, U. Gosele. Adv. Mater., 23, 285 (2011)
  8. Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресели. ФТП, 37 (4), 494 (2003)
  9. M. Christophersen, J. Cartensen, H. Foll. Phys. Status Solidi A, 182, 45 (2000)
  10. Y.H. Ogata, A. Koyama, F.A. Harraz, M.S. Salem, T. Sakka. Electrochemistry, 75, 270 (2007)
  11. X.Q. Bao, J.W. Jiao, Y.L. Wang, K. W. Na, H. Choi. J. Electrochem. Soc., 154 (3), D175 (2007)
  12. X.Q. Bao, J.W. Jiao, J. Zhou, Y.L. Wang. Electrochimica Acta, 52, 6728 (2007)
  13. X.Q. Bao, J.W. Jiao, Y.L. Wang, K.W. Na, H. Choi. Phys. Status Solidi A, 204 (7), 2287 (2007)
  14. F.A. Harraz, S.M. El-Sheikh, T. Sakka, Y.H. Ogata. Electrochimica Acta, 53, 6444 (2008)
  15. D.H. Ge, J.W. Jiao, S. Zhang, Y.L. Wang. Electrochem. Commun., 12, 603 (2010)
  16. C. Cozzi, G. Polito, K.W. Kolasinski, G. Barillaro. Adv. Funct. Mater., 27, 1604310 (2017)
  17. C. Cozzi, G. Polito, K.W. Kolasinski, G. Barillaro. ECS Transactions, 77 (5), 199 (2017)
  18. Е.В. Астрова, Н.Е. Преображенский, Г.В. Ли, С.И. Павлов. ФТП, 52 (3), 414 (2018)
  19. C. Jager, B. Finkenberger, W. Jager, M. Сhristophersen, J. Carstensen, H. Foll. Mater. Sci. Eng. B, 69-70, 199 (2000)
  20. H. Foll, M. Christophersen, J. Carstensen, G. Hasse. Mater. Sci. Eng. R, 39 (4), 93 (2002)
  21. S. Lolkes, M. Christophersen, S. Langa, J. Carstensen, H. Foll. Mater. Sci. Eng. B, 101, 159 (2003)
  22. H. Gerischer, P. Allongue, V.C. Kieling. Ber. Bunsenges. Phys. Chem., 97, 753 (1993)
  23. K.W. Kolasinski. Surf. Sci., 603, 1904 (2009)
  24. M. Christophersen, J. Cartensen, H. Foll. Phys. Status Solidi A, 182, 45 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.