"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О влиянии параметров топологии транзистора с каналом в форме плавника на деградацию, вызываемую горячими носителями
Переводная версия: 10.1134/S1063782618130183
Тягинов С.Э.1,2, Макаров А.А.1, Kaczer B.3, Jech M.1, Chasin A.3, Grill A.1, Hellings G.3, Векслер М.И.2, Linten D.3, Grasser T.1
1TU Vienna, Institute for Microelectronics, Vienna, Austria
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3IMEC, Kapeldreef 75, Leuven, Belgium
Email: vexler@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1969 г.

Проведено теоретическое исследование влияния параметров геометрии транзистора с каналом в форме плавника (FinFET) на интенсивность деградации, вызываемой горячими носителями (ДВГН). Для этого использована модель, в рамках которой рассматриваются три подзадачи, составляющие физическую картину ДВГН: транспорт носителей заряда в полупроводниковых структурах, описание микроскопических механизмов формирования дефектов и моделирование характеристик деградировавших приборов. В процессе анализа варьируются длина затвора, а также ширина и высота канала. Показано, что при фиксированных условиях стрессового воздействия интенсивность ДВГН повышается в транзисторах с более коротким или более широким каналом, а высота канала не оказывает существенного влияния на протекание ДВГН. Данная информация может оказаться полезной для оптимизации архитектуры транзисторов обсуждаемой топологии с целью подавления деградационных эффектов.
  1. I. Ferain, C.A. Colinge, J.-P. Colinge. Nature, 479 (7373), 310 (2011)
  2. J.-P. Colinge, C.-W. Lee, A. Afzalian, N.D. Akhavan, R. Yan, I. Ferain, P. Razavi, B. O'Neill, A. Blake, M. White, A.-M. Kelleher, B. McCarthy, R. Murphy. Nature Nano, 5 (3), 225 (2010)
  3. C. Auth, C. Allen, A. Blattner, D. Bergstrom, M. Brazier, M. Bost, M. Buehler, V. Chikarmane, T. Ghani, T. Glassman, R. Grover, W. Han, D. Hanken, M. Hattendorf, P. Hentges, R. Heussner, J. Hicks, D. Ingerly, P. Jain, S. Jaloviar, R. James, D. Jones, J. Jopling, S. Joshi, C. Kenyon, H. Liu, R. McFadden, B. McIntyre, J. Neirynck, C. Parker, L. Pipes, I. Post, S. Pradhan, M. Prince, S. Ramey, T. Reynolds, J. Roesler, J. Sandford, J. Seiple, P. Smith, C. Thomas, D. Towner, T. Troeger, C. Weber, P. Yashar, K. Zawadzki, K. Mistry. Proc. Symp. VLSI Technology (VLSIT) (2012) p. 131
  4. S. Novak, C. Parker, D. Becher, M. Liu, M. Agostinelli, M. Chahal, P. Packan, P. Nayak, S. Ramey, S. Natarajan Proc. IEEE Int. Reliability Physics Symp. (2015) p. 2F.2.1
  5. M. Cho, P. Roussel, B. Kaczer, R. Degraeve, J. Franco, M. Aoulaiche, T. Chiarella, T. Kauerauf, N. Horiguchi, G. Groeseneken. IEEE Trans. Electron Dev., 60 (12), 4002 (2013)
  6. M. Cho, G. Hellings, A. Veloso, E. Simoen, P. Roussel, B. Kaczer, H. Arimura, W. Fang, J. Franco, P. Matagne, N. Collaert, D. Linten, A. Thean. Proc. IEEE Int. Electron Devices Meeting (IEDM) (2015) p. 14.5.1
  7. S. Ramey, A. Ashutosh, C. Auth, J. Clifford, M. Hattendorf, J. Hicks, R. James, A. Rahman, V. Sharma, A. St Amour, C. Wiegand. Proc. IEEE Int. Reliability Physics Symp. (IRPS) (2013) p. 4C.5.1
  8. H. Jiang, S. Shin, X. Liu, X. Zhang, M.A. Alam. In: 2016 IEEE Int. Reliability Physics Symp. (IRPS) (2016) p. 2A-3
  9. Y.K. Choi, D. Ha, E. Snow, K. Bokor, T.J. King, IEDM Technical Digest (2003) p. 791
  10. D.W. Kim, W.S. Park, J.T. Park. Microelectron. Reliab., 50 (9), 1316 (2010)
  11. D.H. Lee, S.M. Lee, C.G. Yu, J.T. Park. IEEE Electron Dev. Lett., 32 (9), 1176 (2011)
  12. S.-Y. Kim, J.H. Lee. IEEE Electron Dev. Lett., 26 (8), 566 (2005)
  13. W.T. Chang, L.G. Cin, W.K. Yeh. IEEE Trans. Dev. Mater. Reliab., 15 (1), 86 (2015)
  14. C.-D. Young, J.-W. Yang, K. Matthews, S. Suthram, M.M. Hussain, G. Bersuker, C. Smith, R. Harris, R. Choi, B.H. Lee, H.-H. Tseng. J. Vac. Sci. Technol. B, 27 (1), 468 (2009)
  15. S. Tyaginov, I. Starkov, H. Enichlmair, J.M. Park, C. Jungemann, T. Grasser. ECS Trans., 35 (4), 321 (2011)
  16. A. Makarov, S.E. Tyaginov, B. Kaczer, M. Jech, A. Chasin, A. Grill, G. Hellings, M.I. Vexler, D. Linten, T. Grasser. Presented at the IEDM 2017, in press
  17. А.А. Макаров, С.Э. Тягинов, B. Kaczer, M. Jech, A. Chasin, A. Grill, G. Hellings, М.И. Векслер, D. Linten, T. Grasser. ФТП, 52 (10), 1177 (2018)
  18. S. Tyaginov, M. Bina, J. Franco, D. Osintsev, O. Triebl, B. Kaczer, T. Grasser. Proc. Int. Reliab. Physics Symp. (IRPS) (2014) p. XT.16
  19. S. Tyaginov, M. Bina, J. Franco, Y. Wimmer, D. Osintsev, B. Kaczer, T. Grasser. Proc. Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) (2014) p. 89
  20. M. Bina, S. Tyaginov, J. Franco, K. Rupp, Y. Wimmer, D. Osintsev, B. Kaczer, T. Grasser. IEEE Trans. Electron Dev., 61 (9), 3103 (2014)
  21. S. Tyaginov, M. Jech, J. Franco, P. Sharma, B. Kaczer, T. Grasser. IEEE Electron Dev. Lett., 37 (1), 84 (2016)
  22. K. Rupp, T. Grasser, A. Jungel. In: Proc. Int. Electron Devices Meeting (IEDM) (2011) p. 789
  23. M. Bina, K. Rupp, S. Tyaginov, O. Triebl, T. Grasser. In: Proc. Int. Electron Devices Meeting (IEDM) (2012) p. 713
  24. S.E. Rauch, F.J. Guarin, G. La Rosa. IEEE Electron Dev. Lett., 19 (12), 463 (1998)
  25. P. Sharma, S. Tyaginov, S.E. Rauch, J. Franco, A. Makarov, M.I. Vexler, B. Kaczer, T. Grasser. IEEE Electron Dev. Lett., 38 (2), 160 (2017)
  26. W. McMahon, K. Matsuda, J. Lee, K. Hess, J. Lyding. In: Proc. Int. Conf. on Modeling and Simulation of Microsystems (2002) v. 1, p. 576
  27. W. McMahon, K. Hess. J. Comput. Electron., 1 (3), 395 (2002)
  28. A. Bravaix, C. Guerin, V. Huard, D. Roy, J. Roux, E. Vincent. In: Proc. Int. Reliab. Physics Symp. (IRPS) (2009) p. 531
  29. C. Guerin, V. Huard, A. Bravaix. J. Appl. Phys., 105, 114513 (2009)
  30. P. Sharma, S. Tyaginov, M. Jech, Y. Wimmer, F. Rudolf, H. Enichlmair, J.-M. Park, H. Ceric, T. Grasser. Solid-State Electron., 115, pt. B, 185 (2016)
  31. P. Sharma, S. Tyaginov, Y. Wimmer, F. Rudolf, K. Rupp, M. Bina, H. Enichlmair, J.-M. Park, R. Minixhofer, H. Ceric, T. Grasser. IEEE Trans. Electron Dev., 62 (6), 1811 (2015)
  32. K.L. Brower. Phys. Rev. B, 42 (6), 3444 (1990)
  33. S. Tyaginov, I. Starkov, O. Triebl, H. Enichlmair, C. Jungemann, J.M. Park, H. Ceric, T. Grasser. Proc. Int. Conf. Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) (2011) p. 123.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.