"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
nBn-фотодиод на основе InAsSb/AlAsSb-твердых растворов с длинноволновой границей 5 мкм
Переводная версия: 10.1134/S1063782618130110
Куликов В.Б.1, Маслов Д.В.1, Сабиров А.Р.1, Солодков А.А.1, Дудин А.Л.2, Кацавец Н.И.2, Коган И.В.2, Шуков И.В.2, Чалый В.П.2
1Акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт Циклон", Москва, Россия
2Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
Email: vokul@inbox.ru
Поступила в редакцию: 19 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1969 г.

Представлены результаты исследований фотоэлектрических характеристик nBn-структуры, обеспечивающей возможность создавать на ее основе фотодиоды с длинноволновой границей чувствительности, достигающей 5 мкм. Расчеты, сделанные на основе полученных результатов, показывают, что указанные фотодиоды сравнимы по пороговой фоточувствительности с традиционными аналогами. На основе полученных экспериментальных результатов и теоретических оценок предложена модель зонной диаграммы nBn-структуры, позволяющая оценить влияние потенциальных барьеров в валентной зоне широкозонного слоя и на его границах с узкозонными слоями на чувствительность nBn-фотодиодов. При построении модели важное значение имели результаты, полученные при экспериментальном исследовании зависимости термической энергии активации фототока от напряжения смещения фотодиода.
  1. V.B. Kulikov, V.P. Kotov, G.H. Avetisyan, I.D. Zalevsky, P.V. Bulaev, A.A. Padalitzal. Proc. SPIE, 3200, 150 (1997)
  2. S. Maimon, G.W. Wicks. Appl. Phys. Lett., 89, 151109 (2006)
  3. P.C. Klipstein. Proc. SPIE, 6940, 69402U (2008)
  4. P.C. Klipstein, Y. Gross, D. Aronov, M. ben Ezra, E. Berkowicz, Y. Cohen, R. Fraenkel, A. Glozman, S. Grossman, O. Klin, I. Lukomsky, T. Markowitz, L. Shkedy, I. Shtrichman, N. Snapi, A. Tuito, M. Yassen, E. Weisset Proc. SPIE, 8704, 87041S (2013)
  5. N. Baril, A. Brown, P. Maloney, M. Tidrow, D. Lubyshev, Y. Qui, J.M. Fastenau, A.W.K. Liu, S. Bandara. Appl. Phys. Lett., 109, 122104 (2016)
  6. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, с. 382
  7. M. Reine. Proc. SPIE, 8704, 87041Y (2013)
  8. А.М. Филачев, И.И. Таубкин, М.А. Тришенков. Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды (М., Физматкнига, 2011) с. 83.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.