"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)
Переводная версия: 10.1134/S1063782618010207
Середин П.В.1, Леньшин А.С.1, Федюкин А.В.1, Арсентьев И.Н.2, Жаботинский А.В.2, Николаев Д.Н.2, Leiste Harald3, Rinke Monika3
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Karlsruhe Nano Micro Facility, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany
Email: paul@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 21 февраля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.

Исследовано влияние степени разориентации подложки GaAs, а также ее обработки на структурные и оптические характеристики гомоэпитаксиальных структур GaAs/GaAs(100), выращенных методом MOCVD. На основе данных комплекса структурных и спектроскопических методов показано, что увеличение степени отклонения подложки от точной ориентации до 4o к [110] приводит к ступенчатому росту пленки GaAs на первоначальном этапе, а дальнейшее увеличение величины разориентации до 10o к [110] приводит к росту числа дефектов в структуре эпитаксиальной пленки. При этом образцы гомоэпитаксиальных структур, выращенные методом MOCVD на подложках GaAs (100) с разориентацией 4o к [110], обладают максимальным выходом фотолюминесценции, превосходящим примерно на 15% аналогичную величину для структур, выращенных на точно ориентированной подложке GaAs(100). Предварительная полировки подложки GaAs (удаление окисного слоя) также приводит к возрастанию эмиссии фотолюминесценции по сравнению с неполированной подложкой того же типа, а для образцов, выращенных на подложках с разориентацией 4o такое увеличение выхода фотолюминесценции составляет величину ~30%. DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45329.8565
  1. S. Moon, K. Kim, Y. Kim, J. Heo, J. Lee. Sci. Rept., 6, 30107 (2016)
  2. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Appl. Surf. Sci., 267, 181 (2013)
  3. P.V. Seredin, A.V. Glotov, V.E. Ternovaya, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 45, 481 (2011)
  4. P.V. Seredin, A.V. Glotov, V.E. Ternovaya, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, L.S. Vavilova, I.S. Tarasov. Semiconductors, 45, 1433 (2011)
  5. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. J. Phys. B: Condens. Matter, 405, 4607 (2010)
  6. R. Boussaha, H. Fitouri, A. Rebey, B.E. Jani. Appl. Surf. Sci., 291, 40 (2014)
  7. H. Dong, J. Sun, S. Ma, J. Liang, T. Lu, X. Liu, B. Xu. Nanoscale, 8, 6043 (2016)
  8. E. Pelucchi, N. Moret, B. Dwir, D.Y. Oberli, A. Rudra, N. Gogneau, A. Kumar, E. Kapon, E. Levy, A. Palevski. J. Appl. Phys., 99, 093515 (2006)
  9. E.S. Johnson, G.E. Legg. J. Cryst. Growth, 88, 53 (1988)
  10. H.-S. Kim, Y. Kim, M.-S. Kim, S.-K. Min. J. Cryst. Growth, 92, 507 (1988)
  11. K. Fujita, T. Yamamoto, T. Takebe, T. Watanabe. Jpn. J. Appl. Phys., 32, L978 (1993)
  12. D.H. Rich, K. Rammohan, Y. Tang, H.T. Lin. J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanometer Struct. Process. Meas. Phenom., 13, 1766 (1995)
  13. M.M. Lira, J.L. Alvarado, M.L. Li pez, M.A. Vidal. Superf. Vaci o, 32 (2000)
  14. D.G. Vasil'ev, V.P. Evtikhiev, V.E. Tokranov, I.V. Kudryashov, V.P. Kochereshko. Phys. Solid State, 40, 787 (1998)
  15. K. Mochizuki, S. Goto, H. Kakibayashi, C. Kusano. Jpn. J. Appl. Phys., 29, L1046 (1990)
  16. P.R. Hageman, J. te Nijenhuis, M.J. Anders, L.J. Giling. J. Cryst. Growth, 170, 270 (1997)
  17. S. Orsila, A. Tukiainen, P. Uusimaa, J. Dekker, T. Leinonen, M. Pessa. J. Cryst. Growth, 227-228, 249 (2001)
  18. R.C. Tu, Y.K. SuS. T. Chou. J. Appl. Phys., 84, 6877 (1998)
  19. P.V. Seredin, V.E. Ternovaya, A.V. Glotov, A.S. Len'shin, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, H. Leiste, T. Prutskij. Phys. Solid State, 55, 2161 (2013).
  20. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, A.S. Lenshin, M.S. Smirnov, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 46, 719 (2012).
  21. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. J. Phys. B: Condens. Matter, 405, 2694 (2010)
  22. W. Hayes, R. Loudon. Scattaring of Light by Crystals (John Wiley \& Sons, N.Y., 1978)
  23. P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya, V.E. Ternovaya, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, T. Prutskij. Phys. Solid State, 55, 2169 (2013)
  24. A.P.V. Seredin, A.V. Glotov, A.S. Lenshin, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke. Semiconductors, 48, 21 (2014)
  25. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, I.A. Zhurbina. Semiconductors, 44, 184 (2010)
  26. И.Н. Арсентьев, Е.С. Калевич, С.Г. Конников, В.М. Лантратов, Т.Б. Попова, В.К. Тибилов, В.П. Улин. Автометрия, 74 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.