Вышедшие номера
Электрон-электронное и электрон-фононное взаимодействия в графене на полупроводниковой подложке: простые оценки
Переводная версия: 10.1134/S1063782618030090
Давыдов С.Ю.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 25 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

В рамках расширенных моделей Хаббарда и Холстейна-Хаббарда для электрон-электронного и электрон-фононного взаимодействий рассмотрена задача об эпитаксиальном графене, сформированном на полупроводниковом субстрате. Для плотности состояний подложки выбрана модель Халдейна-Андерсона. Рассмотрены три области фазовой диаграммы: волны спиновой и зарядовой плотностей и однородное по спину и заряду парамагнитное состояние. На примере ряда частных случаев продемонстрированы как сходства, так и различия электронного состояния графена на полупроводниковой и металлической подложках. Показано, что основное различие возникает в случае, когда точка Дирака графена лежит в пределах запрещенной зоны полупроводника. Численные оценки сделаны для SiC-подложки. DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45621.8658