"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрон-электронное и электрон-фононное взаимодействия в графене на полупроводниковой подложке: простые оценки
Переводная версия: 10.1134/S1063782618030090
Давыдов С.Ю.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 25 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

В рамках расширенных моделей Хаббарда и Холстейна-Хаббарда для электрон-электронного и электрон-фононного взаимодействий рассмотрена задача об эпитаксиальном графене, сформированном на полупроводниковом субстрате. Для плотности состояний подложки выбрана модель Халдейна-Андерсона. Рассмотрены три области фазовой диаграммы: волны спиновой и зарядовой плотностей и однородное по спину и заряду парамагнитное состояние. На примере ряда частных случаев продемонстрированы как сходства, так и различия электронного состояния графена на полупроводниковой и металлической подложках. Показано, что основное различие возникает в случае, когда точка Дирака графена лежит в пределах запрещенной зоны полупроводника. Численные оценки сделаны для SiC-подложки. DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45621.8658
  1. A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov, A.K. Geim. Rev. Mod. Phys., 81, 109 (2009)
  2. V.N. Kotov, B. Uchoa, V.M. Pereira, A.H. Castro Neto, F. Guinea. Rev. Mod. Phys., 84, 1067 (2012)
  3. N. Swain, P. Majumdar. arXive: 1610.00695
  4. M.V. Ulybyshev, P.V. Buividovich, M.I. Katsnelson, M.I. Polikarpov. Phys. Rev. Lett., 111, 056801 (2013)
  5. L. Wang, P. Corboz, M. Troyer. New J. Phys., 16, 103008 (2014)
  6. M. Hohenadler, F.P. Toldin, I.F. Herbut, F.F. Assaad. Phys. Rev. B, 90, 085146 (2014)
  7. W. Wu, A.-M.S. Tremblay. Phys. Rev. B, 89, 205128 (2014)
  8. L. Classen, I.F. Herbut, L. Janssen, M.M. Scherer. Phys. Rev. B, 92, 035429 (2015)
  9. С.Ю. Давыдов. ФТТ, 59, 1650 (2017)
  10. С.Ю. Давыдов. ФТТ, 58, 1182 (2016)
  11. M. Hohenadler, W. von der Linden. Phys. Rev. B, 71, 184309 (2005)
  12. M. Berciu. Phys. Rev. B, 75, 081101R (2007)
  13. R.P. Hardikar, R.T. Clay. Phys. Rev. B, 75, 245103 (2007)
  14. S. Kumar, J. van den Brink. Phys. Rev. B, 78, 155123 (2008)
  15. Y. Murakami, P. Werner, N. Tsuji, H. Aoki. Phys. Rev. B, 88, 125126 (2013)
  16. M. Chakraborty, M. Tezuka, B.I. Min. Phys. Rev. B, 89, 035146 (2014)
  17. P. Werner, M. Eckstein. Europhys. Lett., 109, 37002 (2015)
  18. S. Pradhan, G.V. Pai. Phys. Rev. B, 92, 165124 (2015)
  19. I.V. Sankar, A. Chatterjee. Physica B, 489, 17 (2016)
  20. T. Miyao. arXive: 1402.5202; 1610.09039
  21. С.Ю. Давыдов. ФТП, принято к печати
  22. С.Ю. Давыдов. ФТП, 47, 97 (2013)
  23. С.Ю. Давыдов. Теория адсорбции: метод модельных гамильтонианов (СПб., Изд-во СПбГЭТУ ЛЭТИ, 2013). Электронный адрес: twirpx.com/file/1596114/ 2007. 96 с. twirpx.com/file/1014608/
  24. Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990)
  25. У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 1
  26. W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 31, 2121 (1985)
  27. С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник. Метод связывающих орбиталей в теории полупроводников. Учеб. пособие (СПб., Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2007). twirpx.com/file/1014608/
  28. С.Ю. Давыдов, Г.И. Сабирова. Письма ЖТФ, 37 (11), 51 (2011)
  29. A. Mattausch, O. Pankratov. Phys. Rev. Lett., 99, 076802 (2007)
  30. J. Borysiuk, J. So tys, R. Bozek, J. Piechota, S. Krukowski, W. Strupinski, J.M. Baranowski, R. Stepniewski. Phys. Rev. B, 85, 045426 (2012)
  31. С.Ю. Давыдов. ФТТ, 59, 3, 610 (2017)
  32. С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник. ФТТ, 57, 819 (2015)
  33. T.O. Wehling, E. Sasioglu, C. Friedrich, A.I. Lichtenstein, M.I. Katsnelson, S. Blugel. Phys. Rev. B, 106, 236805 (2011)
  34. J.C. Johannsen, S. Ulstrup, M. Bianchi, R. Hatch, D. Guan, F. Mazzola, L. Hornek r, F. Fromm, C. Raidel, T. Seyller, P. Hofmann. J. Phys.: Condens. Matter, 25, 094001 (2013)
  35. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.