Вышедшие номера
Электрический пробой в чистом n- и p-Si
Переводная версия: 10.1134/S1063782618030065
Банная В.Ф.1, Никитина Е.В.2
1Московский государственный педагогический университет, Москва, Россия
2Российский университет дружбы народов, Москва, Россия
Email: enikitina@sci.edu.ru
Поступила в редакцию: 6 февраля 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

Представлены результаты расчета зависимостей кинетических коэффициентов ударной ионизации и термической рекомбинации от электрического поля в чистом кремнии. По аналогии с германием рассчитаны зависимости поля электрического пробоя Ebr от степени компенсации материала K. Дано подробное обоснование правомочности такого расчета. Представлены кривые Ebr(K) и проведено сравнение с экспериментальными данными в области слабых компенсаций. Выполнена привязка к экспериментальным результатам, при которой наблюдается удовлетворительное соответствие теории и эксперимента. DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45610.8536